【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】反り量が小さく、ヒートシンクとの接合が容易なパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の両面に、それぞれろう材を介在させて回路層用金属板およびこの回路層用金属板よりも厚い放熱層用金属板を厚さ方向に積層してなる基板積層体を形成し、この基板積層体を、カーボン製板材からなる厚さ０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の第１挟装体と、厚さ０．２ｍｍ以上４．０ｍｍ以下のグラファイトシートおよびこのグラファイトシートを挟んで積層された厚さ０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の２枚のカーボン板からなる板状の第２挟装体とにより挟み、これらを加熱しながら積層方向に加圧することにより、前記基板積層体における前記セラミックス基板と各金属板とをろう付するパワーモジュール用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】十分な機械強度を有するとともに高い耐熱性を有する、セラミック体と金属体との接合体を提供する。
【解決手段】窒化珪素質セラミック体２と、Ｎｉを主成分とする金属体４と、前記窒化珪素質セラミック体と前記金属体との間に配置されて前記窒化珪素質セラミック体と前記金属体とを接合している接合部６とを備えるセラミック体と金属体との接合体であって、前記接合部は、前記窒化珪素質セラミック体に接している、主成分としてＣｒを含むとともにＮを含む第１接合層１２と、該第１接合層と前記金属体との間に配置されて前記第１接合層と接している、Ｃｒ、Ｎ、およびＴｉを含む第２接合層１４とを有し、該第２接合層に比べて前記第１接合層の方が、Ｃｒの含有割合が高いことを特徴とするセラミック体と金属体との接合体。 （もっと読む）

【課題】接合部同士の短絡が生じにくく、めっきやスパッタよりも接合強度が高い、金属焼結膜により金属部品同士を銅微粒子の焼結により接合する方法を提供する。
【解決手段】セラミック板表面に、銅微粒子（Ｐ）と分散媒（Ａ）を含む加熱接合材料からなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板を配置後、該加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子（Ｐ）焼結体からなる接合層（Ｌ）を形成することにより、
セラミック板と導電性金属板とが接合層（Ｌ）を介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子（Ｐ）が平均一次粒子径２〜５００ｎｍの銅微粒子（Ｐ１）を含み、接合層（Ｌ）の空孔率が３〜３０体積％で平均空孔径が５〜５００ｎｍであり、厚みが０．００５〜０．５００ｍｍであることを特徴とする、セラミック接合体。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導特性と高い強度特性を有する、半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板と、それを有利に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】焼結助剤が添加されていない原料組成物を焼成して得られた、ＺｒＯ₂ ：２〜１５重量％、Ｙ₂ Ｏ₃ ：０．０１〜１重量％及びＡｌ₂ Ｏ₃ ：残部からなる焼結基板であって、Ａｌ₂ Ｏ₃ の平均結晶粒子径が２μｍよりも大きく、７μｍ以下であると共に、Ａｌ₂ Ｏ₃ 粒界長さが粒界総長さの６０％以上となるように構成して、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり且つ曲げ強度が５００ＭＰａ以上である特性を付与した。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体基板と金属基板との接合強度の向上効果を発揮するのみでなく、更に、高強度で熱サイクル特性に優れた窒化アルミニウム−金属接合基板を安定にかつ再現性よく得ることのできる窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記窒化アルミニウム焼結体の被処理面に金属基板を接合するに際し、前記砥粒として窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、圧縮空気と共に、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して作用する圧力が０．１０〜０．２５ＭＰａとなるように噴射して、Ｘ線回折を用いたｓｉｎ^２ψ法により求めた該被処理面の窒化アルミニウムの（１１２）面の残留応力値が−５０ＭＰａ以下、かつ、表面粗さが０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体基板の表面に付着する離型材などを確実に除去しつつ、金属基板接合後の窒化アルミニウム−金属接合板の抗折強度と熱サイクル特性に優れる窒化アルミニウム−金属接合基板を安定してかつ再現性よく得ることを可能にした製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記被処理面に金属基板を接合する方法であって、前記砥粒として、窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して、該被処理面にかかる圧力が０．０７〜０．１２ＭＰａとなるように噴射する。 （もっと読む）

【課題】 セラミックスにアルミニウム溶湯を接触させて接合する溶湯接合法において、鋳型もセラミックスと同様アルミニウム溶湯と反応し、鋳型が損傷したり寿命が短くなるといった不具合が発生することがあった。
【解決手段】本発明においては金属からなる鋳型にアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯し、該溶湯を加圧した状態でセラミックス部材を該溶湯中に挿入した後、冷却することで、金属−セラミックス接合部材を得ることができるとともに、鋳型の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】金属セラミックス接合基板を製造するコストを低減する要請があり、例えばろう材を形成する工程のコスト低減が考えられる。
【解決手段】金属板上にコールドスプレー法によりろう材を形成する工程と、セラミックス基板上に金属板上の前記ろう材が接触するように金属板を配置する工程と、配置された前記ろう材が形成された前記金属板と前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合することにより金属セラミックス接合基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ｃｕを固着し、Ｃｕを含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と、非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されており、前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子が、０．０５μｍ以上３μｍ以下の短軸径と３以上２０以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子のセラミックス基板に占める割合が、５面積％以上９５面積％以下であり、前記非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはＣｕが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはＡｇが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができ、かつ、ヒートシンクとパワーモジュールとの接合信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板、基板製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、前記セラミックス基板１１の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板１２と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板１３と、該第二の金属板１３の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンク４０とを備え、前記第一の金属板１２及び前記第二の金属板１３のうち前記セラミックス基板１１との接合界面近傍にはＡｇが固溶されており、前記第二の金属板１３及び前記ヒートシンク４０の接合界面近傍にはＣｕが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程のみによってセラミックス基材とアルミニウム合金等とを充分な強度で接合しつつ、優れた熱サイクル疲労特性が得られるセラミックスとアルミニウムとの接合方法を提供する。
【解決手段】２００〜４００℃に加熱した作動ガスとアルミニウム粉末とを、スプレーガンのノズルから噴出させ、セラミックス基材に衝突させてセラミックス基材上にアルミニウム皮膜を形成する工程と、アルミニウム皮膜とアルミニウム又はアルミニウム合金とをろう付けする工程と、を備えることを特徴とするセラミックスとアルミニウムとの接合方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、両金属層に同じ材質のものを使用しても、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】放熱特性が良好であるとともに、セラミックスからなる支持基板に大きな反りが発生することの少ない、信頼性の高い回路基板およびこれを用いた電子装置の提供。
【解決手段】窒化珪素を主成分とする支持基板１の第１主面に、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の活性金属を含むろう材からなる第１の接合層３ａ，３ｂを介して、銅を主成分とする回路部材２ａ，２ｂが設けられた回路基板10であって、支持基板１の第１主面の表面に、窒化珪素の結晶粒子が活性金属を含む珪化物の結晶粒子によって連結されている回路基板10である。 （もっと読む）

【課題】軟質のアルミニウムと他の材料とのろう付品の製造に際し、冷熱サイクルに対して接合界面の応力が緩和されて割れにくいろう付品を簡単な工程で製造する。
【解決手段】Ａｌ純度が９９．９質量％以上のアルミニウム基材（10）の少なくとも一つの面の表面に、コールドスプレーによって平均粒径２５μｍ以下のＳｉ粒子（11）を衝突させてＳｉ付着量が３〜１０ｇ／ｍ^２のＳｉ層（12）を形成し、さらに、物理蒸着によりＭｇ付着量が０．３ｇ／ｍ^２以上のＭｇ皮膜（13）を形成することによりろう付用材料（15）を作製し、前記ろう付用材料（15）と他の材料（16）とを組み付けて真空ろう付する。 （もっと読む）

【課題】高温になると短寿命になったり、故障したりするＬＥＤパッケージ、高負荷半導体、高負荷コンデンサー、集光型太陽光発電素子などの冷却に有用な電気絶縁性を有する放熱基板を提供する。
【解決手段】電気絶縁性を有するセラミック板３と、熱拡散率の良好な黒鉛板４を隣接させて、高圧鋳造することにより、安価で、接合強度も強く、かつ良好な熱拡散率を有する放熱基板を完成する。黒鉛として、炭素繊維の黒鉛化したものの使用も可能である。 （もっと読む）

【課題】直接ボンディングプロセスにより、単純で経済的に実施可能な方法で、両面が金属とされた金属−セラミックの基板を製造する。
【解決手段】第１及び第２の金属板１，３と、第１の金属板と第２の金属板との間に配置されたセラミック基板２と、からなる構成体を保持体４の上に置き、構成体を加熱によって接合し、両面が金属とされたセラミック基板を得る。保持体４は、構成体に面する上面に、構成体が保持体上に置かれる接触点４Ｂが複数個形成されるように構成され、保持体４は、構成体に面する上面に、構成体に向けて先細りする形状の、複数の突状集合体４Ａを有している。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｇａ及びＬｉから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）