説明

Fターム[3L113AC24]の内容

Fターム[3L113AC24]に分類される特許

141 - 160 / 171


【課題】含液(有機)廃棄物を乾燥、さらには、適宜炭化するに際して、乾燥/炭化処理を一つの装置で、連続的に効率良く、しかも、高品質の炭化物を得ることができる新規な連続減圧乾燥/炭化装置を提供すること。
【解決手段】乾燥/炭化室14と、加熱炉12とを備えた連続減圧乾燥/炭化装置。乾燥/炭化室14には、該乾燥/炭化室14内を減圧するとともに発生蒸気を吸引排出するエジェクタ等の減圧装置20が接続されている。さらに、乾燥/炭化室14は、加熱炉12内に主体が配設される相互に連通接続された複数本のスクリュー混練機24、24A、24Bで形成されている。そして、乾燥/炭化室14内へは、原料供給装置16から搬送されてくる原料が下方から自己シール可能に供給されるようになっている。 (もっと読む)


【課題】 ワーク乾燥室の外部に加熱器を加熱するための加熱源装置を別個に設ける必要がなく、また熱伝達が効率的となるワーク乾燥室の加熱装置に関する。
【解決手段】 溶剤蒸気を生成する蒸気発生器と、ワーク乾燥室と、ワーク乾燥室を加熱する加熱器とを備え、前記蒸気発生器からワーク乾燥室に溶剤蒸気を送り込むための送り込み配管をバルブを介して配管接続し、前記ワーク乾燥室には、バルブを介して吸引配管を配管接続し、この吸引配管を経由してワーク乾燥室内を真空にするための真空ポンプを設置すると共に、ワーク乾燥室の底部付近に、バルブを介して液抜き配管を配管接続し、この液抜き配管を経由して残液受けを設置し、前記蒸気発生器から加熱器に溶剤蒸気を送り込むための送り込み配管をバルブを介して配管接続し、前記加熱器から蒸気発生器に冷却された蒸気を戻すための戻し配管を、バルブを介して配管接続した。 (もっと読む)


【課題】 装置の製造コストを高額とすることなく、チャンバー内をの圧力を複数段階に変更することが可能な減圧乾燥装置、排気装置および減圧乾燥方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板Wをチャンバー10内に搬送する搬送工程と、チャンバー10内を小さな排気量で排気するとともにチャンバー10内に不活性ガスを供給する第1乾燥工程と、チャンバー10内を小さな排気量で排気したまま不活性ガスの供給を停止する第2乾燥工程と、チャンバー10内を大きな排気量で排気する第3乾燥工程と、チャンバー10内に不活性ガスを供給してチャンバー10内をパージするパージ工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 排気ポンプにフォトレジスト等の薄膜の成分が固着することを防止することが可能な減圧乾燥装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 減圧乾燥装置は、基板Wの周囲を覆うチャンバー10と、排気ポンプ50と、第1開閉弁41と、第2開閉弁42と、第3開閉弁43とを備える。第1開閉弁41を開放してチャンバー10内を排気することにより基板Wの主面に形成されたフォトレジストを減圧乾燥した後、第1開閉弁41を閉鎖して前記チャンバー10の排気を停止する。次に、第2開閉弁42を開放して排気ポンプ50に不活性ガスを供給するとともに、第3開閉弁43を開放して前記チャンバー10内に不活性ガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】 被乾燥物の商品価値を落とすことなく乾燥させる。
【解決手段】 被乾燥物4を収容した容器2を真空ポンプ10で減圧しつつ、加熱ジャッケト6によって加熱し、かつ重畳波電位発生装置20によって容器2に電場を印加した状態を、容器2の温度が予め定めた第1の温度から第2の温度になるまで継続することを、複数回にわたって繰り返す。 (もっと読む)


【課題】 整流板の排気口側の温度変化が基板温度に与える影響を少なくすることで、基板の温度分布が均一な状態で、成膜溶液を乾燥させることができる基板乾燥装置等を提供することを課題とする。
【解決手段】 成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された基板Wを減圧乾燥する基板乾燥装置3であって、基板Wを気密に収容可能な処理室101と、基板Wの直下に位置して、処理室101に開口した排気口113と、排気口113を介して、処理室113内の雰囲気を吸引する吸引手段102と、外縁が基板Wの外周からはみ出すようにして基板Wが載置され、基板Wの表面を流れる排気気流を整流する整流板104と、を備え、整流板104には、基板Wを加熱するヒータが組み込まれている。 (もっと読む)


【課題】 乾燥時における熱的影響に関する成膜溶液の特性に応じて、排気気流の流速を簡易な構造でコントロールすることができる基板乾燥装置等を提供することを課題とする。
【解決手段】 成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された基板Wを減圧乾燥する基板乾燥装置3であって、基板Wを気密に収容可能な処理室101と、処理室101内の雰囲気を吸引する吸引手段102と、吸引手段102と処理室101とを連通する排気流路103と、を備え、排気流路103には、排気気流の流速を調整する流速調整手段104が介設されている。 (もっと読む)


【課題】 処理室を大きくすることなく、基板の各部の乾燥条件を均一化することができる基板乾燥装置、基板処理システム、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することを課題としている。
【解決手段】 成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された方形の基板Wを減圧乾燥する基板乾燥装置3であって、基板Wを気密に収容する処理室60と、処理室60の底部68に形成される複数の排気口66と、複数の排気口66を介して処理室60内の雰囲気を排気する排気手段89と、複数の排気口66と排気手段89とを接続する排気流路91,92,93と、を備え、複数の排気口66は、セットした最大の基板Wと処理室60内の内壁78との間隙79を投影した底部68の周縁部64領域に分散し、且つ基板Wの各辺に複数宛て均等配置されている。 (もっと読む)


【課題】 基板の種別に応じて排気気流の流れ方を調整することができる基板乾燥装置、基板処理システム、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することを課題としている。
【解決手段】 成膜材料を溶媒に溶解した成膜溶液が塗着された基板Wを減圧乾燥する基板乾燥装置3であって、基板Wを気密に収容する処理室60と、処理室60に分散させるようにして形成した複数の排気口66と、複数の排気口66を介して処理室60内の雰囲気を排気する排気手段89と、複数の排気口66と排気手段89とを接続する排気流路91,92,93と、複数の排気口66に対応して排気流路91,92,93に介設され、複数の排気口66からの排気気流の流量をそれぞれ調節する複数の流量調節手段100と、を備える。 (もっと読む)


本発明は、真空ライン18に連結されたチャンバ10内で行われる凍結乾燥処理中の脱水運転を監視するための装置に関する。この装置は、チャンバ10内に含まれる気体を分析するための手段を備え、この手段は、プラズマを発生するように構成された発生器と結合された気体と接触しているプラズマ源3を含む、気体をイオン化するためのシステム1、及び、プラズマにより放出される放射スペクトルの発生を分析する装置22に連結されたプラズマ発生区域の近くに配置された放射線センサ20を含む、イオン化された気体を分析するためのシステムを含む。このプラズマ源は誘導結合によって生成されることが好ましく、放射スペクトルを分析する装置は発光分析装置である。
(もっと読む)


【課題】 溶質を水に溶解した原料液を真空容器内へノズルから噴霧して形成される微小凍結粒子に含まれる氷を短時間で昇華させて乾燥し得る凍結真空乾燥装置を提供すること。
【解決手段】 原料液をノズル12から真空凍結乾燥塔11内へ噴霧して形成される微小凍結粒子Fに含まれる氷を昇華させて乾燥する真空凍結乾燥塔11の内壁面に輻射板14を設け、真空凍結乾燥塔11の外周面側からヒータ15によって輻射板14を絶対温度900°K程度に加熱する。その加熱によって輻射板14からはエネルギー密度のピークが波長3μm 近辺にあり、氷によって吸収されやすい赤外線が輻射されるので、落下する微小凍結粒子Fはその輻射熱を受け、含まれる氷の温度が効果的に上昇して昇華が促進され、乾燥時間を短縮させる。 (もっと読む)


【課題】 被加熱体を減圧下で加熱乾燥するときに、漏れ電流による人体への影響を防止しながら、乾燥処理を中断することなく継続してできる乾燥方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 乾燥装置100は、被加熱体を収容可能な収容室119と、この収容室119を加熱するヒータ112と、減圧する減圧ポンプ116と、圧力を検出する圧力検出部117と、漏れ電流を検出する漏電量検出部118とを備えている。漏電量検出部118が漏れ電流を検出して、その検出結果に基づいてヒータ112の通電をOFFにし、圧力検出部117が圧力を検出して、その検出結果に基づいてヒータ112の通電をONにする。つまり、乾燥装置100は、減圧下で加熱乾燥するときに、ヒータ112の通電をONとOFFとの切り替えをする。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、被加熱体を減圧下で加熱乾燥するときに、より精度よく温度測定が可能な加熱方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 乾燥装置100に、ヒータ112と、このヒータ112の温度を校正する熱電対113と、被加熱体である基板12を支持する支持部としての第1支持部350と、この基板12を収容可能な槽体としての加熱部110を備えている。この第1支持部350が、第2支持部351と、第3支持部352とを有していて、この第3支持部352の中に熱電対113が備えられていて、基板12と間接的に接触している。 (もっと読む)


【課題】 基板面上に均一な厚さの膜を形成することができる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】 基板を収容し気密に閉鎖可能なチャンバが載置台と上下動可能な蓋体によって形成される。載置台の下部には、排気管24が設けられ、チャンバ内を減圧可能にする。載置台には基板を収容する基板収容部32が載置され、基板収容部32を構成する各面には、複数の排気口32a、32b、32cが形成されている。基板収容部32の上面の四隅に対向させて吸気口36aが、基板収容部32の下面の四隅に対向させて吸気口38aが形成されており、吸気口36aは上面排気チューブ36bに、吸気口38aは下面排気チューブ38bに接続されている。上面排気チューブ36bの径は、下面排気チューブ38bの径よりも太くなっており、基板収容部32内の雰囲気を上面と下面の両面から均一な排気速度により排気する。 (もっと読む)


【課題】 基板面上に均一な厚さの膜を形成することができる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】 載置台12と上下動可能な蓋体14によって、基板Pを収容し気密に閉鎖可能なチャンバ10を形成する。載置台12の底部には、排気管24を設け、チャンバ10内を減圧可能にする。また、載置台12には、基板Pを保持するステージSが載置されており、ステージSの周囲には、基板Pの表面位置の近傍であって、基板Pの表面位置と略同一の高さ又は基板Pの表面位置よりも低い位置に、基板Pの縁部に沿って延びるスリット形状の開口部が形成された排気口40a、40bが形成されている。チャンバ10内の雰囲気は、各排気口に形成された開口部及び排気管24を介して吸引ポンプ26により吸引され、各排気口において同一の排気速度で排気される。 (もっと読む)


【課題】山形県庄内地区で栽培されている通称ズイキ芋(里芋)を主原料とした特殊焼酎の製造において、原料備蓄を容易にし、小型設備でかつ短期間で製造可能とする。
【解決手段】主原料のズイキ芋等を真空冷凍乾燥して粉末とし、該原料を使用して従来の焼酎製造法に順じ、焼酎を製造する。 (もっと読む)


【課題】 互いに、減圧または加圧の気圧調節を必要とする複数の室内の気圧をバランスよく制御することを実現する。
【解決手段】 複数の室を気圧調節する際に各室内の圧力を均一に制御するための圧力制御システムであって、
各室は、室内の圧力を測定するための圧力センサと、気圧調節手段に連結するための気圧調節ラインとを具備し、
基準室以外の室の気圧調節ラインは、基準室以外の室内の圧力を基準室内の圧力と均一にするための調節用バルブを具備し、
当該調節用バルブは、基準室の圧力センサと基準室以外の室の圧力センサから得た圧力情報に基づいて制御されることを特徴とする圧力制御システム。 (もっと読む)


【課題】 特別な排気量調整部材を使用することなく簡易にチャンバからの排気量を変更することが可能な減圧乾燥装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 減圧乾燥装置は、蓋部11と、パッキング12と、基部13とから成るチャンバ10と、このチャンバ10における基部13に立設された支持ピン15と、昇降ピン21が立設された支持板22とを備える。チャンバ10における基部13には、排気口31が形成されている。この排気口31は、真空ポンプ34と接続されている。排気口31からの排気量は、支持板22の下面と排気口31におけるチャンバ10側の開口部との距離により変更される。 (もっと読む)


【課題】別途破砕装置を設けるような弊害がなく、しかも被乾燥物が白米等の澱粉系食品残渣でも乾燥処理することができる高効率の真空乾燥装置を提供する。
【解決手段】内部が真空状態で加熱される乾燥釜1と、被乾燥物3を攪拌するために乾燥釜1に設けられた攪拌機2とを具備し、真空状態で被乾燥物3を加熱すると共に攪拌して乾燥を行う真空乾燥装置である。攪拌機2で攪拌して乾燥する前に乾燥釜1に投入口4から投入された被乾燥物3を破砕する破砕機5を乾燥釜1内に設ける。この破砕機5にて被乾燥物3を破砕するとき破砕機5自体を加熱する破砕機加熱手段を設ける。そして被乾燥物3を破砕するとき加熱しながら破砕して一次乾燥をすると共に攪拌機2で攪拌しながら二次乾燥をする。 (もっと読む)


【課題】 突沸を生じることなく基板の主面に形成された薄膜を迅速に乾燥することが可能な減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持ピン21を支持板22とともに上昇させて基板Wの主面とチャンバ10の上面14との距離を小さくした状態で少量の排気量で排気を行った後、支持ピン21を支持板22とともに下降させて基板Wの主面とチャンバ10の上面14との距離を大きくした状態で多量の排気量で排気を行う。 (もっと読む)


141 - 160 / 171