【課題】加工対象物に分断の起点となる起点部を形成する際に、加工対象物にかかる押圧力を抑制すること。
【解決手段】第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７を透過させてＴＦＴ基板２に照射し、ＴＦＴ基板２内に改質領域Ｕ１ａ〜Ｕ３ａを形成するようにした。それゆえ、例えば、ＴＦＴ基板２に物理的にスクライブ溝を形成する方法と異なり、ＴＦＴ基板２に分断の起点となる起点部を形成する際に、ＴＦＴ基板２に押圧力がかかることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】長尺方向の長さが１ｍを越える、照射強度が均一な線上ビームを照射することができ、効率的なパターニング加工を行なうことができる、レーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源を含み、複数のレーザ光を出力するレーザ出力手段１０１と、複数のレーザ光をそれぞれ、長尺かつ長尺側発散光である長尺ビームに整形する光学系１０３，１０４と、長尺ビームをマスキングして所定の形状で透過させる複数のマスクスリット１０９と、レーザ光が照射される被照射物１１１の上面と平行な２次元方向に、マスクスリット１０９を移動させるマスクスリット移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ上に形成された低誘電率膜と配線との積層構造およびパッシベーション膜のうち、ダイシングストリートに対応する部分をレーザビームの照射により除去したとき、それらの除去面から欠落物が生じにくいようにする。
【解決手段】 半導体ウエハ２１の上面に４層の低誘電率膜４および同数層の配線５を交互に形成し、その上に窒化シリコン等からなるパッシベーション膜７を形成する。次に、ダイシングストリート２３に対応する領域におけるパッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５をレーザビームの照射により除去して溝２６を形成する。次に、溝２６内を含むそれらの上にポリイミド系樹脂等からなる保護膜９を形成する。これにより、パッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５のレーザビームの照射による除去面が保護膜９によって覆われるので、当該除去面から欠落物が生じるのを可及的に早い段階で確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザビームを用いたスクライブラインの形成において、レーザビームの相対移動速度を速くして脆性材料基板の割断処理効率を向上させる。また、垂直クラックが割断予定ラインから外れないようにする
【解決手段】脆性材料基板５０の割断予定ライン５１を挟んだ２つの位置にレーザビームＬＢ１，ＬＢ２をそれぞれ照射し、これらのレーザビームＬＢ１，ＬＢ２を基板５０に対して相対移動させることによって、基板５０を溶融温度未満で加熱し、基板５０に生じた熱応力によって基板５０の表面から略垂直方向にクラックを形成させて基板５０を割断する。ここで、基板５０に垂直クラックを迅速且つ確実に形成する観点からは、２つのレーザビームＬＢ１，ＬＢ２による加熱後、冷却ノズル３７から冷却媒体を基板５０に噴霧して冷却するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの波長を変えることなくスクライブラインの深さを調整できるようにする
【解決手段】脆性材料基板５０の表面と直交する垂線Ｌに対してレーザビームＬＢの相対移動方向にレーザビームＬＢの光軸を傾けて、レーザビームＬＢを脆性材料基板５０に照射する。ここで、脆性材料基板５０に垂直クラックを迅速且つ確実に形成する観点からは、レーザビームＬＢによる加熱後、冷却ノズル３７から冷却水を噴霧して脆性材料基板５０を冷却するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工時のデブリによる悪影響を防止するためのレーザ加工前の保護膜の形成工程およびレーザ加工後の保護膜の除去工程に要する時間を短縮して、品質を確保しながら製造速度の高速化を図る。
【解決手段】レーザ加工前にウェーハ１の表面に水溶性樹脂Ｐを塗布して保護膜Ｐ１を形成する際、塗布した樹脂Ｐに温風を吹き付けて樹脂Ｐの硬化を速める。また、レーザ加工後に保護膜Ｐ１を除去して洗浄する際には、洗浄水を温水に加熱して保護膜Ｐ１に供給し除去作用を促進させ、保護膜Ｐ１の除去後には、ウェーハ１に温風を吹き付けて乾燥を速める。 （もっと読む）

【課題】 エネルギ吸収効率の低い比較的透明な基板であっても、それに作り込まれたデバイス回路に熱的損傷を与えることなく、これに割断に必要な十分な深さのスクライブ線を形成すること。
【解決手段】 レーザ発振器をＱスイッチ駆動して得られるパルス状レーザビームを、前記基板と前記ビームとを相対的に移動させることにより、前記基板上の割断予定線上の基板端縁を一端とする所定微少区間に限って照射する第１のステップと、レーザ発振器を連続駆動して得られるＣＷレーザビームを、前記基板と前記ビームとを相対的に移動させることにより、前記基板上に設定される割断予定線上の一方の基板端縁から他方の基板端縁に至る全区間に亘って照射する第２のステップとを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】脆性材料基板に対して透過率の高いレーザビームを用いて、脆性材料基板をフルカットする場合において、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインの終端部まで垂直クラックが形成されるようにする。
【解決手段】レーザビーム４１の波長を、レーザビーム４１が脆性材料基板１を１〜９０％透過する波長とする。そして、レーザビーム４１を脆性材料基板１の表面側端まで相対移動させた後、さらに脆性材料基板１の側面に対してレーザビーム４１を厚み方向に相対移動させながら照射する。 （もっと読む）

【課題】被処理対象物が大面積であっても可能な設備や、プロセスと共に、大幅なコスト削減が可能なレーザーによる被処理対象物の処理装置及びその処理方法の開発。
【解決手段】複数のローラーを有する被処理対象物搬送用ローラー搬送手段と、被処理対象物を処理するためのレーザー加工装置とからなり、レーザー加工装置が、レーザー発振器とオートフォーカス機構とを有し、レーザー発振器にオートフォーカス機構が接続されて、レーザー発振器から発振されるレーザービームをオートフォーカス機構を介して被処理対象物の表面へ照射せしめて処理できるように構成されていること。この製造装置を用いて被処理対象物を処理する。 （もっと読む）

【解決手段】 レーザ加工装置１は、レーザ光Ｌを発振するレーザ発振器２と、高圧の液体を供給する液体供給手段１４と、上記液体を液柱Ｗにして噴射するとともに該液柱Ｗにレーザ光を導光して被加工物Ｐに照射する加工ヘッド３と、上記加工ヘッド３と被加工物Ｐとを相対移動させる移動手段としての加工テーブル５とを備えている。
上記レーザ発振器２が発振したレーザ光Ｌは、上記ビームホモジナイザ７を透過してから、上記噴射ノズル１２より噴射される液柱Ｗに導光され、該液柱Ｗを導光路として上記被加工物Ｐに照射されるようになっている。
【効果】 光起電用パネルを構成する薄膜にレーザ光を照射しても、発電に寄与しない熱影響部分の形成される範囲を小さくするとともに、分割溝の幅を狭くすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】レーザースクライブ法を利用することにより、薄膜太陽電池パネルにおける積層膜の周縁部をその下地層を含めて除去する方法及び薄膜太陽電池パネルの製造方法の提供。
【解決手段】下地層の形成された透明基板上に、透明電極膜、シリコン膜、及び金属膜からなる積層膜を有している薄膜太陽電池パネルの積層膜の周縁部に、出力２００Ｗ以上のＣＷレーザーから発振せしめたレーザービームを照射し、周縁部の全周に亘って積層膜をその下地層を含めて除去すること。このように周縁部の薄膜を除去して薄膜太陽電池パネルを製造する。 （もっと読む）

【課題】機器の構成を複雑にすることなく、加工対象物１を小さな力で分割出来るとともに、加工対象物１の分割断面の分割予定ライン３に対するずれを小さく抑えることの出来るレーザスクライブ方法及びレーザスクライブ装置を提供する。
【解決手段】照射エネルギーが所定値となる条件下でパルス幅が７００フェムト秒以上４．５ピコ秒以下でに設定されたレーザ光Ｌを、板状の加工対象物１の内部に合わせた集光点Ｐが加工対象物１の分割予定ライン３に沿って移動するように加工対象物１に照射することによって、分割予定ライン３に沿って多光子吸収による改質層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板のような透明体基板を分割できるだけの加工溝を確実に形成しつつ、チップ断面の溶融層を低減させて品質の低下を最小限に抑える。
【解決手段】ウエーハ１のストリート４に対して加工溝２１０が形成される加工領域Ｇと加工溝２１０より浅い浅溝２１１が形成される加工起点領域Ｈとを交互に設定し、ストリート４に沿ってレーザビームの照射点Ｐを走査させて加工溝２１０と浅溝２１１とを連続的に形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】大きな基板上に形成された薄膜を下側にして上側からレーザ加工する際に、基板が撓んでいても加工途中に焦点位置を制御せずに高い加工精度での加工を可能とする。
【解決手段】ガラス基板２の一方の面に形成された被加工層３にビームを照射して加工するビーム加工装置である。ビーム照射手段５０の対物光学装置５１は、ベッセルビームを照射するための軸状集光用光学素子５２として円錐形状レンズを備える。ベッセルビームは、軸状集光ビームであり、ビームの径、特に、中心の強度のピークとなる部分の径が円錐形状レンズからの距離が近い範囲では大きく変化しない。したがって、対物光学装置５１に対するビーム照射位置が基板の撓みにより変化しても、それをベッセルビームの焦点深度の範囲内として、加工中に焦点位置を変更するような制御しなくても、高い精度での加工を可能とする。 （もっと読む）

【課題】多数個取り用のセラミック焼結体に分割溝を確実に形成することができるセラミック部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、多数個取り用のセラミック焼結体を作製し、そのセラミック焼結体を分割することにより、前記複数のセラミック部品を個片化するセラミック部品の製造方法に関する。レーザ加工工程では、未焼結セラミック成形体５０に未焼結導体４９を接触させて配置した状態で、レーザ照射により未焼結セラミック成形体５０を加工することにより、分割溝５１，５２を形成する。レーザ加工工程の後に行われる焼成工程では、未焼結セラミック成形体５０及び未焼結導体４９を同時に加熱して焼結させてセラミック焼結体を得る。分割工程では、セラミック焼結体を分割溝５１，５２に沿って分割することにより、複数のセラミック部品を個片化する。 （もっと読む）

【課題】薄膜をカットするスクライブ処理により生じた粉体を容易に除去することを目的とする。
【解決手段】基板２に形成された薄膜に対してレーザ光を照射して、薄膜をカットするためにレーザ光を発振するレーザ光源１１と、薄膜をカットしたときに飛散する薄膜の粉体に対して紫外光を照射して、この紫外光を前記粉体に作用させるためのＵＶランプ１５とを備えている。薄膜をレーザ光によりカットするときに薄膜から上方に向けて飛散した粉体に対して紫外光を照射することにより、粉体を改質して薄膜とは異質の素材にする。薄膜に落下した改質済みの粉体はエアダクト１７により吸引除去されて容易に薄膜から除去することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハのデバイス層側面に形成された光デバイス等の損傷を抑制しながら基板層側面のストリートに沿ってレーザービームを照射して、外力によって分割できるだけのきっかけをウェーハに与えることができるレーザー加工方法の提供。
【解決手段】基板層w₁と複数のデバイスが形成されたデバイス層W₂とを含むウェーハWに対し、デバイスを区画する分割予定ラインSに沿ってレーザーを照射して加工を行うレーザー加工方法であって、レーザーの集光点位置f₁を基板層w₁の表面位置f₀から所定距離d₁離間させ、レーザーをデフォーカスして照射するレーザー加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置構成を複雑化することなく、少ないエネルギーで、より深いスクライブ溝を形成し、あるいはスクライブ速度を向上させる。
【解決手段】スクライブ方向に並ぶ複数のビームスポットＢＳ１，ＢＳ２を、互いに分離された状態でワークＷに対して形成するとともに、複数のビームスポットＢＳ１、ＢＳ２をスクライブ方向に移動させてワークＷにライン状のスクライブ溝ＳＬを形成するレーザスクライブ方法に関する。複数のビームスポットＢＳ１，ＢＳ２は、単一束のレーザ光ＬＢから得られるものである。 （もっと読む）

【課題】エキスパンド工程において、基材層を破損することなく半導体ウェハや接着剤層を個片化するのに好適なウェハ加工用接着シートを提供すること。
【解決手段】基材層、および該基材層表面に形成された接着剤層を有するシートであって、該基材層裏面が易滑性を有することを特徴とするウェハ加工用接着シート。 （もっと読む）

【課題】基板を分割する際の容易性及び断面精度を確保しつつ、作業効率の低下を抑止することが可能な基板分割方法及び該基板分割方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４にレーザ光を照射して、基板４の内部に、基板４の分割予定線に沿って改質領域ｒを形成して、改質領域ｒが形成された基板４に外力を加えることによって基板４を分割する基板分割方法であって、基板４の表面に亀裂を発生させる位置に、第一の改質領域ｒ１を形成する工程と、基板４に外力を加えた際に、基板４の表面に発生した亀裂を、基板４の裏面側に向かって垂直に伸びるように誘導する位置に、第二の改質領域ｒ２を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）