【課題】電気抵抗および熱伝導性が高く、強度特性に優れたプラスチック−ＳｉＣ複合体を得るフィラーとして好適な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンアルコキシドにアルコールを混合し、次いで、熱硬化性樹脂を添加して撹拌混合した後、混合液のｐＨを１〜７に調整して加水分解し、得られた熱硬化性樹脂・シリカ複合ゲルを非酸化性雰囲気中８００〜１０００℃の温度で熱処理し、樹脂成分を炭化して得られた炭素／シリカ（Ｃ／ＳｉＯ_２）複合体のＣ／ＳｉＯ_２のモル比を２〜５に調整した後、非酸化性雰囲気中１４００〜２３００℃の温度で熱処理して炭素／シリカ複合体のシリカを炭素で還元してＳｉＣに転化することを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の高い窒化アルミニウム焼結体を提供できる窒化アルミニウムスラリーを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム粉末、有機溶剤及び酸化防止剤を含む窒化アルミニウムスラリー並びにそれから得られる窒化アルミニウム顆粒、窒化アルミニウム成形体及び窒化アルミニウム焼結体に係る。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、しかもチッピング幅の分布が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】下記条件（１）および（２）を充足する窒化アルミニウム粒子からなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 （１）Ｄ₉₀−Ｄ₁₀＝３．０〜６．０μｍ〔Ｄ₉₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積個数％が９０％のときの粒子径であり、Ｄ₁₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積個数％が１０％のときの粒子径である。〕 （２）平均粒子径（Ｄ_av）＝３．０〜７．０μｍ （もっと読む）

【課題】均熱性が良好で純度の高い炭化ケイ素焼結体ヒータ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】かさ密度３．０ｇ／ｃｍ³以上、熱伝導率２００ｗ／ｍ・ｋ以上の炭化ケイ素焼結体からなる加熱体と、加熱体に通電して前記加熱体を昇温させる、かさ密度２．２ｇ／ｃｍ³以下、熱伝導率１００ｗ／ｍ・ｋ以下の炭化ケイ素焼結体からなる１対の電極と、を備え、加熱体と電極は、接合材を加熱焼結して得られる炭化ケイ素焼結体を介して一体に接合されている炭化ケイ素焼結体ヒータ。 （もっと読む）

【課題】加熱冷却サイクルでクラックが発生し難く進展し難い高い耐久性をもったセラミックス基板と、これを用いたセラミックス回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】本発明は破壊靭性が６．０ＭＰａ・ｍ^１／２以上であり、曲げ弾性率が２３０ＧＰａ以上であるセラミックス基板である。セラミックス基板表面のビッカース硬度を１６００以上とすることにより曲げ弾性率２３０ＧＰａ以上とすることができる。又はセラミックス基板表面の残留応力を−４０ＭＰａ以下とすることにより曲げ弾性率２３０ＧＰａ以上とすることができる。 （もっと読む）

【課題】傾斜機能材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の形状の成形空間を有する型内で金属及び／又はセラミックスの被焼結材料を直接通電により加圧焼結して傾斜機能材料を製造する方法であって、型内の成形空間に被焼結材料を配置して、被焼結材料の焼結特性に応じて、被焼結材料を任意の焼結温度分布により焼結することからなる傾斜機能材料の製造方法、Ｔｉ_３ＳｉＣ_２とＴｉＣの２相組織の焼結体からなる傾斜機能材料であって、炭化チタンが、段階的又は傾斜的である組成を有し、炭化チタンの組成が異なる材料が全体の緻密性を確保しながら一体成形されている、チタンシリコンカーバイド−炭化チタン系傾斜機能材料、及びその製造方法。
【効果】被焼結材料の全体の緻密性を確保しながら焼結温度の異なる材料を一体成形した傾斜機能材料を提供できる。 （もっと読む）

【課題】焼成雰囲気調整なく高い焼結性、高い緻密性及び大きな熱伝導性を有する窒化珪素焼結体、並びにそれを用いた放熱性の大きな放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板及び放熱絶縁用モジュールの提供。
【解決手段】Ｓi_３Ｎ_４と、軽希土類元素と、重希土類元素及び／又はＹと、Ｓrとを含有する窒化珪素焼結体であり、Ｓi_３Ｎ_４の含有割合が８５〜９０モル％、前記軽希土類元素の含有割合が酸化物換算で１〜５モル％、前記重希土類元素及び／又はＹの含有割合が酸化物換算で１〜５モル％、Ｓrの含有割合が酸化物換算で３〜１３モル％であり、ラマン分光分析における波数５２１±２ｃｍ^−１の珪素ピーク強度（Ｓ１）と２０６±２ｃｍ^−１付近の窒化珪素のピーク強度（Ｓ２）との比Ｓ１／Ｓ２が０．１未満であることを特徴とする窒化珪素焼結体、放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板、放熱絶縁用モジュール。 （もっと読む）

【課題】高温アンモニアガスに対する耐食性に優れ、しかも耐熱性があり、低熱伝導性である窒化ホウ素焼結体と、それを用いた半導体製造装置用の断熱部材を提供する。
【解決手段】質量と外寸より算出された嵩密度が０．７〜０．９ｇ／ｃｍ^３、ＪＩＳ Ｒ １６１１のレーザーフラッシュ法により測定された熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である窒化ホウ素焼結体。窒化ホウ素粉末１００質量部に対しアクリル系樹脂１０〜４０質量部を含む混合物を成型後、アクリル系樹脂を除去して嵩密度が０．９〜１．２ｇ／ｃｍ^３の多孔質成形体とした後、常圧焼結することを特徴とする上記窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明の窒化ホウ素焼結体からなる半導体製造装置用の断熱部材。 （もっと読む）

【課題】層間剥離が発生し難く、かつ、熱伝導性に優れるとともに安価に製造することが可能な窒化アルミニウム多層基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム多層基板１は、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）とアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）をモル比が略１：１の割合で含有する窒化アルミニウムのグリーンシートの焼結体からなる基体２の表面にスクリーン印刷等によってメタライズ層３が形成され、各基体２の層間に窒化アルミニウムを主成分とし、焼結助剤として酸化イットリウム及びアルミナをモル比が略１：１の割合で含有する絶縁性ペーストの焼結体からなる絶縁層４が形成されるとともに、絶縁性ペースト中の焼結助剤の割合がグリーンシート中の焼結助剤の割合よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムを主成分とし、十分な熱伝導性と機械的強度を備え、導電性メタライズ層との接合強度が高く、かつ白色度が高くて高反射性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム粉末と、焼結助剤と、バインダーとを粉砕混合してスラリー状物質にした後に成形し、この窒化アルミニウム成形体を焼結して成る窒化アルミニウム焼結体であって、スラリー状物質は、粒子径が０.２μｍ以下である粒子が全体の１０重量％を占め、かつ２μｍ以下である粒子が全体の５０重量％を占め、かつ４μｍ以下である粒子が全体の９０重量％を占めることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】平板状の炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなり、両主面に平均厚みが１０〜１５０μｍのアルミニウムを主成分とする金属からなるアルミニウム合金層を有するアルミニウム−炭化珪素質複合体を、（１）応力を掛けながら、温度４００〜５００℃で３０秒間以上加熱処理することにより、クリープ変形させて所定の反り量を付与し、（２）凹型方向の反り付けを行った面を、平面研削加工してアルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させ、（３）温度５００〜５６０℃で１分間以上加熱処理することにより、反り付け時のクリープ変形を除去して、アルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させた面に凸型の反りを形成させることを特徴とするアルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細なＢＮ粒子がＡｌＮマトリックス中に均一分散したＡｌＮ・ＢＮ複合粉末を提供することを目的としている。
【解決手段】窒化ホウ素と窒化アルミニウムとが複合化されてなるＡｌＮ・ＢＮ複合粉末であって、該複合粉末の比表面積Ｘ(m²/g)と、該複合粉末を下記条件で成形焼結したＡｌＮ・ＢＮ複合焼結体のヤング率Ｙ(GPa)とが、下記式を満足するＡｌＮ・ＢＮ複合粉末：0.8≦Ｘ×5.5/(323−Ｙ) 成形焼結条件：ＡｌＮ・ＢＮ複合粉末１００重量部に対して、焼結助剤として５．２６重量部のY₂O₃を加え、エタノールを分散媒として湿式ボールミル混合した後、乾燥させた。Ｙ₂Ｏ₃焼結助剤を混合した原料粉末を35mm×45mm×5mmの角柱状
に加重50ｋｇ/cm²で一軸加圧成形し、続いて200MPaで静水圧プレスを行い焼結用ペレットを成形した。ペレットを、多目的雰囲気炉（富士電波工業社製、ハイマルチ10K）を用い
て窒素雰囲気中、1800℃で1時間常圧焼結し、測定サンプルとした。 （もっと読む）

【課題】焼成炉内の雰囲気が窒化アルミニウム成形体に接触しないように遮断することが可能な窒化アルミニウムの焼成方法とその焼成用治具を提供する。
【解決手段】焼成用治具１ａはベース３ａとこのベース３ａの上部を覆う蓋部３ｂとからなり、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のいずれかを主成分とする坩堝３と、底板５と枠体６とからなり、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムなどの窒化物セラミックス又はモリブデン及びタングステンなどの高融点金属のいずれかを主成分とするセッター４とから構成され、枠体６は枠板片６ａ〜６ｃとから構成される。 （もっと読む）

【課題】色むらのない窒化アルミニウム基板、並びに、それを用いた窒化アルミニウム回路基板及びモジュールを提供する。
【解決手段】基板内における酸素含有量の最大値と最小値の差が０．２０質量％以下であることを特徴とする色むらのない窒化アルミニウム基板であり、酸化処理が施された窒化アルミニウム粉末を原料とする前記窒化アルミニウム基板である。さらに、前記窒化アルミニウム基板を用いてなる回路基板であり、前記回路基板を用いてなるモジュールである。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＣの持つ特性すなわち、高硬度、軽量、高導電性、高熱伝導性という特性を十分に活用し、さらに靭性、難焼結性を著しく改善すると共に、その他の特性も同時に向上させることのできるＴｉＣ基Ｔｉ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ_３ＳｉＣ_２、ＳｉＣ及びＴｉＣからなる相を備え、高密度、高ヤング率、高硬度、高破壊靭性の特性を有することを特徴とするＴｉＣ基Ｔｉ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＢ_２、ＴｉＣの持つ特性すなわち、高硬度、軽量、高導電性、高熱伝導性という特性を十分に活用し、さらに靭性、難焼結性を著しく改善すると共に、その他の特性も同時に向上させることのできるＴｉＢ_２基Ｔｉ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴｉＢ_２、ＴｉＣ及びＴｉ_３ＳｉＣ_２からなる相を備え、高ヤング率、高硬度、高破壊靭性の特性を有することを特徴とするＴｉＢ_２基Ｔｉ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気下において静電チャックの基体材料に利用して好適な体積抵抗率を示し、且つ、体積抵抗率の温度依存性が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子１の粒界に体積抵抗率の温度依存性が低い（Ｓｍ，Ｃｅ）Ａｌ_１１Ｏ_１８粉末を連続的に形成して導電経路２を形成することによって、粒界相の体積抵抗率の温度依存性を小さくすると共に、ＡｌＮ粒子１内にＣとＭｇの少なくとも一方を固溶させ、導電経路２がＡｌＮ粒子１内に移行しないようにすることによって、高温雰囲気下においてもＡｌＮ粒子１内の体積抵抗率を高い値に維持させる。 （もっと読む）

【課題】かさ上げに使用する焼成用治具を高強度の焼成用治具に変更し、かさ上げ部分の熱容量を削減させることで、炉本体内における下部の昇温の遅れを減少させるにある。
【解決手段】焼成用治具７は被焼成物Ｗの焼成位置をかさ上げするための焼成治具であって、この焼成治具７は、高熱伝導率かつ高い機械的強度の特性をあわせ持ち、被焼成物Ｗが載置可能な形状の構造体からなっていて、高純度の常圧焼結炭化珪素からなり、しかも、中抜き構造からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高密度で熱伝導性に優れ、高強度の炭化ケイ素焼結体を相対的に低圧、低温の条件で製造できる方法を提供すること。
【解決手段】放電プラズマ焼結法により炭化ケイ素焼結体を製造する方法。平均粒径５μｍ以下の炭化ケイ素にアルミニウム粉体を焼結助剤として添加して、温度１４００〜１８００℃及び圧力２０〜７０ＭＰａの条件下で焼結させる。そして、当該方法で製造された炭化ケイ素焼結体は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）と、Ａｌ及び／又はＡｌ₄Ｃ₃若しくはＡｌ₄ＳｉＣ₄等の炭化アルミニウム系化合物を含む粒界相とからなるとともに、Ａｌ：０．５〜７％、残部が実質的にＳｉＣの組成であり、かつ、相対密度が９５％（密度：３．０ｇ／cm³）以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来と比べ非常に緻密で気孔がないＳｉＣ焼結体、ＳｉＣ粒子及びＳｉＣ焼結体の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】不純物として焼結体中に残留する焼結助剤無添加で製造され、かつ主となる立方晶の他に菱面体晶が含まれることを特徴とするＳｉＣ焼結体。 （もっと読む）