【課題】アルカリ性溶液と酸性溶液とに対する耐食性に優れ、それら溶液に頻繁に晒されるような過酷な環境下でも強度が低下しにくいセラミック多孔体を提供する。
【解決手段】１０〜２０質量％のＺｒＯ_２を含むガラス相と、ＺｒＯ_２粒子及びＳｉＣ粒子からなる群より選択される何れか一種の骨材粒子とを含むセラミック多孔体。 （もっと読む）

【課題】平均熱膨張係数（２３〜１５０℃）が２〜６ｐｐｍ／Ｋの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体、およびそれを用いた装置を提供する。
【解決手段】窒化珪素・メリライト複合焼結体は、窒化珪素及びメリライト（Ｍｅ_２Ｓｉ_３Ｏ_３Ｎ_４、Ｍｅは窒化珪素とメリライトを形成する金属元素）を含む複合焼結体であって、Ｓｉを、Ｓｉ_３Ｎ_４換算で４１〜８３モル％、Ｍｅを、酸化物換算で１３〜５０モル％、含有する。また、装置は、半導体検査用装置であって、そのような窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】従来技術のＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を製造する方法であって、（１）ＳｉＣ繊維表面に炭素、窒化ホウ素及び炭化ケイ素の少なくとも１種を含む被覆層が形成されてなる被覆ＳｉＣ繊維に対し、ＳｉＣ微粉末及び焼結助剤を含み、かつ、有機ケイ素高分子を含まないスラリーを含浸させることにより予備成形体を得る第１工程及び（２）前記予備成形体を加圧焼結させる第２工程を含むことを特徴とするＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料の製造方法に係る。 （もっと読む）

【課題】耐熱衝撃性に優れた窒化珪素結合ＳｉＣ耐火物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化珪素結合ＳｉＣ耐火物の製造方法は、扁平粒子のＳｉＣ粉末と、Ｓｉ粉末と、Ａｌ、ＡｌＮ、Ａｌ酸化物、Ｃａ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｆｅ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｚｒ酸化物から選択された少なくとも１種とを混合する工程を有することを特徴とし、前記ＳｉＣ粉末の初期かさ密度は、１．４０〜１．５５ｇ／ｃｍ^３であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム系焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化アルミニウム層を高い酸化レートで形成するための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素分圧が０．０００１〜０．０１ＭＰａ、水蒸気分圧が０．００１ＭＰａ以上の雰囲気に調整された条件下において、窒化アルミニウム系焼結体を１０００〜１５００℃の温度範囲で熱処理することにより、その表層を酸化させて酸化アルミニウム層を形成させるための熱処理工程を備える製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体の製法を提供する。
【解決手段】酸素を１．７重量％以下、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下、α相型窒化けい素を９０重量％以上含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３〜３．０重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度１７００〜１９００℃で焼結し、上記焼結温度から、１５００℃までの冷却速度を毎時１００℃以下にして徐冷することにより、粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合を２０％以上とすることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失が低く、高い強度を有するハニカムを製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素粉末、バインダ及び添加材を含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記原料組成物は、上記炭化ケイ素粉末として、炭化ケイ素粗粉末と上記炭化ケイ素粗粉末より平均粒子径（Ｄ５０）の小さい炭化ケイ素微粉末とを含むとともに、上記添加材として、金属酸化物粉末を含み、上記金属酸化物粉末の上記原料組成物中の配合量は、０．８〜４．０重量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、組成物Ｍ_１−ｙＡ_２−ｘＢ_ｘＯ_２−２ｘＮ_２＋ｘ：Ｅｕ_ｙから成り、ここで、Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、ｘ及びｙは、＞０から≦１までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にＬＥＤに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である２相組成物であることが分かった。
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【課題】窒化アルミニウム固有の特性を保持し、広い範囲で抵抗制御された窒化アルミニウム耐食性部材を提供する。
【解決手段】カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び酸素（Ｏ）を少なくとも含む連続化した粒界相を窒化アルミニウム内に形成することにより、窒化アルミニウム固有の特性を損なうことなく低抵抗化を実現できることを知見した。 （もっと読む）

【課題】 水に触れながら摺動する水潤滑下で優れた耐摩耗性を示す耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】 水潤滑下で使用される耐摩耗性部材において、前記耐摩耗性部材は、窒化けい素を７５〜９７質量％、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏの少なくとも１種を０．２〜５質量％、残部をＳｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物（ただし、Ｒは希土類元素）を主とする粒界相を有する窒化けい素焼結体を具備すると共に、前記Ｓｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物の焼結体内部の存在比率Ｍ１と表面の存在比率Ｍ２との比Ｍ２／Ｍ１が０．９〜１．１の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗率が低い窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】マイエナイト（mayenite）相を含有し、かつカルシウムを５００〜２００００ｐｐｍ含有することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体、ならびに１００質量部の窒化アルミニウム、およびカルシウム原子に換算して０．０１〜５．０質量部のカルシウム含有焼結助剤を含有する混合物を、中性雰囲気下、１５００〜１７００℃で、５０時間以上焼成することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、しかもチッピング幅の分布が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】下記条件（１）および（２）を充足する窒化アルミニウム粒子からなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 （１）Ｄ₉₀−Ｄ₁₀＝３．０〜６．０μｍ〔Ｄ₉₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積個数％が９０％のときの粒子径であり、Ｄ₁₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積個数％が１０％のときの粒子径である。〕 （２）平均粒子径（Ｄ_av）＝３．０〜７．０μｍ （もっと読む）

【課題】焼成炉内の雰囲気が窒化アルミニウム成形体に接触しないように遮断することが可能な窒化アルミニウムの焼成方法とその焼成用治具を提供する。
【解決手段】焼成用治具１ａはベース３ａとこのベース３ａの上部を覆う蓋部３ｂとからなり、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のいずれかを主成分とする坩堝３と、底板５と枠体６とからなり、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムなどの窒化物セラミックス又はモリブデン及びタングステンなどの高融点金属のいずれかを主成分とするセッター４とから構成され、枠体６は枠板片６ａ〜６ｃとから構成される。 （もっと読む）

本発明は、内容積を規定する底面および側壁を有する基体を含んでなる、溶融シリコンを処理するための坩堝に関する。本発明によると、基体は、少なくとも６５重量％の炭化ケイ素、酸化ケイ素または窒化ケイ素から選択される１２から３０重量％の成分を含んでなる。さらに、基体は、従来技術の坩堝とは反対に、少なくとも１つの酸化ケイ素および／または窒化ケイ素被膜を、少なくとも坩堝の内容積を規定する表面上に含み、そのような坩堝は、その物理的完全性の明らかな劣化なしに数回使用することができる。 （もっと読む）

【課題】反りが小さく、色ムラやシミの少ない半導体用ホウ素ドープ材の製造が可能となる窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】比表面積５〜１５ｍ２／ｇ、酸素量１質量％以下の窒化ホウ素粉末４８〜８９質量％と、比表面積２５〜６０ｍ２／ｇ、酸素量２質量％以下の窒化ホウ素粉末１０〜４８質量％と、ホウ酸カルシウム粉末１〜４質量％とを含む混合粉をホットプレス焼結することを特徴とする窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明においては、窒化ホウ素焼結体が、窒化ホウ素９６〜９９質量％、酸化カルシウム０．４〜２質量％、酸化ホウ素０．５〜３質量％を含み、密度が１．７〜２．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。また、窒化ホウ素焼結体が、ＢＮウェハの製造に用いるものであることが好ましい。 （もっと読む）

第一の光を放射するための光源と、580から1000ｎｍの波長範囲において光に対する10％から80％の透過率を有するCaAlSiN光変換材料を含んだ、第一の光の少なくとも一部を第二の光に変換するための光変換層を有する発光デバイス。 （もっと読む）