本発明の多層封止膜は、一つ以上の平坦化有機薄膜層、一つ以上のコンフォーマル有機薄膜層および一つ以上の無機薄膜層を含んでなる。前記薄膜層は、（ａ）平坦化有機薄膜層／無機薄膜層／コンフォーマル有機薄膜層／無機薄膜層、（ｂ）コンフォーマル有機薄膜層／無機薄膜層／平坦化有機薄膜層／無機薄膜層、（ｃ）平坦化有機薄膜層／コンフォーマル有機薄膜層／無機薄膜層、または（ｄ）コンフォーマル有機薄膜層／平坦化有機薄膜層／無機薄膜層の順序で積層される。本発明の多層封止膜は、平坦化有機薄膜層によって表面粗さを向上させることができ、コンフォーマル有機薄膜層によってパーティクルに対する均一なカバーリングを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも樹脂製凸部及び該凸部を支持する基材を有するパターン形成用凸版において、これを有機ＥＬ素子に適用する場合、非水溶系溶剤インキと水性インキを同一の樹脂版材で印刷可能とし、樹脂版材から有機層への不純物漏出を防止する。
【解決手段】パターン形成用凸版２００の樹脂製凸部２０１に真空薄膜形成法により保護層２０５を設けたことを特徴とするパターン形成用凸版であって、前記保護層が有機物と無機物の混合薄膜であって、前記真空薄膜形成法が、化学気相成長法であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長法による成膜時に発生するパーティクルを除去すること。
【解決手段】本発明は、基板Ｓを配置するチャンバ１０と、チャンバ１０内に反応ガスを導入するガス導入部４０と、チャンバ１０内から反応ガスを排出するガス排出部５０と、チャンバ１０内に配置された基板Ｓに反応ガスの反応による成膜を行っている途中もしくは成膜が完了した段階でチャンバ１０内のパーティクルをガス排出部５０から排出するパーティクル排出処理を制御する制御部６０とを備える成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明はフォトニック結晶構造を有する有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機発光素子は、光を通過させる基板１０と、基板１０上に形成されてフォトニック結晶構造を有するフォトニック結晶層５０と、フォトニック結晶層５０上に形成されてフォトニック結晶層５０に比べて大きい屈折率を有する中間層６０と、中間層６０上に形成される第１電極層２０と、第１電極層２０上に形成されて電流の流れにより光を発光する発光層３０と、発光層３０上に形成される第２電極層４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】10^−３g/m²/day以下の水蒸気透過率を有し、かつ膜質の良好なシリコン窒化物膜を、有機層の耐熱温度以下で高効率に成膜する。
【解決手段】本発明のシリコン窒化物1の成膜方法はプラズマを用いる化学気相成長法により、反応容器110内に設置された少なくとも一層の有機層を有する基体10上にシリコン窒化物膜１を成膜する方法であって、反応容器110内に、SiH₄，NH₃，H₂及びHeを含む原料ガスGを、全ガス圧が大気圧となるように供給する工程と、基体10の上方に設置された電極111に電界を印加して電極111と基体10との間に電場Pを発生させて電極111と基体10との間の原料ガスGをプラズマ状態にする工程と、有機層の耐熱温度以下で基体10上にシリコン窒化物膜1を成膜する工程とを有し、原料ガスG中のH₂の割合が13％以上20％以下であり、NH₃のSiH₄に対する割合が13％以上24％以下である。 （もっと読む）

【課題】有機物よりなるカラーフィルタ層、オーバーコート層、ＡｌｘＴｉｙＯｚからなるガスバリア層、および有機ＥＬ構造体が順次積層されてなる有機ＥＬディスプレイにおいて、さらなるガスバリア性の向上を実現する。
【解決手段】ガスバリア層２０は、ＡｌｘＴｉｙＯｚからなる薄膜であり、このＡｌｘＴｉｙＯｚの組成比におけるＡｌの原子数比率ｘおよびＴｉの原子数比率ｙを用いて｛ｙ／（ｘ＋ｙ）×１００｝にて表される比率をＴｉの原子数比率（単位：ａｔｏｍ％）としたとき、ガスバリア層２０は、オーバーコート層１４との界面にＴｉの原子数比率が０ａｔｏｍ％の領域を有し、有機ＥＬ構造体３０との界面にＴｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上の領域を有し、且つ、オーバーコート層１４との界面から有機ＥＬ構造体３０との界面に向かってＴｉの原子数比率が増加しているものである。 （もっと読む）

【課題】水素終端化された高品質な多結晶Ｓｉ膜を含む半導体薄膜を低温、高速成膜することで、良好な特性のＴＦＴを安定して実現し、高品質、高画質の半導体装置および表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に形成したＳｉ、Ｇｅ、Ｆ、Ｈを含有する半導体層４を、良好な結晶性が得られる反応熱ＣＶＤ法で形成した多結晶ＳｉＧｅ膜または多結晶Ｓｉ膜を第一層４aとその上層の第二層４bとの複数層の連続成膜で積層構造に構成し、該半導体層４中のＨ濃度を絶縁性基板１側に対して表面側にある第二層４bで高くした。 （もっと読む）

【課題】有機発光層の側面を完全に封止し、発光特性の劣化が少ないと共に、薄型化が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】基板３０上に形成される基板側電極２と、基板側電極の上面に形成される有機発光層４と、有機発光層の上面に形成される上部電極６と、上部電極の上面及び側面並びに有機発光層の側面を連続して完全に覆う第１の無機膜１２と、第１の無機膜を覆うポリマー膜１４と、ポリマー膜を覆う第２の無機膜１６とを備え、第１の無機膜が第２の無機膜より疎になっている。 （もっと読む）

【課題】 環境感受性デバイスの水蒸気による劣化を防止することを目的とする。
【解決手段】基板上に、環境感受性素子と、バリア性積層体とを、該順に有し、かつ、該バリア性積層体は、少なくとも１層の水素化窒化珪素層と、少なくとも１層の他の無機層とを有する、環境感受性デバイス。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の製造工程で発生するボイドを抑え、有機ＥＬ素子の有機化合物層への水分や酸素の浸入を防止することができる有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１に積層された下部電極２と有機化合物層３、４と上部電極５とそれらを覆うパッシベ−ション層とで、少なくとも構成され、前記有機化合物層４にアルカリ金属又はアルカリ金属化合物を含み、前記上部電極５が酸化膜からなる有機ＥＬ素子において、前記上部電極５の直上に水素を含まない第一パッシベーション層６が形成されており、前記第一パッシベーション層６の上に第二パッシベーション層７が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】要求される特性を満たした半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴としている。これにより、周辺回路領域と画素領域とに適した単結晶半導体層を用いた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を封止する無機物層を含む被膜を形成するときに、有機ＥＬ素子に与えるダメージを抑えることができる有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上に、少なくとも一方が透明または半透明の一対の電極間に発光層を含む有機ＥＬ層２２を挟んで構成した有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０に接する少なくとも１層の無機物膜を含み、有機ＥＬ素子２０を封止する封止層３０と、を形成する際に、封止層３０中の有機ＥＬ素子２０に接する第１の封止膜３１を対向ターゲット式スパッタ法で形成し、封止層３０中の他の無機物膜を対向ターゲット式スパッタ法以外の他の成膜方法で形成する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を封止する無機物層を含む被膜を形成するときに、有機ＥＬ素子に与えるダメージを抑えながら、水蒸気や酸素に対するバリア性の高い被膜を形成することができる有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上に、少なくとも一方が透明または半透明の一対の電極間に発光層を含む有機ＥＬ層２２を挟んで構成した有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０に接する少なくとも１層の無機物膜を含み、有機ＥＬ素子２０を封止する封止層３０と、を形成する際に、封止層３０中の有機ＥＬ素子２０に接する第１の封止膜３１をイオンビームスパッタ法で形成し、封止層３０中の他の無機物膜をイオンビームスパッタ法以外の他の成膜方法で形成する。 （もっと読む）

【課題】劣化しにくい発光素子を提供することを目的とする。また、劣化しにくい発光装置および電子機器を提供することを目的とする。また、劣化しにくい発光素子の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一対の電極間にＥＬ層を有する発光素子を、無機化合物とハロゲン原子とを含む層、もしくは有機化合物と無機化合物とハロゲン原子とを含む層を用いて覆うことで、水分の侵入による劣化を抑制することができる。よって、長寿命の発光素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子上に該有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴを配した有機ＥＬ表示装置を提供することにある。特に、高開口率が得られ、高精細、高輝度、且つ高寿命のアクティブ型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子、及び前記有機ＥＬ素子上に形成された薄膜電界効果型駆動トランジスタを有する有機ＥＬ表示装置であって、上部電極３４と前記薄膜電界効果型トランジスタの間に前記上部電極３４と電気的に接して導電性エッチング保護膜１０９、前記導電性エッチング保護膜１０９と前記薄膜電界効果型トランジスタとの間に保護絶縁膜１０６を有し、前記保護絶縁膜１０６に設けられたコンタクトホール１０８を通して前記薄膜電界効果型トランジスタのソース１０５ａまたはドレイン電極１０５ｂと前記導電性エッチング保護膜１０９が電気的に接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄い電極を用いることで非点灯を低減しながら、同時に微小共振器構造を有する有機発光素子を提供する。
【解決手段】有機発光素子において、基板の側から順に第１電極層、有機層、第２電極層、透明絶縁層、光反射透過層から成る層構成を持つ。前記第２電極層の膜厚が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。前記光反射透過層と前記第１電極層との間に微小共振器構造を有し、前記光反射透過層と前記第１電極層との間の膜厚が、前記有機層から発光する光を強めるように調整されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を低減することなく、量産が可能な表示装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜に接するゲート絶縁膜と、ゲート電極とが重畳する薄膜トランジスタを備えた表示装置において、微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜が形成されている。微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜を形成するため、微結晶粒の表面が酸化することを低減することが可能であるため、薄膜トランジスタの移動度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的低温（６００℃未満）のプロセスで作製される素子をガラス基板から分離（すなわち、剥離）し、可撓性基板（代表的にはプラスチックフィルム）に配置（すなわち、転置）する技術を開示する。
【解決手段】ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法を用いてハロゲン元素を含む剥離層を形成し、その剥離層上に半導体素子を形成した後、剥離層の層内または界面で剥離を行って、大面積のガラス基板と半導体素子とを分離する。また、ガラス基板と剥離層との界面で分離させるために、剥離層においてハロゲン元素の濃度勾配を持たせてもよく、剥離層におけるガラス基板との界面近傍にハロゲン元素を他の箇所より多く含ませる。 （もっと読む）

【課題】電極間の短絡に対し修復を行うことができる有機発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に順に、第１電極１０１と、有機層１０２と、第２電極１０３と、を含む有機発光素子を形成し、第２電極１０３の上に第１封止層１０４を形成する工程と、前記有機発光素子の短絡部位において、少なくとも第１封止層１０４と第２電極１０３とをレーザーを照射することにより除去する工程と、第２封止層１０８を前記除去された部位に形成する工程と、を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。 （もっと読む）