【課題】原料収率を向上させ、製造コストを低減させることが可能なハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の四角柱状のハニカム焼成体２の中の少なくとも１個のハニカム焼成体を切断して三角セグメント３を作製し、三角セグメント３に、断面形状が三角形の筒状のアルミニウム又はアルミニウム合金製の補助部材４を、それぞれの斜辺が対向するようにして貼り付けて、四角柱状の擬似四角セグメント５を作製し、中心軸に直交する断面において、三角セグメント３の直交する２つの辺が四角柱状のハニカム焼成体２に接するとともに、補助部材４の直交する２つの辺が最外周を構成するようにして、四角柱状のハニカム焼成体２と四角柱状の擬似四角セグメント５とを、接合材１３で接合しながら組み合わせ、最外周から加圧してハニカムブロック体を作製し、ハニカムブロック体の外周部分を研削してハニカム構造体を得るハニカム構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の両面にろう材１２を介してＣｕ板１４を接合した後、 Ｃｕ板１４の表面の所定の部分にＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１６を塗布してＣｕ板１４の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジスト１６を維持したまま、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し（あるいは、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし）、その後、レジスト１６を剥離し、 Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ１８を施す。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ａｇが固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍におけるＡｇ濃度が０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミック板との間の界面剥離を防止することができるし、製造コストの低減を図ることができ、更に、放熱特性を向上させることができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材１は、セラミック板4の一方の片面4aにＣｕまたはＣｕ合金からなるＣｕ板2が、セラミック板4の他方の片面4aにＡｌまたはＡｌ合金からなるＡｌ板3が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されている。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミック板との間の界面剥離を防止することができ、更に、製造コストの低減を図ることができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材１は、複数枚の金属板2,3と１枚のセラミック板４とが、金属板２とセラミック板４とが隣接するように積層されるとともに、隣り合う金属板2とセラミック板４とが放電プラズマ焼結法により接合されたものである。セラミック板４と隣接する全ての金属板2,3の融点の差が１４０℃以内である。セラミック板４における金属板２と接合された側の面4aの外周縁4zよりも内側に、金属板２のセラミック板４との接合面2aが位置している。 （もっと読む）

【課題】互いに積層状に配置された金属板とセラミック板とを備えた積層材であって、最外側にＮｉを主成分とする金属板がＮｉ層として配置された積層材を安価に製造することができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材1は、複数枚の金属板2,3,31と少なくとも１枚のセラミック板4とが、金属板2,3,31とセラミック板4とが隣接するように、且つ、少なくとも２枚の金属板3,31が互いに隣接するように積層されるとともに、隣り合う金属板3,31どうし、および、隣り合う金属板2,3とセラミック板4とが放電プラズマ焼結法により接合されている。前記少なくとも２枚の金属板のうち最外側に配置された金属板31が、Ｎｉを主成分とするＮｉ板である。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス回路基板と金属ベース板の放熱性が高く信頼性に優れた、安価なパワーモジュール構造体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス回路基板１の熱膨張係数をα（×１０^−６／Ｋ）、応力緩和板２の熱膨張係数をβ（×１０^−６／Ｋ）、金属ベース板３の熱膨張係数をγ（×１０^−６／Ｋ）とした時、（α＋γ）／２−４＜β＜（α＋γ）／２＋４を満たす熱膨張係数を有し、板厚が０．５〜３．０ｍｍで温度２５℃の熱伝導率が１００Ｗ／(ｍ・Ｋ)以上、３点曲げ強度が５０ＭＰａ以上の応力緩和板２の表面に金属層を形成した後、セラミックス回路基板１と金属ベース板３との間にはんだ付け又はロウ付けしてなるパワーモジュール構造体。 （もっと読む）

【課題】打ち抜き加工により形成された導体パターン部材をセラミックス基板に確実に接合するとともに、ろう材がパターン面に付着するのを防止する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、金属板の打ち抜き加工により形成された導体パターン部材１２の裏面１２ａがろう付けされてなるパワーモジュール用基板１０であって、導体パターン部材１２の表面１２ｂと側面１２ｃとの稜線部に、側面１２ｃから表面１２ｂに沿う方向に突出するフランジ状突起１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムからなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、セラミックス基板１１は、酸素又は窒素を含有しており、金属板１２、１３には、Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｇ及びＧｅから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、さらに、金属板１１、１２とセラミックス基板１１との界面部分には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ及びＭｏから選択される１種又は２種以上の活性元素が介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属回路板の熱伝導性および電気伝導性が良好であり、金属回路板としてのクラッド材とセラミックス基板との接合の信頼性が高く、且つ安価に製造することができる、金属−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
鋳型内においてセラミックス基板１０の一方の面に金属ベース板１２を直接接合するとともに他方の面に第１の金属板１４の一方の面を直接接合する際に、第１の金属板１４の他方の面に第２の金属板１６を直接接合することにより、第１の金属板１４と第２の金属板１６とからなるクラッド材をセラミックス基板１０に直接接合する。 （もっと読む）

【課題】高温ヒートサイクルに対する信頼性の高いアルミニウム−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】３点曲げの抗折強度が５００〜６００ＭＰａのセラミックス基板に、ビッカース硬度３５〜４５のアルミニウム合金からなるアルミニウム部材を接合する。セラミックス基板として、高強度窒化アルミニウム、窒化珪素、ジルコニア添加アルミナまたは高純度アルミナからなるセラミックス基板を使用し、アルミニウム合金として、ケイ素およびホウ素を含むアルミニウム合金、または銅を含むアルミニウム合金を使用する。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ又はＳｉ_３Ｎ_４からなるセラミックス基板１１の表面に純アルミニウムからなる金属板１２、１３が接合されたパワーモジュール用基板であって、金属板１２、１３とセラミックス基板１１との接合界面には、Ｃｕ濃度が金属板１２、１３中のＣｕ濃度の２倍以上とされたＣｕ高濃度部３２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉとＣｕを固着させるＳｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１と、固着したＳｉ及びＣｕを介してセラミックス基板と金属板とを積層する積層工程Ｓ２と、積層方向に加圧するとともに加熱して溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、この溶融金属領域を凝固させる凝固工程Ｓ４と、を有し、Ｓｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１において、セラミックス基板と金属板との界面に、Ｓｉ；０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下、Ｃｕ；０．０８ｍｇ／ｃｍ^２以上２．７ｍｇ／ｃｍ^２以下を介在させ、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ及びＣｕを金属板側に拡散させることにより溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）

本発明は、アドバンストセラミックスと金属化合物等の熱膨張係数の異なる材料を結合するための効果的な手段に関する。さらに、本発明は、炉管、および異なる２種の材料間にある、結合材料間に実質的に傾斜した熱膨張係数を提供するように組成的に傾斜している結合部を製造する方法に関する。
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【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの形成を抑制してろうこぶの除去作業を不要とし、ろうこぶの除去作業によるセラミックス基板の破損を防止するとともに、精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体を提供する。
【解決手段】一対の略矩形の加圧板６０間で加熱することにより、セラミックス基板２０の表面に金属板３０の裏面をろう付けする接合工程を有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、金属板３０の表面に、１つの角部を形成する２辺に沿って、加圧板６０から離間する所定幅の逃げ面３２を設け、接合工程において、セラミックス基板２０、ろう材４０および加圧板６０の各１つの角部を金属板３０の角部に一致させるようにこれらを積層するとともに、加圧板６０の表面と金属板３０の逃げ面３２との間にろう溜まり空間５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで製造可能であるとともに、反り、ろう付け不良の発生を最小限に抑えることが可能なヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びこれを備えたパワーモジュール、並びに、ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、セラミックス基板の表面及び裏面にそれぞれ接合されたアルミニウムからなる第一の金属板１２及び第二の金属板１３と、第二の金属板に接合されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるヒートシンク４とを備え、第一の金属板及び第二の金属板のそれぞれとセラミックス基板とがＳｉを含有するろう材を用いて接合されるとともに、接合界面にＣｕが添加されており、各金属板にはＳｉ及びＣｕが固溶しており、それぞれの前記接合界面から５０μｍの範囲におけるＳｉ濃度が０．０５〜１ｗｔ％，Ｃｕ濃度が０．０５〜４ｗｔ％の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属と同時焼成が可能であり、しかも高い機械的強度と低熱膨張性を実現する、高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法の提供。
【解決手段】式（１）


（式中、ａは質量比で０．０４〜０．２５であり、α、β、γ及びδは質量％比でα：β：γ：δ＝７．６〜１３．２：４．０〜１０．３：１３．０〜３０．４：５３．７〜７２．８である。）で示される組成を有する複合酸化物を含む高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法。 （もっと読む）

セラミックの表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜を形成する方法であって、前記セラミックの金属被覆される表面をアルミニウム又はアルミニウム合金溶融液に含漬する工程と、前記表面を前記溶融液に対して移動させ、又は前記溶融液の中で静止させて、前記アルミニウム又はアルミニウム合金の溶融液を前記セラミックの金属被覆表面に付着させる工程と、前記セラミックの金属被覆表面を前記溶融液から移動させながら取り出し、前記表面に付着したアルミニウム又はアルミニウム合金液膜を自然冷却させて、前記表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜が接合されたセラミックを得る工程と、を含むことを特徴とする方法。本発明のセラミックの表面にアルミ薄膜及びアルミ合金薄膜を接合する方法によって、セラミックの表面に厚さ数μｍ〜数十μｍのアルミ又はアルミ合金膜を形成できる。この薄膜は、その内部に酸化膜不純物及び気泡などの微視的欠陥は存在しないため、純アルミの良好な物理と力学性能を持つ。この表面金属被覆層を用いて、セラミック同士及びセラミックとアルミとのろう接が可能となる。セラミックと金属を接合する方法及び装置もまた提供される。 （もっと読む）