【課題】低温度で製造できると共に、窒化アルミニウムを高密度とすることができ、しかも、半導体モジュール等の発熱体と熱交換器との間に介在されたときに発熱体と熱交換器との間で電気的絶縁性を確保しながらも発熱体から熱交換器への熱抵抗の増大を抑える。
【解決手段】溶融アルミニウム４を窒素ガス雰囲気中でマグネシウム５を助剤として９００から１３００℃までの範囲に昇温して窒化アルミニウム６を溶融アルミニウム４上に直接形成し、アルミニウム４と窒化アルミニウム６とを接合し、Ａｌ−ＡｌＮ複合材料８を製造する。窒化アルミニウム粉末を１９００℃以上の高温度で焼結する工程を行う必要がない分、１９００℃以上の高温度に対して９００から１３００℃までの範囲の低温度で製造できると共に、窒化アルミニウム６を高密度とすることができる。 （もっと読む）

【課題】拘束力が緩むことなく、セラミック基板と金属板とを確実に接合することができる回路基板接合治具及び回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体Ｗを挟持する第１挟持板１１及び第２挟持板１２と、一端側が第２挟持板１２に固定されるとともに、他端側が第１挟持部材１１を貫通する複数の支柱部材１４と、第１挟持板１１よりも支柱部材１４の他端側に固定される固定部材１３と、第１挟持板１１の固定部材１３側を向く面に配置された膨張部材１６と、固定部材１３と膨張部材１６との間に介装されたコイルバネ１７とから回路基板接合治具１１を構成し、コイルバネ１７をカーボンコンポジットから構成するとともに、膨張部材１６をカーボンコンポジットよりも線膨張係数の高い材料から構成する。 （もっと読む）

【課題】高温で動作する半導体チップの使用温度に耐える耐熱性を有するとともに接合温度を低くできるろう材の接合方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るろう材の接合方法は、回路板１１と半導体チップ１３との間にＡｇ−Ａｌのろう材１２を配置し、前記ろう材１２を２００℃〜５００℃の温度に加熱することにより、回路板１１と半導体チップ１３を接合するろう材の接合方法であって、前記ろう材１２の金属成分は、Ａｌ粉末が５〜６５ｍａｓｓ％含有され、残部に平均粒子径が５０ｎｍ以下のＡｇ粉末が含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、キャリア金属層（１）とグラファイト層（３）との間の接合部（５）の製造法に関する。本発明によれば、該方法は以下の工程を有する：キャリア金属層（１）を準備する工程；該キャリア金属層と接合されるグラファイト層（３）を準備する工程；少なくとも１種の金属（４）を含有する接着層（２）を、該キャリア金属層（１）と該グラファイト層（３）との間に配置する工程；該キャリア金属層（１）を該グラファイト層（３）と接合する工程、その際、該接合工程は拡散工程を包含し、該拡散工程において金属（４）は、少なくとも部分的に該グラファイト層（３）及び／又は該キャリア金属層（１）の中に導入されるよう促され、その際、該金属は本質的に固相のままである。
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【課題】本発明は、大型の加圧装置を用いることなく容易に接合でき、実用に耐える接合強度が得られるＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金をマトリックスとし、強化材にセラミックスを用いたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士を接合するための接合材であって、芯を構成する芯材と、表層を構成する表層材と、前記芯材と前記表層材との間に形成された中間層と、を含むことを特徴とするＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材。前記芯材の主成分がＺｎであり、前記表層材の主成分がＡｌである。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、回路面へのろう材の付着を防止しながら、セラミックス基板を破損せずに余剰のろう材の除去が可能であるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材４２を介在させて前記セラミックス基板４１と前記金属板４３，４４とを積層した積層体４０を、前記セラミックス基板４１よりも大面積であってこのセラミックス基板４１および前記金属板４３，４４全面を覆う２枚の加圧板４５間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程において、前記セラミックス基板４１の辺部に対して前記金属板４３，４４の角部４３ｂ，４４ｂの先端部がほぼ一致するように、これらセラミックス基板４１および金属板４３，４４が配置される。 （もっと読む）

本発明は複合材料に関し、その複合材料は少なくとも１つのセラミック層又は少なくとも１つのセラミック基板、及び少なくとも１つのセラミック基板の所定の表面の上に金属層で形成された金属皮膜から構成される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含有してなるセラミックス基板と金属部材とを接合させた際に充分な接合強度が得られ、熱サイクル時における接合信頼性が高められるセラミックス基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉを含有するセラミックス母材を焼結する工程Ｓ１０と、前記セラミックス母材の表面にフッ化物イオンを含むガスを用いてドライエッチングを施す表面処理工程Ｓ２０と、前記セラミックス母材の表面の酸化シリコン及びシリコンの複合酸化物の濃度を電子プローブマイクロアナライザを用いた表面測定で２．７Ａｔｏｍ％以下とする工程Ｓ３０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の異なる材質からなる二種の部材を、簡易な方法によってろう付接合して熱伝達効率の高い接合体を形成する方法およびその接合体を用いた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、第１の部材１と、前記第１の部材１と熱膨張係数が異なる第２の部材２との間に、ヤング率が１５０ＧＰａ以下でありかつ融点が１５００Ｋ以下である第３の部材３を、金属ろう材５を介して配設してろう付接合することを特徴とする異材接合体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】最終製品だけでなく、レジスト膜印刷時にも反りのない状態とする、あるいは、必要に応じて若干の反りを生じさせるなどの反りを制御する。
【解決手段】セラミックス基板２の表裏両面に金属板６，７がろう付け接合されるとともに、その表面側の金属板６に回路パターンが形成されてなるパワーモジュール用基板３であって、両金属板６，７のうちの少なくとも表面側の金属板６の表面に、内部応力を圧縮応力とした反り制御用めっき被膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素を母材としたセラミックス基板へのアルミニウム板の接合性を向上させたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素を母材とするセラミックス基板２の上に回路層用アルミニウム板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、窒化アルミニウム又はアルミナのうちのいずれか又はこれらの混合物からなるセラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用アルミニウム板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

【課題】過酷な熱サイクル環境の下でも割れ等の発生のないパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の上に回路層用金属板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用金属板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

【課題】陶磁器類の釉薬若しくは素地上に低融点金属を強固かつ低温で接合した陶磁器類、その製造方法およびその接合技術を提供する。
【解決手段】陶磁器類の釉薬若しくは素地材料上に、アルミ箔などの金属材料を重ねて接触させ、融点以下に加熱し、直流電圧を印加することにより、陶磁器類を構成する釉薬および素地材料中のガラス相に含まれるナトリウムなどのアルカリ金属イオンが移動することで表面に電荷を帯び、金属材料との間に静電的な引力が作用し、この静電引力により釉薬材料と金属材料が密着し、更に金属の界面の金属材料が酸化され、強固な接合界面を形成することで、金属材料を強固に接合した陶磁器類を製造する方法、およびその製品。
【効果】５００℃以下の低温で、陶磁器類と金属の接合体を形成することが可能な新しい陶磁器類の接合技術を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】気体のリークを防止できるほど良好な気密性を有し、かつ、接合部の強度が高いＡｌ合金-セラミックス複合材料接合体を提供する。
【解決手段】Ｍｇを０．５〜５質量％含んだＡｌ合金をマトリックスとしたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士が、その組成がＡｌ、Ｚｎおよび、その他不純物成分からなり、ＡｌとＺｎの質量比Ａｌ／Ｚｎが０．８５〜２．３３である接合材を用いてなる接合層を介して接合された接合体であって、前記接合層に接したＡｌ合金−セラミックス複合材料のマトリックスのＡｌ合金中に前記接合材のＺｎが拡散した拡散層を有する。 （もっと読む）

【課題】高温酸化雰囲気下で使用される金属／セラミック接合体において、金属材料の耐熱性及び／又は耐酸化性、並びに、耐久性を向上させること。
【解決手段】セラミック材料と、該セラミック材料の表面に接合された金属薄層と、該金属薄層の表面に形成された表面層とを備え、前記表面層は、前記金属薄層への酸素の拡散を抑制する機能を有する第２の酸化膜を形成可能な第２の酸化膜形成元素の含有量が前記金属薄層より多い層からなる金属／セラミック接合体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半田流れによる回路の短絡や部品の接合不良が少なく動作信頼性に優れ、高い製造歩留りで容易に量産することが可能なセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の表面に厚さが０．１〜０．５ｍｍである複数の金属回路板３を接合し、上記金属回路板３の表面に半田層７を介して半導体素子８などの部品を一体に接合したセラミックス回路基板１の製造方法において、上記部品を半田接合する金属回路板３，３の少なくとも他の金属回路板３，３と隣接する周縁部に半田流れを防止する突起９、９ａを形成する工程と、この突起９、９ａの高さが５〜５０μｍの範囲であり、突起９、９ａの幅が０．１〜０．５ｍｍの範囲に調整する工程とを備え、上記突起９，９ａとして、金属板素材をプレス成形により打ち抜いて所定の金属回路板とする際に、回路板周縁に形成されるばりをそのまま突起として利用することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】温度変化があっても割れ等が生じ難い複合部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体で形成されたセラミック部２と金属のマトリックスにセラミックスの強化材が分布してなる金属基複合材料で形成され、金属層を介することなくセラミック部に直接に結合する複合材料部３と、を備える。従来両者の間にあった金属層の膨張や収縮による応力が生じないため、たとえばセラミックス部２と複合材料部３との熱膨張率の差を低く設計しておけば、セラミックス部２の割れ等を防止することができる。また、ろう材による接合等では、用途によりろう材の成分が不純物となり拡散しうるが、本発明の複合部材１では、このような汚染が生じ難い。 （もっと読む）

少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部で覆われているセラミックボディを有するコンポーネントの場合、金属被覆部の耐久性および接着強度の問題が起こり得る。従って本発明により、セラミックボディの表面上の材料がメタライズ部の箇所で面全体または面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および／または結晶学的および／または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質されており、かつセラミックボディと接合される少なくとも０．００１ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する少なくとも１つの緻密な層または多孔性の層を形成し、前記層は少なくとも１つの均質なまたは不均質な新規の材料から成ることが提案される。
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【課題】セラミックスやチタン、アルミニウム、クロムのような表面に強固な酸化膜を有する金属材料においても、フィレットが裾野状に形成され、信頼性が高く強固な接合部が得られるろう付けを連続して行なうことを可能にしたろう付け方法を提供すること。
【解決手段】被ろう付け部材の接合部に金属水素化物粉末を添加したろう材を配置し、炉内を炭素質で構成するとともに、炉内を不活性ガス雰囲気とした連続式加熱炉内に前記被ろう付け部材を搬送し、前記金属水素化物を熱分解させるとともに、ろう材を加熱溶融させて前記被ろう付け部材を接合する。ろう付け後の被ろう付け部材のフィレットは、裾野状に形成される。 （もっと読む）

【課題】
回路基板のベース板として好適な半田濡れ性を有するアルミニウム合金-炭化珪素質複合体を提供する。
【解決手段】
アルミニウム合金-炭化珪素質複合体の表面にニッケルめっきを施し、さらにその上に、炭素数が１０〜２０の高級脂肪酸をコーティングしてなることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体であり、高級脂肪酸のコーティング量が、０．０１〜３．０ｇ／ｍ²であることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体である。 （もっと読む）