本発明によれば、常圧および加圧焼結により製造されたα−ＳｉＣ粉末とカーボン粉末を混合してなるカーボン／α−ＳｉＣ混合物を仮成形した後、真空の高温環境において抵抗調節済みの溶融シリコンと反応させて電気的な特性に見合う抵抗を有するβ−ＳｉＣ素材を製造することにより、半導体製造工程の部品に要される電気的特性と優れた機械化学的特性を有し、ＳｉＣ素材の製造が高速であり、しかも安価であるという特徴を有する半導体工程部品用α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結β−ＳｉＣ素材およびその製造方法が提供される。
また、本発明の他の側面によれば、前記反応焼結β−ＳｉＣ素材を用いてカソードをシリコン−ＳｉＣ構造の二体型に構成して、高い熱伝導度と低抵抗により電気的特性と、耐久性、耐摩耗性などの機械的性質が向上するシリコン−ＳｉＣ構造の二体型プラズマチャンバーカソードが提供される。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、耐久性が向上されるパワーモジュール用基板を提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板２は、形状の異なる複数種類のＡｌＮ粒子からなるセラミックス焼結体２０で形成されており、前記ＡｌＮ粒子は、板状ＡｌＮ粒子２ａと、繊維状ＡｌＮ粒子２ｂと、球状ＡｌＮ粒子２ｃとを有しており、前記板状ＡｌＮ粒子２ａは、外形寸法が５μｍ以上３０μｍ以下とされており、前記繊維状ＡｌＮ粒子２ｂは、短軸径が０．０５μｍ以上３μｍ以下、且つアスペクト比が３以上２０以下とされており、前記球状ＡｌＮ粒子２ｃは、粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされており、これら各ＡｌＮ粒子は夫々の前記セラミックス基板２に占める割合が、５体積％以上５０体積％以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温における全放射率が高く、基板載置装置に適した窒化アルミニウム焼結体を提供し、また、高温域においても充分な熱応答性を有する低パーティクル性の基板載置装置を提供する。
【解決手段】２００℃における全放射率が６０％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体を用いた基板載置装置。発熱抵抗体を備える基体と、前記基体の表面に形成された突起部と、を具備する基板載置装置であって、前記基体の２００℃における全放射率が６０％以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ｃＢＮ含有率の高い焼結体において、高硬度・高熱伝導率といったｃＢＮの特性を十分に発揮でき、難削材の高速切削にも適用でき、長い工具寿命を達成可能な高硬度焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】立方晶窒化硼素を主成分とする焼結体であって、焼結体中にＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉからなる群のいずれか１種以上の元素が含まれ、その濃度がｗｔ％で５０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体。 （もっと読む）

【課題】 母基板の熱伝導率を向上できる回路基板およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で全量中０．３〜１．５質量％添加した混合粉末を成形し、焼成し、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有せしめて作製される。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ基板の高放熱特性を活かした上で、金属薄膜との密着性や金属薄膜の形成精度等を向上させることによって、マイクロ波集積回路等の薄膜デバイスの信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜５μｍの範囲で、かつ粒径分布の標準偏差が２μｍ以下であり、かつ常温での熱伝導率が１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるＡｌＮ焼結体を作製する。ＡｌＮ焼結体の表面を、加工後の表面のスキューネスＲskが−１以上となるように中仕上げ加工する。中仕上げ加工されたＡｌＮ焼結体の表面を、算術平均粗さＲaが０．０５μｍ以下となるように鏡面加工し、加工表面のスキューネスＲskを０以上１以下に仕上げ加工する。ＡｌＮ基板の加工表面上に金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失とともに高い熱伝導を有する低損失誘電体材料とその製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、周期律表第３ａ族化合物、及び、不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下であり、熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の高周波用低損失誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下で、かつ熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上である高熱伝導・低誘電損失の高周波用低損失緻密質誘電体材料及び部材等を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】α型炭化ケイ素粉末を原料とする導電性が良好な炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】α型炭化ケイ素粉砕粉及び非金属系焼結助剤を含む混合物を得る工程と、混合物を４００ＫＰａ〜６００ＫＰａの窒素加圧雰囲気下でホットプレス法を用いて焼結する工程と、を含む炭化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】流動性の高い射出成形用窒化アルミニウム組成物、保形性が良好かつ脱脂性に優れるグリーン成形体、および寸法精度の高い窒化アルミニウム焼結体の実現に好適な射出成形用窒化アルミニウム粉末を提供すること。
【解決手段】下記条件（１）および（２）を充足する射出成形用窒化アルミニウム粉末；
（１）Ｄ₉₀／Ｄ₁₀≦３．５
（２）Ｄ₅₀≦１．０μｍ
〔Ｄ₉₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が９０％のときの粒子径であり、Ｄ₁₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が１０％のときの粒子径であり、Ｄ₅₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が５０％のときの粒子径である。〕。 （もっと読む）

【課題】この発明は、バインダを用いないでも成形型へ充填されたナノＳｉＣの圧粉状態が維持されて優れた成形性をもち、正常な加圧焼結が出来るような成形性の良好な超微細ＳｉＣ粒子およびその製造方法を得ようとするものである。
【解決手段】粒径が10〜100nmでＣ−Ｈ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含む成形性に優れた超微細ＳｉＣ粒子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は作業環境の安全性の向上を図ることができる窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化ケイ素粉末及び焼結助剤を含む粒度(Ｄ_５０)０．３〜１μｍの原料粉体からスラリーを調製する工程と、スラリーからスプレードライヤー法を用いてＳＤ粉体を得る工程と、ＳＤ粉体を成形型に仕込み、成形圧力３ｔｏｎ／ｃｍ^２以上で焼成して窒化ケイ素焼結体を得る工程と、を含む窒化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】気孔などの欠陥が少ない炭化ケイ素焼結体の製造が可能な炭化ケイ素顆粒を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素粒子を含み、０．５Ｎ／ｍｍ^２の強度で圧縮した際の歪量の平均値が２０％以上であることを特徴とする炭化ケイ素顆粒。 （もっと読む）

【課題】絶縁性及び熱伝導性に優れた熱伝導性絶縁材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＮを主成分とするＡｌＮ結晶１５０を含有する熱伝導性絶縁材料１、及びその製造である。その製造においては、非酸化性ガス雰囲気下で、少なくとも表面がＡｌＮからなるＡｌＮ基板１１上に溶融アルミニウム層を形成する。次いで、Ｎ₂ガス雰囲気下で、溶融アルミニウム層を加熱することにより、ＡｌＮを主成分とするＡｌＮ層１２５からなるＡｌＮ結晶１５０を形成する。また、ＡｌＮ結晶とＡｌグラジュエント層とを有する熱伝導性絶縁材料及びその製造方法である。その製造においては、ＡｌＮ層１２５上に溶融アルミニウム層１５を形成しＮ₂雰囲気下で加熱するという加熱工程を少なくとも２回以上繰り返して行う。このとき、加熱工程を繰り返すにつれて溶融アルミニウム層へのＮ₂ガスの溶解量を小さくしていく。 （もっと読む）

【課題】、１０μｍ以上の窒化ホウ素粒子ないしは窒化ホウ素粒子を含む凝集粒子の露出を軽減させた、例えばサセプタとして好適な窒化物複合焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物セラミックス粉末を焼成する方法において、窒化物セラミックス粉末が媒体と窒化物セラミックス粉末との湿式混合物から媒体が除去されたものであり、媒体がハイドロフルオロカーボン及びハイドロフルオロエーテルの少なくとも一方にアルコールを２〜１０質量％含有させてなるものであることを特徴とする窒化物複合焼結体の製造方法。アルコールが、エタノール、イソプロピルアルコール及びｔ−アミルアルコールから選ばれた少なくとも１種、特にｔ−アミルアルコールであることなどが好ましい。 （もっと読む）

【課題】色むらのない窒化アルミニウム焼結体を生産性良く製造する。
【解決手段】窒化アルミニウム粉末、焼結助剤および有機バインダーを含有してなる成形体を、非酸化性雰囲気中で脱脂と焼成を連続して行う窒化アルミニウム焼結体の製造方法において、体積基準累積粒度分布の累積９０％粒子径（ｄ９０）と累積１０％粒子径（ｄ１０）の差が３．０μｍ以下である窒化アルミニウム粉末を用い、焼成工程において１６００〜１７５０℃の温度域で４〜１０時間保持した後、焼結温度まで昇温することを特徴とする、色むらのない窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】イオンミリング加工法や反応性イオンエッチング法によって得られる流路面に出現する直径１００ｎｍ〜５００ｎｍの微小な気孔は相対的に大きい上、流路面の表面粗さがばらつきやすく、フェムトスライダー、アトスライダー等の小型化されたスライダーを用いた磁気ヘッドに適用することが部分的に難しい磁気ヘッド用基板であった。
【解決手段】アルミナを３５質量％以上７０質量％以下、ＴｉＣを３０質量％以上６５質量％以下の範囲である焼結体から成る磁気ヘッド用基板１であって、該磁気ヘッド用基板１の両主面部３および厚み方向の中央部２における密度の差が０．００４ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】摩耗や損傷が生じにくく、長寿命な窯炉用構造部材を提供する。
【解決手段】熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、強度が５０ＭＰａ以上、ヤング率が２００ＧＰａ以上、見掛け気孔率が１０％以下のセラミックス材料からなる窯炉用構造部材であって、当該セラミック材料は、炭化珪素、窒化珪素、炭化珪素と窒化珪素との複合材料、炭化珪素と珪素との複合材料、及び炭化珪素と珪素化合物との複合材料の内の何れかである。 （もっと読む）

【課題】 フェムトスライダー、アトスライダー等の小型化されたスライダーに好適に用いる磁気ヘッド用基板において、結晶組織の均一化が十分ではないため、イオンミリング加工法や反応性イオンエッチング法によって得られる流路面には直径１００ｎｍ〜５００ｎｍの微小な気孔が生じやすい。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｏ_３を３５質量％以上、７０質量％以下、ＴｉＣを３０質量％以上、６５質量％以下の範囲である焼結体から成る磁気ヘッド用基板１であって、磁気ヘッド用基板１の両主面部３および厚み方向の中央部２におけるＴｉＣの格子定数の差が１×１０^−４ｎｍ以下である。これにより、磁気ヘッド用基板を短冊状に切断し、切断面を研磨して鏡面とした後に、イオンミリング加工法や反応性イオンエッチング法によって鏡面の一部を除去して得られる流路面の表面粗さのばらつきを小さくすることができる。 （もっと読む）