【課題】アルミナと同等以上の耐食性や体積抵抗率を有しながらアルミナより高い熱伝導率を有する新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム基複合材料は、遷移金属、アルカリ金属、ホウ素の各元素がそれぞれ１０００ｐｐｍ以下であり、熱伝導率が４０〜１５０Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数が７．３〜８．４ｐｐｍ／℃、体積抵抗率が１×１０¹⁴Ωｃｍ以上であり、構成相として、ＡｌＮとＭｇＯとを含み、更に、希土類金属酸化物、希土類金属−アルミニウム複合酸化物、アルカリ土類金属−アルミニウム複合酸化物、希土類金属酸フッ化物、酸化カルシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。 （もっと読む）

【課題】より短時間で、しかもより低温での焼成反応を行えばよい窒化ケイ素フィルターの製造方法及び窒化ケイ素フィルターを提供する。
【解決手段】ケイ素を含む原料を主成分とすると共に、造孔剤を含む原料を、所定の配合によって混合及び成形を行った後、その成形物を窒素中において反応焼結を行う窒化ケイ素フィルターの製造方法であって、前記材料中にジルコニウムを含む原料を混入させて、窒素中で窒化反応のための第１段焼成を行った後、その第１段焼成より高温で焼結反応のための第２段焼成を行う。 （もっと読む）

【課題】グリーンシートを複数枚積層して焼成する製造方法を用いた場合に、信頼性の高い窒化珪素基板を得る。
【解決手段】窒化ホウ素からなる分離材を介して複数枚のグリーンシートを積層してから焼成することによって複数枚の窒化珪素焼結体を同時に得た後に当該窒化珪素焼結体を分離し、切断することによって得られた、Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とする窒化珪素基板であって、算術平均粗さが０．３μｍ以上であり、基板表面の残留ＢＮに由来するＢの蛍光Ｘ線強度とＳｉの蛍光Ｘ線強度の比（Ｂ／Ｓｉ）を５×１０^−５〜２×１０^−３とする。 （もっと読む）

【課題】強度や破壊靭性などの機械特性に優れるだけでなく、摺動特性などを主とする耐摩耗特性、特にＳｉＣ系耐摩耗材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系耐摩耗材料を、気孔率が２％以上かつ６％未満、気孔径は２μｍ以下とし、構成するＳｉＣ粒子の平均結晶粒子径が５μｍ以下であるとともに、ビッカース硬度が１７００以上かつ２０００以下となるようにする。このＳｉＣ系耐摩耗材料は、原料となるＳｉＣ粉末におけるＳｉＣ純度、ＳｉＣの結晶相およびＳｉＣの一次粒子径を制御することにより、得ることができる。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性及び高熱伝導性に優れた光学装置の部品に好適なセラミックス部材を提供する。
【解決手段】窒化珪素焼結体からなり、室温の熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、室温から１０００℃までの熱膨張係数が３．４×１０^−６／Ｋ以下、L＊ａ＊ｂ＊表色系における明度L＊が０〜８０の範囲であることを特徴とするセラミックス部材。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色度ａ＊が−３〜３、色度ｂが−３〜３である。露光装置用ステージ機構において、例えば、ステージ部品１や、位置測定用のミラー部品４、５等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導でシリコンに近い熱膨張係数、かつ精密加工性が良好で、工具摩耗の少ない半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４９質量％、窒化アルミニウム４９〜６０質量％、イットリア１〜４質量％を含有し、相対密度９２％以上かつ窒化アルミニウム結晶粒子の長径の平均が２．０〜３．２μｍであるＢＮ−ＡｌＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。平均粒径１．２μｍ以下、比表面積２．０ｍ^２／ｇ以上の窒化アルミニウム４９〜６０質量％、比表面積２０ｍ^２／ｇ以上の窒化ホウ素３７〜４９質量％、イットリア１〜４質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１，６４０〜１，７８０℃、保持時間１〜４時間のホットプレス焼結を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】摺動特性、強度や破壊靭性などの機械的特性に優れるとともに、脆化を抑制してＳｉＣ粒子の脱落などを防止してなる、ポンプなど液体を用いる回転機器での液体軸封装置として用いられるメカニカルシール装置、並びにこのメカニカルシール装置に用いるＳｉＣ系焼結体リング及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シートリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が５．０％以下、平均気孔径が２．０μｍ以下であって、比抵抗が室温で１Ω・ｃｍ以下であるＳｉＣ系焼結体リングとする。このリングはＳｉＣ純度が９７％以上であるとともに３Ｃ結晶を９２％以上含有するＳｉＣ原料粉末を造粒・成形した後で、加圧焼結法による圧力環境下で焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】特に金属溶湯に接触する溶湯部材に好適な耐熱衝撃性に優れた窒化珪素焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主成分とし、マグネシウム及びイットリウムを酸化物換算で合計０．１〜１０質量％、鉄を酸化第二鉄換算で０．１〜０．５質量％含み、Ｙ_２Ｏ_３／ＭｇＯで表されるモル比が０．０１〜０．１０であって、室温の熱伝導率が７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、３点曲げ強度が７００ＭＰａ以上であることを特徴とする窒化珪素焼結体。室温から１０００℃までの熱膨張係数が３．４×１０^−６／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】平均熱膨張係数（２３〜１５０℃）が２〜６ｐｐｍ／Ｋの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体、およびそれを用いた装置を提供する。
【解決手段】窒化珪素・メリライト複合焼結体は、窒化珪素及びメリライト（Ｍｅ_２Ｓｉ_３Ｏ_３Ｎ_４、Ｍｅは窒化珪素とメリライトを形成する金属元素）を含む複合焼結体であって、Ｓｉを、Ｓｉ_３Ｎ_４換算で４１〜８３モル％、Ｍｅを、酸化物換算で１３〜５０モル％、含有する。また、装置は、半導体検査用装置であって、そのような窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１３００〜１４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能な耐熱耐摩耗部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、相対密度９７％以上かつＳｉＣの最大粒子径が４．０μｍ以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用耐熱耐摩耗部材。１４００℃の窒素ガス中で６時間加熱した後の減量が０．１質量％以下、かつ耐ブラスト性試験が０．０５質量％/回以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化層が形成された窒化アルミニウム基板を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化アルミニウム層２の表面に酸化層３が形成されており、酸化層３は窒化アルミニウム結晶粒子４を含有し、酸化層３中の酸化アルミニウム成分の総含有量に基づいて、酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みを算出したときの厚みが５〜１００μｍになる酸化層を有する窒化アルミニウム基板。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤が均一に分散された構造欠陥の少ない窒化アルミニウム焼結体を得ることが可能で、生産性に優れる成形用樹脂組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】焼結助剤を、平均粒子径０．１〜５μｍ、最大粒子径２０μｍ以下の状態で含有する、該焼結助剤と熱可塑性樹脂との予備分散物を調製し、次いで、該予備分散物と、熱可塑性樹脂及び窒化アルミニウム粉末とを溶融混練して、上記熱可塑性樹脂、窒化アルミニウム粉末及び焼結助剤を含有する組成物を得ることを特徴とする成形用樹脂組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性を保有して構造材料としての特性に優れたサイアロンを電磁気材料として、磁気的特性を保有する電磁気材料の機械構造的特性を一層向上させたサイアロン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁性を保有するサイアロンの製造方法であって、窒化珪素、窒化アルミニウム、アルミナ及び希土類酸化物を混合する段階；及び前記混合物を窒素雰囲気で焼結する段階；を含み、サイアロンが０．１５〜０．２４ｅｍｕ／ｇの飽和磁化値の範囲を表すようにする。 （もっと読む）

【課題】特定の複合部材と金属部材との摺動面の間に炭化水素燃料が介在することにより、両部材の摩耗が抑えられる摺動構造を提供する。
【解決手段】本発明の摺動構造は、セラミックス（窒化ケイ素、サイアロン等）に繊維状カーボン（カーボンナノファイバー、カーボンナノチューブ）を分散させた複合材料からなる複合部材と、金属部材（軸受鋼等）とが、互いに摺動する摺動構造（内燃機関に燃料を供給する燃料供給用部品等）において、複合部材と金属部材の各々の摺動面の間に、１０^−５〜２×１０^−４質量％の水を含有する炭化水素燃料（パラフィン系炭化水素燃料等）が介在している。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素本来の高強度・高靭性特性に加えて所定の電気抵抗値（導電性）を有し、特に摺動特性が優れた窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素を１．７質量％以下、α相型窒化けい素を９０質量％以上含有する平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、炭化けい素を１２〜２８質量％、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂの炭化物からなる群より選択される少なくとも１種をけい化物換算で３〜１５質量％、希土類元素を酸化物に換算して２〜１０質量％、アルミニウムを酸化物に換算して２〜１０質量％、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ、からなる群より選択される少なくとも１種を酸化物に換算して５質量％以下添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、非酸化性雰囲気下で１６５０〜１８５０℃の温度で焼結することにより前記炭化物がけい化物になることを特徴とする窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】回路基板用窒化珪素セラミックス基板に適切な表面状態を付与することにより密着性、放熱性、耐圧性能（部分放電特性含む）を改善した窒化珪素回路基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板に金属回路板をろう付け接合した窒化珪素回路基板であって、窒化珪素基板の接合面は算術平均粗さＲａが、Ｒａ＜１μｍ、最大高さＲｙが、Ｒｙ＜１０μｍ、粗さ曲線から求めたスキューネスＲｓｋが、１＞Ｒｓｋ＞０であり、ろう付け接合界面のボイドの面積率が３％以下である窒化珪素回路基板。 （もっと読む）

【課題】従来技術のＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を製造する方法であって、（１）ＳｉＣ繊維表面に炭素、窒化ホウ素及び炭化ケイ素の少なくとも１種を含む被覆層が形成されてなる被覆ＳｉＣ繊維に対し、ＳｉＣ微粉末及び焼結助剤を含み、かつ、有機ケイ素高分子を含まないスラリーを含浸させることにより予備成形体を得る第１工程及び（２）前記予備成形体を加圧焼結させる第２工程を含むことを特徴とするＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料の製造方法に係る。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板、パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４及びβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分４よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域部５を有するとともに、該Ａｌ多領域部５が希土類元素を含有する被覆層６で覆われていることを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】切削温度（刃先部最高温度）を低下させるのに十分な高い熱伝導率を有すると同時に、切削工具に要求される高硬度、高強度などの特性を満たす焼結体の提供。
【解決手段】６０体積％以上９９体積％以下のＷＣと、１体積％以上４０体積％以下のＡｌＮ−Ｙ₂Ｏ₃混合物とを含み、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することを特徴とする焼結体。 （もっと読む）

本明細書において、窒化アルミニウム製バッフルに関する方法及び装置が提供される。幾つかの実施形態において、半導体プロセス・チャンバで用いるためのバッフルが、窒化アルミニウムと金属酸化物結合剤とを含む本体を含むことができ、本体の表面上における金属酸化物に対する窒化アルミニウムの比は、該本体内における該比より大きいか又はこれと等しい。幾つかの実施形態において、本体は、中央ステムと、該中央ステムの下部に結合され、そこから半径方向外方に延びる外側環とを有することができる。幾つかの実施形態において、バッフルを製造する方法は、アルミニウム、窒素、及び金属酸化物結合剤を焼結して、その表面上に過剰な金属酸化物結合剤が配置されたバッフルの本体を形成し、表面から過剰な金属酸化物結合剤のバルクを除去するステップを含むことができる。 （もっと読む）