【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】 高い熱伝導率を有し、しかも切削加工性の良い窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 硬度が２１０００Ｐａ、平均粒径が４〜９μｍの窒化アルミニウム結晶粒を有する窒化アルミニウム焼結体であり、上記焼結体は、窒化アルミニウム結晶粒の三重点に、平均粒径が０．５〜２μｍであり、好ましくは、Ｙ_２Ｏ_３を単一化合物として有する焼結助剤含有相を、焼結体中におけるＹの割合が １．４〜３．５質量％となる割合で有する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム系焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化アルミニウム層を高い酸化レートで形成するための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素分圧が０．０００１〜０．０１ＭＰａ、水蒸気分圧が０．００１ＭＰａ以上の雰囲気に調整された条件下において、窒化アルミニウム系焼結体を１０００〜１５００℃の温度範囲で熱処理することにより、その表層を酸化させて酸化アルミニウム層を形成させるための熱処理工程を備える製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主体として、ＲＥ元素化合物（ただし、ＲＥはイットリウムまたは希土類元素の少なくとも一方の元素）とマグネシウム化合物とを含む窒化珪素質焼結体の表面に、前記ＲＥ元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％の範囲内で一定であり、かつ前記マグネシウム元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％よりも少ない表面領域が存在する窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを３〜４重量％、少なくとも１種の希土類元素の酸化物を２〜５重量％を合計５〜８ｗｔ％になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で０．５〜６．０ｋＰａの荷重を印加しながら１５５０〜１７００℃で熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム（Ｙ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、表面におけるＭｇ量の分布を示す変動係数が０．２０以下であり、反りが２．０μｍ／ｍｍ以下の窒化珪素基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】塗着効率を損なうことなく、火花放電や絶縁破壊を抑制することが可能な静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法。（イ）少なくとも放出端は、焼結温度Ｔ₁、電気比抵抗ρ₁の絶縁性セラミックスと、焼結温度Ｔ₂（Ｔ₁＜Ｔ₂）、電気比抵抗ρ₂（ρ₁＞ρ₂）の導電性セラミックスとの複合体からなる。（ロ）導電性セラミックス含有量は、９〜１１ｗｔ％である。（ハ）絶縁性セラミックスの平均粒径（Ｄ₁）は、０．５〜１０μｍである。（ニ）導電性セラミックス／絶縁性セラミックスの粒径比（Ｄ₂／Ｄ₁）は、１／８００〜１／５である。（ホ）静電塗装用回転霧化頭は、抵抗値が１０⁶〜１０¹²Ωである。（ヘ）絶縁性セラミックス粒子の周囲に、導電性セラミックス粒子が０．１〜２．０μｍの間隔で不連続に分散し、導電パスを形成している。 （もっと読む）

【課題】焼結体の粒子体積とアスペクト比を最適化することで耐摩耗性に優れた窒化けい素セラミックスを提供する。
【解決手段】窒化けい素の粒子に焼結助剤を加えて成型体とし、その成型体を焼結して得られる窒化けい素系セラミックスにおいて、焼結後の窒化けい素の粒子のアスペクト比を１．８以上、かつ粒子体積を０．１μｍ³以下としたものである。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導性で、優れた精密加工性を持ち、シリコンに近い熱膨張を示す半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４４質量％、窒化アルミニウム５４〜６０質量％、イットリアを含む焼結助剤１〜４質量％かつ相対密度９２％以上のＢＮ−ＡlＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。熱伝導率７０Ｗ／ｍＫ以上、熱膨張係数２．５〜３．５ｐｐｍ／Ｋ、ショア硬度４５〜５８であるプローブ案内部材。 最大粒径１０μｍ以下の窒化アルミニウム、ＧＩ値３〜１０の窒化ホウ素、イットリア１〜３質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜３０ＭＰａ、温度１，７５０〜１，９００℃、保持時間１〜３時間のホットプレス焼成を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】表面積が広く薄肉の窒化アルミニウム成形体、あるいは複雑形状の窒化アルミニウム成形体を製造する場合であっても、流動性が高く、脱脂性に優れ、グリーン成形体を作製した場合に保形性が良好である射出成形用窒化アルミニウム組成物を提供すること。
【解決手段】下記条件（１）および（２）を満たす窒化アルミニウム粉末１００重量部、エチレン・酢酸ビニル共重合体３〜１５重量部、ワックス３〜１２重量部、および高級脂肪酸０．５〜５重量部を含有することを特徴とする射出成形用窒化アルミニウム組成物。
（１）Ｄ₉₀／Ｄ₁₀≦３．５
（２）Ｄ₅₀≦１．０μｍ
〔Ｄ₉₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が９０％のときの粒子径であり、Ｄ₁₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が１０％のときの粒子径であり、Ｄ₅₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が５０％のときの粒子径である。〕。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を低減する方法及び静電チャックを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰囲気のような、窒素が不足している雰囲気中で少なくとも約１０００℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。物体は、多結晶質体のような緻密化された物である。静電チャックはチャック体内に電極１２を有する。電極１２の第１の面１４における、チャック体の第１の部分２０は約２３℃で約１×１０¹³ohm・cmより小さい体積比抵抗を有する。電極１２の第２の面１６における、物体の第２の部分２２は、第１の部分２０と１桁違う大きさの範囲内の体積比抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】 希土類金属（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算量で０．１〜３質量％、アルミニウム（Ａｌ）をＡｌ_２Ｏ_３換算量で０〜０．６質量％、マグネシウム（Ｍｇ）をＭｇＯ換算量で０〜１質量％、酸素を０〜２．５質量％の割合で含有する窒化珪素質焼結体からなる基体の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ａＷ_ｂＳｉ_ｃＭ_ｄ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙから選ばれる１種以上であり、０．４５≦ａ≦０．５５、０．０１≦ｂ≦０．１、０≦ｃ≦０．０５、０．０１≦ｄ≦０．１、０≦ｘ≦１である。）の被覆層が被着形成されている切削工具である。 （もっと読む）

【課題】焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現する。
【解決手段】本願発明の発明者は、鋭意研究を重ねた結果、炭化ケイ素粉末と燃結助剤を含むスラリーにフェノールを添加することにより、焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現できることを知見した。具体的には、発明者は、炭化ケイ素粉末重量の８〜１６％の範囲内のフェノールを添加することにより、炭化ケイ素焼結体の密度が上がり、プラズマ耐性が１０〜８０％の範囲内向上することを知見した。これは、スラリーにフェノールを添加することにより、焼結性が向上し、燃結助剤によってガラス相が生成されることにより、炭化ケイ素焼結体中の気孔率が減少したためであると推察される。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失が低く、高い強度を有するハニカムを製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素粉末、バインダ及び添加材を含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記原料組成物は、上記炭化ケイ素粉末として、炭化ケイ素粗粉末と上記炭化ケイ素粗粉末より平均粒子径（Ｄ５０）の小さい炭化ケイ素微粉末とを含むとともに、上記添加材として、金属酸化物粉末を含み、上記金属酸化物粉末の上記原料組成物中の配合量は、０．８〜４．０重量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温における全放射率が高く、基板載置装置に適した窒化アルミニウム焼結体を提供し、また、高温域においても充分な熱応答性を有する低パーティクル性の基板載置装置を提供する。
【解決手段】２００℃における全放射率が６０％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体を用いた基板載置装置。発熱抵抗体を備える基体と、前記基体の表面に形成された突起部と、を具備する基板載置装置であって、前記基体の２００℃における全放射率が６０％以上である。 （もっと読む）

【課題】亀裂の発生を抑制して靱性の高い表面硬化高強度セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ、ムライト、TiO₂、ZrO₂、Si₃N₄、SiC及びAlNの群から選ばれる１種以上の無機材料からなるマトリクスに炭化物の微細粒子を１vol％以上分散させた複合焼結体又は前記炭化物単体の焼結体を、１０００〜１４００℃で１〜３００時間の範囲内で熱処理後、電子線を照射して表面を硬化してなる表面硬化高強度セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】 母基板の熱伝導率を向上できる回路基板およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で全量中０．３〜１．５質量％添加した混合粉末を成形し、焼成し、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有せしめて作製される。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ基板の高放熱特性を活かした上で、金属薄膜との密着性や金属薄膜の形成精度等を向上させることによって、マイクロ波集積回路等の薄膜デバイスの信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜５μｍの範囲で、かつ粒径分布の標準偏差が２μｍ以下であり、かつ常温での熱伝導率が１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるＡｌＮ焼結体を作製する。ＡｌＮ焼結体の表面を、加工後の表面のスキューネスＲskが−１以上となるように中仕上げ加工する。中仕上げ加工されたＡｌＮ焼結体の表面を、算術平均粗さＲaが０．０５μｍ以下となるように鏡面加工し、加工表面のスキューネスＲskを０以上１以下に仕上げ加工する。ＡｌＮ基板の加工表面上に金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】安価でありながら、十分な耐久性を安定して確保することが可能なβサイアロン焼結体からなる摺動部材とその製造方法、および当該摺動部材を備えた摺動装置を提供する。
【解決手段】摺動装置である球面滑り軸受１を構成する摺動部材である外輪１１および内輪１２は、Ｓｉ_６−ＺＡｌ_ＺＯ_ＺＮ_８−Ｚの組成式で表され、０．１≦ｚ≦３．５を満たすβサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成されている。そして、内輪１２および外輪１１と接触する面である外輪滑り面１１Ａおよび内輪滑り面１２Ａを含む領域には、内部１１Ｃ，１２Ｃよりも緻密性の高い層である外輪緻密層１１Ｂおよび内輪緻密層１２Ｂが形成されている。 （もっと読む）