【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 微細な細孔をもつＳｉＣセラミックスを提供すること。
【解決手段】 本発明のＳｉＣセラミックスは、ＪＣＰＤＳカード番号で０４９−１４２８と規定された結晶相をもつＳｉＣよりなり、異なる粒径をもつＳｉＣ粒子よりなるＳｉＣ粉末と、ＳｉＣ粉末を構成するＳｉＣ粒子同士を結合し、ＳｉＣ粒子を構成するＳｉＣとは結晶相が異なるＳｉＣよりなる結合材と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、窒化ホウ素焼結体及び複合焼結体に緻密な表面層等を形成することにより、表面から発生するコンタミネーションを抑制することによって、クリーンな雰囲気が求められる条件下でも使用可能とする。
【解決手段】 相対密度が６５〜９０％の窒化ホウ素焼結体又は相対密度が６５〜９０％で窒化ホウ素を３０質量％以上含む複合焼結体に、セラミックス粉スラリーを３０〜３００ＭＰａで圧入し、焼成することを特徴とする成形体の製造方法。セラミックスラリーがリン酸アルミニウムのスラリーであり、６００〜１０００℃で焼成する成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高負荷切削条件、高能率切削条件下でも、欠損が発生せずに安定した加工ができる長寿命の立方晶窒化硼素焼結体工具の提供を目的とする。
【解決手段】立方晶窒化硼素の平均粒径の５倍以上を基準長さＳとし、チャンファホーニング面の基準長さＳに含まれる立方晶窒化硼素の断面曲線の長さの合計をＬＣＣと表し、チャンファホーニング面の基準長さＳに含まれる結合相の断面曲線の長さの合計をＬＣＢと表し、ＬＣＢに対するＬＣＣの比をＰＣ（ＰＣ＝ＬＣＣ／ＬＣＢ）と表し、丸ホーニング面の基準長さＳに含まれる立方晶窒化硼素の断面曲線の長さの合計をＬＲＣと表し、丸ホーニング面の基準長さＳに含まれる結合相の断面曲線の長さの合計をＬＲＢと表し、ＬＲＢに対するＬＲＣの比をＰＲ（ＰＲ＝ＬＲＣ／ＬＲＢ）と表したとき、ＰＣに対するＰＲの比（ＰＲ／ＰＣ）は、１．２≦ＰＲ／ＰＣ≦８．０を満たす立方晶窒化硼素焼結体工具。 （もっと読む）

【課題】 耐熱衝撃性に優れたハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 本発明のハニカム構造体１は、セラミックス粒子と、セラミックス粒子同士を結合する結合材と、を有する多孔質セラミックスよりなるハニカム構造体１であって、セラミックス粉末は、１０％粒径（Ｄ１０）と９０％粒径（Ｄ９０）との間隔が１０μｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気孔率を十分に低減し、十分な強度を有する新規な炭化ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】炭化珪素ー炭素成形体を形成し、該成形体に対して溶融シリコンを含浸させシリコン含浸炭化珪素ー炭素成形体を形成し、前記シリコン含浸炭化珪素ー炭素成形体を非酸化性雰囲気で焼結し、炭化ケイ素、シリコン、二酸化ケイ素の３相を含み、前記シリコンはネットワーク状に連続して存在するようにして炭化ケイ素複合材料を構成する。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失が低く、高い強度を有するハニカムを製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素粉末、バインダ及び添加材を含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記原料組成物は、上記炭化ケイ素粉末として、炭化ケイ素粗粉末と上記炭化ケイ素粗粉末より平均粒子径（Ｄ５０）の小さい炭化ケイ素微粉末とを含むとともに、上記添加材として、金属酸化物粉末を含み、上記金属酸化物粉末の上記原料組成物中の配合量は、０．８〜４．０重量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設けてなるもので、多孔質層５上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

本発明は、固体粒子の懸濁物を含む、耐久性のある強固に接着する剥離層を基体上に製造するための泥漿であって、この固体粒子は、６７−９５重量％の窒化ケイ素および５−３３重量％のＳｉＯ_２ベースの高温バインダーを含み、このＳｉＯ_２ベースの高温バインダーはＳｉＯ_２前駆体から誘導され、かつ３００−１３００℃の温度範囲での熱処理によって前処理されたものである、泥漿に関する。本発明はさらに、耐久性のある強固に接着する剥離層を有する基体を含む成形体、およびそれらを製造するためのプロセスを提供する。本発明の成形体は、腐食性非鉄金属融液の分野での使用に適している。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
【解決手段】プラズマエッチングチャンバの平均洗浄間隔時間及びチャンバパーツの寿命を延ばす方法が提供される。イオン衝撃及び／又はイオン化ハロゲンガスに曝される少なくとも１つの焼結窒化シリコン構成部品を使用しつつ、チャンバ内において一度に１枚ずつ半導体基板がプラズマエッチングされる。焼結窒化シリコン構成部品は、高純度の窒化シリコンと、二酸化シリコンからなる焼結助剤とからなる。焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理時のシリコン基板の表面上における金属汚染を軽減する方法が、１つ又は２つ以上の焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理装置によって提供される。プラズマエッチングチャンバ内においてイオン衝撃及び／又はプラズマ浸食に曝される構成部品を製造する方法は、高純度の窒化シリコンと二酸化シリコンとからなる粉末組成を成形することと、該成形構成部品を緻密化することとを含む。 （もっと読む）

【課題】耐火物の耐食性と強度を更に高めることのできる窒化珪素鉄粉末と、それを用いた耐火物、特に出銑樋材や高炉出銑口閉塞用マッド材などとして適した耐火物を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が0.5〜250ｍ²/gの炭素粉を5〜20質量％を含有してなることを特徴とする窒化珪素鉄粉末である。更に、該窒化珪素鉄粉末と、耐熱性骨材と、炭素粉末及び／又は加熱によって炭素となる有機バインダーとを含有してなることを特徴とする耐火物である。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、組成物Ｍ_１−ｙＡ_２−ｘＢ_ｘＯ_２−２ｘＮ_２＋ｘ：Ｅｕ_ｙから成り、ここで、Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、ｘ及びｙは、＞０から≦１までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にＬＥＤに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である２相組成物であることが分かった。
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【課題】高耐久性炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質炭化ケイ素焼結体を酸化防止液に含浸させ、多孔質炭化ケイ素焼結体の気孔に酸化防止液を充填させる工程と、酸化防止液を乾燥させ多孔質炭化ケイ素焼結体内部及び表面に熱膨張係数が炭化ケイ素に近似する酸化防止膜を形成する工程と、を含む高耐久性炭化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも７０体積パーセントの量で存在する立方体窒化ホウ素粒子の多結晶塊と、性質上金属であるバインダ相とを含む立方体窒化成形体に向けられる。本発明は、バインダ相が好ましくは性質上超合金である成形体に及ぶ。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、相対的に低温領域である６００℃以下の温度領域において、二珪化モリブデンの過度な酸化による低温劣化現象を改善する。
また、本発明は、フリット成分から生じる高温加工性を良好にし、複雑な形状を一層容易に製造することができ、二酸化ケイ素などのフリット成分を原料の合成段階で添加することで、成形のための二珪化モリブデン粉末の混合工程を減らすか、混合効率の向上によって工程時間を短縮する。
さらに、本発明は、電気伝導性を向上させる物質を二珪化モリブデン組成物に添加することで、電気抵抗性の過度な増加を補償する。
【解決手段】モリブデン（ＭｏＳｉ_２）とケイ素（Ｓｉ）とのモル比が１：２.０１〜１：２.５の範囲である二珪化モリブデン組成物を構成する。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】摩耗や損傷が生じにくく、長寿命な窯炉用構造部材を提供する。
【解決手段】熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、強度が５０ＭＰａ以上、ヤング率が２００ＧＰａ以上、見掛け気孔率が１０％以下のセラミックス材料からなる窯炉用構造部材であって、当該セラミック材料は、炭化珪素、窒化珪素、炭化珪素と窒化珪素との複合材料、炭化珪素と珪素との複合材料、及び炭化珪素と珪素化合物との複合材料の内の何れかである。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料を研削、研磨することなく製造可能で、かつ前記成形面に離型剤による膜あるいはクロム含有化合物の焼結体を形成することなく、良好な形成を備えた光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子を成形するための成形面を備えた光学素子用成形型において、窒化ホウ素、窒化硅素及び窒化アルミニウムより成る群から選択された１種以上およびアルミナゾル、シリカゾルより成る群から選択された１種以上の結合剤を含み、焼結温度以下の温度で焼成して構成される光学素子用成形型。 （もっと読む）

【課題】気孔径のバラツキが小さく、高い強度を有するハニカム構造体を製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも炭化ケイ素粉末とバインダと添加材とを含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体を作製し、ハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記添加材は、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、マグネシア、及び、これらのいずれかを含む複合体のうちの少なくとも１種であることを特徴とする。 （もっと読む）