【課題】多くの不純物酸素を含む低品位のケイ素粉末を出発原料として用いることができ、従来の成形、焼成プロセスを用いて、優れた機械特性と高熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造し、パワーモジュール用基板に適した高熱伝導窒化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末に、ケイ素を窒化ケイ素に換算した際の比率において、０．５〜７ｍｏｌ％の希土類元素の酸化物と、１〜７ｍｏｌ％のマグネシウム混合物とを、上記ケイ素粉末に含まれる不純物酸素とマグネシウム化合物からの酸素との総量が０．１〜１．８質量％となるように混合し、該混合物を成形して窒化し、得られた窒化体を０．１ＭＰａ以上の窒素中で加熱して相対密度が９５％以上になるように緻密化し、得られた板状の窒化ケイ素焼結体の少なくとも一方の面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムのうち少なくとも一種の金属元素を含むろう材を用いて金属板を接合する。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を持つ高熱伝導窒化ケイ素セラミックス、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末の反応焼結を利用して合成した反応焼結窒化ケイ素焼結体であって、β相窒化ケイ素を主成分とし、Ｙ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｓｍの少なくとも一種を酸化物に換算して０．５〜７ｍｏｌ％含有し、Ｍｇの存在量が酸化物に換算して２ｍｏｌ％以下であり、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率、６００ＭＰａ以上の３点曲げ強度、及び予き裂導入破壊試験法で測定した破壊靱性が７ＭＰａｍ^１／２以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体、その製造方法、及びその応用製品。
【効果】低品位のＳｉ原料を含む多様なＳｉ原料粉末を出発原料として用いることが可能で、しかも優れた特性を有する窒化ケイ素焼結体を低コストで合成できる。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体の粒界強度の低下を極力防ぐことにより、パーティクルの発生の少ない、すなわち発塵性の少ないサセプタを提供する
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するゲルマニウムとイオウの量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のゲルマニウムの含有量が１００ｐｐｍ以下であり、かつイオウの含有量が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】色むらのない窒化アルミニウム焼結体、並びに、それを用いた窒化アルミニウム回路基板及びモジュールを提供する。
【解決手段】空気中にて、温度５００〜７００℃、処理時間６時間以内の条件で酸化処理が施された窒化アルミニウム粉末を原料とする窒化アルミニウム焼結体であり、窒化アルミニウムが直接窒化法により合成された前記窒化アルミニウム焼結体である。さらに、前記窒化アルミニウム焼結体を用いてなる窒化アルミニウム回路基板であり、前記窒化アルミニウム回路基板を用いてなるモジュールである。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して加工性が高く、かつ窒化アルミニウムの優れた特性を生かすことができる窒化アルミニウム含有物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム含有物の製造方法は、窒素雰囲気下で、アルミニウムと窒化ホウ素を同一の容器内で加熱して前記アルミニウムを溶融することにより、窒化アルミニウムとアルミニウムを含有する塊状の窒化アルミニウム含有物を生成する工程と、前記塊状の窒化アルミニウム含有物の形状を加工する工程と、前記加工された窒化アルミニウム含有物を窒素雰囲気下で加熱処理することにより、前記窒化アルミニウム含有物が含有するアルミニウムの一部を窒化させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 １６００℃以下の温度下でも焼結体になるような窒化アルミニウム粉末を製造し、密度および熱伝導性が高く、基板材料として好適に使用できる窒化アルミニウム焼結体を得る。
【解決手段】 気相反応装置１を用い、加熱帯２により３００〜６００℃に加熱保持した反応器３に流量調節計４での調節下に供給管６からアンモニアガスを導入し、同時に流量調節計５での調節下に供給管７から有機アルミニウム化合物を含む窒素ガスを導入して窒化アルミニウム凝集粉末Ａを得、これを還元性ガス雰囲気および／または不活性ガス雰囲気下に８００〜１１００℃で熱処理して窒化アルミニウム凝集粉末Ｂを得、これを機械的処理し、一次粒子径が０．０６μｍ以下であり、かつ凝集度が１０以下であり、陽イオン不純物濃度が３００ｐｐｍ以下であり、１６００℃以下での焼結が可能な窒化アルミニウム粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】浮上量が１０ｎｍ以下の範囲では浮上面の表面平滑性が重視されるようになり、この浮上面を得るには、平均粒径０．１μｍ以下の小さなダイヤモンド砥粒を用いて研磨しなければならないため、従来のセラミック焼結体では機械加工性が悪く、このセラミック焼結体から製作される磁気ヘッドを１０ｎｍ以下の浮上量に対応させることはできなかった。
【解決手段】Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子と、該Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒子の内部に存在する内部ＴiＣ結晶粒子と、前記内部ＴｉＣ結晶粒子以外の外部ＴiＣ粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を製造するに際し、焼成容器内の位置の違い、およびロット間における製品の熱伝導率にバラツキがなく、安定して高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を製造できる方法を提供する。
【解決手段】 焼結助剤を含む窒化アルミニウム脱脂体または焼結体を還元雰囲気下で焼成するに際し、敷粉として、窒化ホウ素粉末層を０．２〜１．５ｇ／ｃｍ^３となるように、該脱脂体または焼結体の上下に積層させて焼成することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体の粒界強度の低下を極力防ぐことにより、パーティクルの発生の少ないサセプタを提供する。
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するカドミウムとリンの量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のカドミウムの含有量が１５０ｐｐｍ以下であり、かつリンの含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の粗大化を防止し、残留炭化チタン（TiC）相の発生を抑制して均質化による特性の向上を図るとともに、エネルギー多消費型の製造法から、より低温、短時間での合成法を確立するものであり、かつパルス通電加圧焼結方法による短時間成形法により、優れた特性を持つチタンシリコンカーバイド焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チタン（Ti）、炭化珪素（SiC）、炭化チタン（TiC）の混合粉末をパルス通電加圧焼結することにより得られ、結晶粒径が１０μｍ以下であり、炭化チタン（TiC）含有量が８ｗｔ％以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド焼結体。 （もっと読む）

【課題】成形性が良好で、かつ、脱脂工程から焼結工程を経ても形状を保持でき、焼結後の窒化アルミニウム充填密度が実使用に耐えうる窒化アルミニウム成形用組成物、および、該樹脂組成物を成形、焼結することにより得られる成形品が求められていた。
【解決手段】(a)窒化アルミニウム粉体、(b) 焼結助剤、(c)熱可塑性樹脂、(d)分子内に極性基と高級脂肪族基を持つ化合物を必須成分として含むことを特徴とする窒化アルミニウム成形用樹脂組成物により上記課題を解決するに至った。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の高強度特性に加えて熱伝導率が高く放熱性に優れ、導体層の接合強度および導電性が高い窒化けい素配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化けい素基板の表面に窒化ジルコニウムから成る導体層が一体に形成されており、上記窒化ジルコニウム導体層の電気抵抗値が１０^２Ω・ｃｍ以下であり、上記導体層の９８質量％以上が窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）から成ることを特徴とする窒化けい素配線基板である。 （もっと読む）

【課題】再結晶ＳｉＣセラミックスの抵抗率を大きくし、電気絶縁体的な性質を付与するとともに、熱伝導率を大幅に向上することができ、再結晶ＳｉＣの長所である強度、耐食性をそのまま維持することができる再結晶ＳｉＣ焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．０１〜２ｗｔ％のＳｉＯ₂と９９．９９〜９８ｗｔ％のＳｉＣから実質的になる再結晶ＳｉＣ焼結体であって、その抵抗率が５００〜５００００Ω・ｃｍに制御されているものである。炉の有効体積（加熱域）の０．０１〜１０倍の不活性ガスを毎分流しながら、０．０１〜２ａｔｍの圧力下で、２Ｈｒ以上かけて２０００℃まで昇温し、その後０．５〜２ａｔｍの圧力下で、２０００〜２５００℃の温度に昇温する。 （もっと読む）

【課題】 電気絶縁性の材料として、安価で高熱伝導性を有するセラミックス焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化マグネシウム粉末に窒化アルミニウム粉末、焼結助剤、可塑剤および溶剤を混合してなるスラリーからグリーンシートを作製し、そのグリーンシートから成形体を作製し、その成形体を不活性雰囲気下で焼結する。製造された高熱伝導性セラミックス焼結体３は、窒化アルミニウム焼結体４を主成分とするマトリックス相２中に酸化マグネシウム粒子１が分散されている。 （もっと読む）

【課題】メタライズ不良発生率を抑えた窒化アルミニウム基板及びそれを用いた半導体装置用基板の提供であり、メタライズ形成性を向上させ生産性に優れた窒化アルミニウム基板、およびそれを用いて作成される品質に優れた半導体装置用基板の提供。
【解決手段】液相成分を有する窒化アルミニウム基板であって、その基板表面にブラックライトを照射した際にオレンジ色に発光する発光面積が前記基板表面の９０％以上である窒化アルミニウム基板。又、液相成分はＹ−Ａｌ−Ｏ系化合物であり、窒化アルミニウム基板は、焼結助剤として酸化イットリウムを１重量％以上１０重量％以下添加されたものからなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焼成後、未研磨の状態において平滑な表面を有し、光線透過特性が高い窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、酸素濃度が４５０ｐｐｍ以下、酸素、窒素、アルミニウム以外の不純物元素濃度が３５０ｐｐｍ以下であり、平均結晶粒径が２μｍ〜２０μｍであり、更に、焼成後、未研磨の状態において、表面の算術平均高さＲａが１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１０μｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】 反りや変形がなく、寸法精度に優れた板状の窒化アルミニウム焼結体、及びその表面に金属化層を設けた半導体用基板として好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 成形体の厚み方向及び表面方向の密度バラツキを制御し、この成形体を焼成することにより、反り量が３５μｍ／１０ｍｍ以下、厚みのバラツキが１６０μｍ／ｍｍ以下の窒化アルミニウム焼結体を得る。密度のバラツキを制御した上記成形体は、表面粗さがＲａで０.１μｍ以下の成形面を有する成形型を用い、成形体の加圧方向断面積Ａ（ｍｍ^２）と成形圧力Ｓ（ｋｇ／ｍｍ^２）とがＳ／Ａ≧０.００２の関係を満たす条件下で成形する。 （もっと読む）

【課題】 直接窒化法による、歪みや転位あるいは亜粒界の量が多いＡｌＮ原料粉末を用いて、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を安価に提供する。
【解決手段】 Ｘ線回析におけるＡｌＮの（２１３）面の２θの半値幅が０．３５ｄｅｇ以上であるＡｌＮ原料粉末７０〜９９．９重量％と、半値幅が０．３５ｄｅｇ未満であるＡｌＮ原料粉末３０〜０．１重量％とを混合し、混合物を形成して焼結することにより、単一粒子内の転位密度が１０μｍ／μｍ^３以下で熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）