【課題】アルミニウムセラミックス接合基板に搭載される半導体素子やチップ部品の半田付けに際し、半導体素子やチップ部品が所定の場所から位置ズレするのを防止できる金属セラミックス接合回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板にアルミニウム回路板を形成した後、該アルミニウム回路板の表面に半田付け可能なめっき層を形成し、該めっき層にレーザーを照射し、半田の濡れない部分を形成することを特徴とする。また、金属セラミックス接合回路基板は、セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合されたアルミニウム回路板と、該アルミニウム回路板の表面に施されためっき層とより成り、該めっき層の一部がレーザ照射により形成された半田の濡れない部分を有することを特徴とする。 （もっと読む）

活性鑞材（３２）によってセラミック基板（１２）に直接接合されたビード（２６）の形態の熱接点即ち測定接点を有する熱電対（１６）を備えたセラミック加熱器（１０）が提供される。別法としては、セラミック基板（１２）上に金属化層（４２）が形成され、通常の鑞材によって熱電対のビード（２６）が金属化層（４２）に直接接合される。セラミック基板にビードが直接接合されるため、ビードの温度はセラミック加熱器の温度をほぼ瞬時に反映し、したがって熱電対はセラミック加熱器の温度をより正確に測定することができる。
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【課題】半導体デバイスの製造装置の処理室内を高真空に保つことができる基板載置台を提供する。
【解決手段】基板載置台１は、一つの面が基板載置面１１ａである板状のセラミックス基体１１と、基板載置面１１ａとは反対の面で接合材２２を介してセラミックス基体１１と接合され、多孔質セラミックスの気孔内に金属が充填された気孔率が０％を超え５％未満の板状の複合材料基体２１と、複合材料基体２１の、セラミックス基体１１と接合される面とは反対の面で接合材３２を介して複合材料基体２１と接合される金属板３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ろう材箔をその全域にわたって均等な温度に加熱することが可能になるとともに、加熱開始後ろう付けが完了するまでの時間を短縮することができ、しかも装置の小型化および低コスト化を図ることができる。
【解決手段】パワーモジュール用基板１１の製造方法であって、接合工程は、積層体１５における回路層１３の表面に黒体板２６ａ、２６ｂを圧接させつつ積層体１５を積層方向に加圧した状態で、黒体板２６ａ、２６ｂをその側方から第１ハロゲンヒータ２７で加熱し、この熱を、黒体板２６ａ、２６ｂおよび回路層１３の各内部を伝導させることによりろう材箔を溶融し、セラミックス板１２の表面に回路層１３をろう付けしてパワーモジュール用基板１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】銀の融点より低温で接合でき、熱サイクルに対して優れた耐久性を備える接合層を得られる熱膨張係数が異なる部材の接合方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子３と、銀箔４または銀よりも縦弾性係数の小さい金属箔４とを、少なくとも一方は銀よりも熱膨張係数が小さい２種の部材１，２間に配置して加熱し、両部材１，２を接合する。平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子と、平均粒子径２０μｍ以上の銀粒子または銀よりも縦弾性係数の小さい金属粒子とからなる混合粉末であり、且つ該銀粒子または金属粒子を該混合粉末全体の１０〜４０％の範囲の体積分率で含むろう材３を、両部材１，２間に配置して加熱し、両部材１，２を接合する。金属箔４、前記金属粒子は、表面に銀被覆層を備える。一方の部材１がＳｉまたはＳｉＣからなり、他方の部材２がＡｌまたはＣｕからなる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス層にクラック等の欠陥が発生せず、接合強度が良好で耐久性および信頼性に優れたセラミックス−金属接合部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス体２ａと金属体３ａとの間に熱膨張差による残留応力の発生を抑制するための軟質材料から成る中間層４ａを介してセラミックス体２ａと金属体３ａとを一体に接合したセラミックス−金属接合部品１ａであり、上記セラミックス体２ａと金属体３ａとの接合領域のうち、接合外周縁から内側に３ｍｍ以内の領域を少なくとも含む接合領域において、上記中間層４ａの厚さが、上記接合領域の中央部から接合外周縁に向かって厚く形成されていることを特徴とするセラミックス−金属接合部品１ａである。 （もっと読む）

【課題】互いに熱膨張係数が異なり、少なくとも一方は銀よりも熱膨張係数が小さい２種の被接合部材を、銀の融点よりも低い温度で接合でき、熱サイクルに対して優れた耐久性を備える接合層が得られる熱膨張係数が異なる部材の接合方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子と、平均粒子径２０μｍ以上の銀よりも熱膨張係数の小さい粒子とからなる混合粉末であり、且つ該銀よりも熱膨張係数の小さい粒子を該混合粉末全体の１０〜４０％の範囲の体積分率で含むろう材３を、互いに熱膨張係数が異なると共に、少なくとも一方は銀よりも熱膨張係数が小さい２種の部材１，２間に配置して加熱することにより両部材１，２を接合する。一方の部材１がＳｉまたはＳｉＣからなり、他方の部材２がＡｌまたはＣｕからなる。 （もっと読む）

【課題】異種金属を添加しないアルミニウム部材を窒化アルミニウム基板や酸化アルミニウム基板などのセラミックス基板にろう材を介さずに直接接合することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】純度が９９．５％以上のアルミニウム板１２をセラミックス基板１０の少なくとも一方の面に接触させ、不活性ガス中において６２０℃〜６５０℃の温度に加熱することにより、アルミニウム板１２をセラミックス基板１０に直接接合する。 （もっと読む）

本発明は、金属部分、セラミック部分、およびろう付けにより上記部分の各々に組み立てられる少なくとも１つの接続用スペーサーを含む接続部に関する。前述の接続用スペーサー（１０’）は、上述の部分にそれぞれろう付けされる少なくとも２つの平坦な領域（１１、１２）を有する変形可能な層からなる。更には、上記２つの平坦な領域（１１、１２）は、金属部分とセラミック部分に向かって交互に配向されている少なくとも２つの非ろう付け波状形（１９、２０）を有する、変形可能な領域（１３’）により相互接続される。
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【課題】ネジ止め等のためにセラミックス基板に貫通孔が形成されると共に、この貫通孔を保護するために補強部材が設けられたセラミックス回路基板を製造するための製造方法を提供すること。
【解決手段】表裏両主面を貫通する貫通孔２を有する板厚が０．８ｍｍ以下のセラミックス基板１と、前記セラミックス基板の主面上に設けられた回路板と、前記貫通孔の前記主面側の端部に設けられた補強部材３とを具備するセラミックス回路基板の製造方法であって、前記貫通孔を有するセラミックス基板の少なくとも前記回路板が設けられる部分に金属板４を接合すると共に、前記補強部材が設けられる部分に金属板を接合した後、前記回路板が設けられる部分に接合された金属板および前記補強部材が設けられる部分に接合された金属板をエッチングすることにより前記回路板および前記補強部材とするもの。 （もっと読む）

【課題】珪素とホウ素を含有するアルミニウム合金からなる部材がセラミックス基板に接合したアルミニウム−セラミックス接合基板において、アルミニウム合金の結晶粒を微細化して粒界を増加させるとともに、アルミニウム−ホウ素化合物の析出を抑制し、良好にエッチングを行うことができ且つめっき性を向上させることができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素０．１〜１．５重量％とホウ素０．０２〜０．１重量％を含有するとともに、鉄０．００５〜０．２重量％と、亜鉛、銅、銀およびマグネシウムからなる群から選ばれる１種以上の元素０．００５〜０．３重量％と、チタン、バナジウムおよびマンガンからなる群から選ばれる１種以上の元素０．００１〜０．０５重量％とのうちのいずれかを含有するアルミニウム合金からなるアルミニウム合金板１２を、溶湯接合法によりセラミックス基板１０に接合する。 （もっと読む）

【課題】機械的特性がすぐれ、実装信頼性が優れたセラミックス基板およびセラミックス回路基板の提供。
【解決手段】セラミックス基板にスクライブ加工を施す工程、スクライブラインまたはスクライブドットに沿ってセラミックス基板を分割する工程、分割したセラミックス基板の側面に研磨加工を施しＲａ０．３〜０．７μｍかつＲｍａｘ３．０〜７．０μｍにする工程を具備するセラミックス基板の製造方法、およびこのセラミックス基板の両面に金属板を接合するセラミックス回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール等の大電力電子部品の実装に好適な耐ヒートサイクル性に優れた金属セラミック回路基板及びこの基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体実装用絶縁基板においてはセラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とするシリコン、銅、亜鉛またはニッケルを含有する金属層を形成し、金属層のビッカース硬度が25以上、40未満とする。セラミックス基板はアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる一種とする。セラミックス基板の他面に半導体チップを設けパワーモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】 熱膨張係数差に起因する熱応力が相対的に小さく、高い強度及び優れた耐久性を示し、高温酸化雰囲気下で使用した場合であっても、長期間に渡って高い耐熱性、耐酸化性を示す金属電極／セラミックス接合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 セラミックスと、該セラミックスの少なくとも一方の表面に接合された金属電極とを備え、前記金属電極は、連続体であり、かつ、複数個の凹部を有している金属電極／セラミックス接合体。このような金属電極／セラミックス接合体は、所定の凹凸構造を有する金属シートとセラミックスとを重ね合わせ、金属シートとセラミックスとを所定の条件下で加熱処理及び／又は電圧印加することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】接合の強度が高く、変形が小さい接合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】接合体１０は、セラミックスを含む第一部材１１と、金属を含む第二部材１２と、ガラス転移温度が１００℃以下である熱可塑性樹脂を含み、第一部材と第二部材とを接合する接合層１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温ヒートサイクルに対する信頼性の高いアルミニウム−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】３点曲げの抗折強度が５００〜６００ＭＰａのセラミックス基板に、ビッカース硬度３５〜４５のアルミニウム合金からなるアルミニウム部材を接合する。セラミックス基板として、高強度窒化アルミニウム、窒化珪素、ジルコニア添加アルミナまたは高純度アルミナからなるセラミックス基板を使用し、アルミニウム合金として、ケイ素およびホウ素を含むアルミニウム合金、または銅を含むアルミニウム合金を使用する。 （もっと読む）

【課題】 パワーモジュール用基板の高効率生産、および導体パターンの細線化を実現する。
【解決手段】 セラミックス基板１２の表面に、揮発性有機媒体の表面張力によって、ろう材箔１５ａを仮固定するとともに、ろう材箔１５ａの表面に、前記表面張力によって、母材１３ａから打ち抜かれた導体パターン部材１３ｂを仮固定した後に、これらを加熱し、前記揮発性有機媒体を揮発させるとともに、導体パターン部材１３ａをその厚さ方向に加圧し、ろう材箔１５ａを溶融させて導体パターン部材１３ｂをセラミックス基板１２の表面に接合する。 （もっと読む）

【課題】 接合強度の強い、接合界面近傍にＧｅ濃化領域を有す接合部を介して接合された、シリコン系セラミックスを有する複合材を提供する。
【解決手段】 シリコン系セラミックス部材と接合相手部材が、アルミニウムを主成分としゲルマニウムを０．１重量％〜５０重量％含む接合部で接合された複合材であって、前記接合部は、前記シリコン系セラミックス部材との接合界面近傍に、第１のゲルマニウム濃化領域が形成されていることを特徴とする複合材を提供する。 （もっと読む）

【課題】
回路基板のベース板として好適な、高温領域においても高熱伝導性で低熱膨張係数を有するアルミニウム合金-炭化珪素質複合体を提供する。
【解決手段】
アルミニウム板を炭化珪素質多孔体で挟んだ複合体に、アルミニウム合金を含浸して得られるアルミニウム合金-炭化珪素質複合体であって、複合体中のアルミニウム板と炭化珪素質多孔体の厚さの比が、１：９〜６：４の範囲にあることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体。 （もっと読む）

【課題】一方の部材に形成された凸部を他方の部材に形成された凹部に形成された尖（せん）頭突起に押し付けて塑性流動させることによって、複数の部材を、特別な設備を使用することなく、かつ、多量のエネルギーを消費することなく、容易な操作によって、強固に結合することができるようにする。
【解決手段】幅狭の入口１４及び幅広の奥部１５から成り、底面１６に尖頭突起を備える凹部が形成された母材１１と、凸部が形成され、該凸部が前記尖頭突起の尖頭１８を起点とする塑性流動を起こして前記凹部に嵌（かん）合することによって、前記母材１１に結合される結合材２１とを有する。 （もっと読む）