【課題】筒状セラミックス体を金属管で被覆する場合において、熱的な結合状態を保ちつつ、セラミックスと金属の熱膨張係数の違いに起因する熱応力を緩和する熱伝導部材を提供する。
【解決手段】熱伝導部材１０は、一方の端面２から他方の端面２まで貫通し、加熱体である第一の流体が流通する流路を有する筒状セラミックス体１１と、筒状セラミックス体１１の外周壁７（外周面７ｈ）に嵌合する金属管１２と、筒状セラミックス体１１と金属管１２との間に金属からなる中間材１３と、を備える。そして、金属管１２内で、複数の筒状セラミックス体１１が、軸方向に並んで分断された状態で備えられている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素粉末である原料粉末と焼結助剤とを混合する混合工程と、上記混合工程により得られた混合粉を成形して圧粉体を生成する成形工程と、上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより窒化ケイ素系セラミックスの焼結体を生成する焼結工程とを含み、上記混合工程において、焼結助剤として、上記原料粉末と上記焼結助剤との合計重量に対する重量比がａ重量％のＹ_２Ｏ_３と、ｂ重量％のＨｆＯ_２と、ｃ重量％（ｃは０以上１以下）のＳｉＯ_２とを添加し、ＭｇＯを添加せず、さらに、ｂ／ａが１以上２以下となり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃが５．５重量％以上１１重量％以下となるように焼結助剤を添加する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱伝導性に優れた窒化ホウ素粒子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
ホウ酸メラミンと、粉末X線回折法による黒鉛化指数（ＧＩ）２．０以下、平均粒子径５〜４０μmの鱗片状窒化ホウ素粉末からなり、平均粒子径が４０〜３００μmである複合粒子。有機バインダーを０．０５〜１．０質量％含有した水溶液１００質量部に対し、ホウ酸メラミン１００質量部に対して鱗片状窒化ホウ素が１．０〜２０質量部の混合物１０〜５０質量部含有するスラリーを用いて、噴霧造粒する複合粒子の製造方法。複合粒子を、非酸化性雰囲気下６００〜１３００℃で焼成後、非酸化性雰囲気下１６００〜２２００℃で焼成する窒化ホウ素粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】強化繊維の形態を適切に調整することで、破壊エネルギーが高く、かつ熱伝導率や曲げ強度の特性も適切に制御された、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックスを提供する。
【解決手段】炭素繊維３１からなる短繊維を集合してその外表面に炭素被膜３２を形成することで被膜付き繊維集合体３を作製する工程と、炭化ケイ素と炭素材料とを混合して基材部原料２を作製する工程と、これらに炭素被膜のない炭素繊維からなる短繊維４とを混合して混合体を作製する工程と、前記混合体を成型，加圧して成形体を作製し、前記成形体を還元雰囲気下で焼成して焼成体を作製したのち、焼成体に対して減圧下でシリコン含浸を行うことを特徴とする、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックス１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 （もっと読む）

【課題】高剛性でかつ高熱伝導率のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を支障なく提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粒子の間にＳｉが充填された構造を有するＳｉＣ／Ｓｉ複合材料において、ＳｉＣ粒子が、粒度が異なる粗粉及び微粉により構成され、ＳｉＣの充填率が、８６〜９４体積％となるようにする。この場合、ＳｉＣ粒子の結晶相は、粗粉においてはα相のみであり、微粉においてはβ相のみであるか又はβ相及びα相が混在しており、α相及びβ相の結晶の含有率をそれぞれα体積％及びβ体積％とすれば、６４≦β／（１００−α）≦８６が成立する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】グラスライニングにも適用が可能な熱伝導性ガラスであって、熱伝導性に優れ、かつ、ガラスの発泡による膨張が少ない熱伝導性ガラス、及びそのような熱伝導性ガラスの製造方法を提供すること。
【解決手段】熱伝導性フィラーとしてＳｉＣをガラスフリットに添加する場合に、６００℃以上７２０℃未満の温度範囲で焼成する。ＳｉＣの表面を酸化処理し、ＳｉＯ_２被膜を形成させてもよい。また、熱伝導性フィラーを混合したガラスフリットを、不活性ガス雰囲気下で焼成してもよく、減圧下又は加圧下で焼成してもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体を１７５０℃を超える高温下で処理して加工物を製造する際、熱処理時の熱変形を抑制し、且つ、良好な熱伝導特性を有する加工物を得るための方法を提供する。
【解決手段】上記熱処理に供する窒化アルミニウム焼結体として、粒界相にＹＡＧ（３Ｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相とＹＡＰ（Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相が共存し、且つ、上記ＹＡＧ結晶相、ＹＡＰ結晶相に対するＹＡＭ（２Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相の存在割合が、窒化アルミニウム（１００）面に対するＹＡＧ結晶相（２１１）面、ＹＡＰ結晶相（２２０）面及びＹＡＭ結晶相（２１０）面のＸ線回折パターンの強度比の合計の１０％以下である窒化アルミニウム焼結体を使用する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が０．５〜１．５である炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を含む混合原料で、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備えるハニカム構造の成形体を成形する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気で焼成し、導電性の基体１０とする焼成工程と、基体を、軸方向の一端から軸方向に沿って他端に至ることなく切断してスリット部１１を形成する切断工程と、スリット部を、電気絶縁性または基体より電気伝導率の小さい充填材１２で充填する充填工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを提供すること。
【解決手段】基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、ＳｉＣを７０〜９９質量％、Ｓｉを１〜３０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱衝撃性を有する窒化珪素質焼結体およびその製造方法、並びに金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材を提供する。
【解決手段】組成式Ｓｉ_6-ZＡｌ_ZＯ_ZＮ_8-Zで表され、固溶量ｚ値が０．４〜０．７であるβ−サイアロンを主相とし、粒界相およびＦｅ珪化物粒子を有する窒化珪素質焼結体であり、前記粒界相は、Ｙ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏを含有し、かつＡｌ、Ｓｉ、Ｙの構成比率がＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃換算でＡｌ₂Ｏ₃１４〜４２質量％、ＳｉＯ₂８〜１９質量％、残部がＹ₂Ｏ₃であり、該粒界相を焼結体１００体積％に対して１５体積％以下の範囲で含有し、前記Ｆｅ珪化物粒子をＦｅ換算で焼結体１００質量％に対して０．１〜１．５質量％含有する。この窒化珪素質焼結体は、高い耐熱衝撃性を有するため、金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材などの用途に好適に適用される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム溶湯に対する良好な耐濡れ性及び高い強度を有する窒化珪素―窒化硼素複合セラミックスを提供する。
【解決手段】窒化珪素粉末、焼結助剤粉末、及び六方晶窒化硼素粉末からなる原料を成形、焼成して窒化珪素と窒化硼素の複合セラミックスを得る窒化珪素−窒化硼素複合セラミックスの製造方法において、前記六方晶窒化硼素として、レーザ回折・散乱法で測定した平均粒径が２〜１０μｍ、３０μｍ以上の粒径を有する粒子が５％以下、ＳＥＭ写真から測定した１次粒子の平均粒子寸法が０．０１〜０．８μｍ、比表面積が２０〜５０ｍ^２／ｇであるものを、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末の合計１００質量部に対して３〜２０質量部含有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性フィラー及び高強度フィラーとして好適に用いることができる新規な形態のＡｌＮを簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置する。次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対してマイクロ波を照射し、前記アルミナ粒子を前記カーボン粒子で還元窒化して窒化アルミニウムを得るとともに、この窒化アルミニウムを昇華させ、非加熱状態の部材に付着させ、直径が３０ｎｍ〜２μｍであって、長さが１０μｍ〜２ｍｍである窒化アルミニウムワイヤーを製造する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた新規な構成のＡｌＮ粒子を簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置し、次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、全体積の５％〜４０％の割合で内部に中空部を有することを特徴とする、窒化アルミニウム粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた新規な構成のＡｌＮ粒子を簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置し、次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、アルミナ及び酸窒化アルミニウムの少なくとも一方からなるコアと、前記コアの表面に形成された、窒化アルミニウムからなる表面層とを具える窒化アルミニウム系粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、本発明は、プラズマガス耐性、高熱伝導を有し、優れた光学特性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、窒化アルミニウム粉末とアルカリ土類系酸化物の焼結助剤とを特定の配合比で含む混合物からなる成形体を、還元雰囲気下の特定条件での焼成、特定条件でのアニールすることに特徴があり、この製造方法により、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、１８０ｐｓ(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が９０％以上であることを特徴とし、好ましくは２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体が得られる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、かつ高剛性の金属−セラミックス複合材料を提供する。
【解決手段】セラミックス粒子と結合材のシリカとからなる多孔体の気孔に、金属を浸透させてなる金属−セラミックス複合材料であって、前記金属−セラミックス複合材料の断面において粒径１００μｍ以上のセラミックス粗大粒子の占める面積が３５％以上であり、前記セラミックス粗大粒子のシリカ被覆率は３０％以下である金属−セラミックス複合材料。断面における前記セラミックス粗大粒子のシリカ被覆率は３０％以下である。 （もっと読む）