酸化アルミニウムからなる焼結成形体から知られている特性は、硬度、老化安定性、水に対する湿潤特性ならびに高い熱伝導性であり、酸化ジルコニウムからなる焼結体から知られている特性は、高い強度及び高い破壊靱性、つまり損傷許容性である。これらの特性全てが統合されたセラミック材料を得るために、高い割合の酸化アルミニウムならびに酸化ジルコニウムおよび場合によりアルミン酸ストロンチウムからなる材料を提案する。 （もっと読む）

本発明は、亜酸化ホウ素及び第二相を含み、その第二相がホウ化物を含有する、亜酸化ホウ素複合材料を提供する。ホウ化物は、周期律表の第４族〜第８族の遷移金属のホウ化物から選ばれることができる。特にホウ化物は、鉄、コバルト、ニッケル、チタン、タングステン、ハフニウム、タンタル、ジルコニウム、レニウム、モリブデン又はクロムのホウ化物から選ばれることができる。そのホウ化物はまた、白金族金属ホウ化物、好ましくはホウ化パラジウムであることができる。第二相はまた、１種以上の酸化物を含有することができる。 （もっと読む）

焼結成形体は、多数の応用の可能性を提供する。その組成は、特定の元素および／または元素の化合物を適切に添加することによって、そのつど意図される使用に合わせて調整することができる。従って本発明によれば、クロムでドープされた酸化アルミニウム、Ｙで安定化された酸化ジルコニウムおよび可変的なＣｒドープを有するアルミン酸ストロンチウムを含有し、特にメディカルエンジニアリングの適用にとって適切な焼結成形体を提案する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＹとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＹがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｙの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の透明導電膜に比し、その抵抗率が、実用上、十分に低い透明導電膜を得ることのできる透明導電膜用材料を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分として含有する複合金属酸化物であって、さらにドーピング元素として、Ｓｃ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、ＡｇおよびＡｕからなる群より選ばれる１種以上の元素を含有する複合金属酸化物からなる透明導電膜用材料。前記の透明導電膜用材料からなる焼結体。前記焼結体をターゲットとして用いて成膜する透明導電膜の製造方法。前記の透明導電膜用材料からなる透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】グリーンシートを薄層化した場合であっても、十分なシート密度を維持しつつ、シート強度の低下を抑制することができるグリーンシート用塗料を提供すること。
【解決手段】 セラミック粉体と、バインダ樹脂と、溶剤と、分散剤と、を有するグリーンシート用塗料であって、前記分散剤が、沸点１５０℃以下であり、酸性基を有する有機物を含む。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、比抵抗の負の温度係数を有し、以下の一般式で表されるセラミック材料に関する。


ここで、ＳＥ_１^ＩＩＩおよびＳＥ_２^ＩＩＩは異なる希土金属カチオンであり、Ｍ_１^ＩＩおよびＭ_２^ＩＩはＣａ^ＩＩ、Ｓｒ^ＩＩから選ばれ、Ｍｅ_１^ＩＩＩおよびＭｅ_２^ＩＩＩは、酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）３価の金属カチオンである。パラメータについては、０＜ｘ＜１；０＜ｚ＜１；０＜ｙ＜１−ｚを適用する。 （もっと読む）

酸化物重量パーセントに基づいて、a（Al₂TiO₅）+ b（ZrTiO₄）+ c（Y₂O₃）+ d（YPO₄）として表記され、ここで、「a、b、c、およびd」が（a + b + c + d）= 1.00である各成分の重量画分を表し、且つ0.5 ＜ a ≦ 0.95、0 ≦ b ≦ 0.5、0.0 ≦ c ≦ 0.10、および0 ≦ d ≦ 0.5であるものを含む、焼結相セラミック組成物から構成されるセラミック物品が開示されている。また、前駆体バッチ組成物および本明細書に開示されるセラミック物品の製造に関する方法も開示されている。
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多峰性粒径を有するジルコン組成物が開示されている。多峰性ジルコン組成物は、約３μｍより大きく約２５μｍまでのメジアン粒径を有する粗いジルコン成分を約４０質量部より多く、３μｍ以下のメジアン粒径を有する微細なジルコン成分を約６０質量部未満含む。未焼成体を製造する方法および多峰性ジルコン組成物からなる焼成済み耐火セラミック体も開示されている。
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【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れ、低抵抗化が図られ、かつ、高強度である半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置の構成部材に好適に使用することができるプラズマ処理装置用セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】純度９９％以上のアルミナ粉末に、純度９９％以上のタングステン粉末を前記アルミナ粉末に対して５重量％以上３００重量％以下、純度９９％以上のイットリア粉末を前記アルミナ粉末に対して３重量％以上１００重量％以下添加し、成形後、還元雰囲気下または不活性ガス雰囲気下で、１７００℃以上１９００℃以下で焼成し、気孔率が２％以下であり、かつ、３点曲げ強度が２００ＭＰａ以上であるセラミックスを製造する。 （もっと読む）

【課題】特に非鉛系に有効な圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】下記一般式（ＰＸ）で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式（１）〜（３）の関係を充足する条件で、組成を決定する。
Ａ（Ｂ，Ｃ）Ｏ_３・・・（ＰＸ）
（式（ＰＸ）中、Ａ：Ａサイト元素であり、Ｂｉを主成分とする少なくとも１種の金属元素、Ｂ，Ｃ：Ｂサイト元素であり、各々１種又は複数種の金属元素、Ｏは酸素原子。Ｂ及びＣは互いに異なる組成である。）、
０．９８＜ＴＦ（ＰＸ）＜１．０１・・・（１）、
ＴＦ（ＡＢＯ_３）＞１．０・・・（２）、
ＴＦ（ＡＣＯ_３）＜１．０・・・（３）
（式（１）〜（３）中、ＴＦ（ＰＸ）は上記一般式（ＰＸ）で表される酸化物の許容因子、ＴＦ（ＡＢＯ_３）及びＴＦ（ＡＣＯ_３）はそれぞれ（）内に記載の酸化物の許容因子である。） （もっと読む）

耐火セラミックス材料の粉末を製造するための粉末冶金法であって、連続した工程として、（ｉ）二酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）粉末と酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）粉末の乾燥混合物を得る工程と、（ｉｉ）前記乾燥混合物を撹拌下でペレット化によって造粒して粒状混合物を得る工程であって、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）とポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を含む水溶液を前記乾燥混合物に噴霧することを含む工程と、（ｉｉｉ）前記粒状混合物を乾燥する工程と、（ｉｖ）前記粒状混合物を型に充填する工程と、（ｖ）前記粒状混合物を静水圧プレス成形又は半静水圧プレス成形して成形混合物を得る工程と、（ｖｉ）成形混合物を焼結させて２５００℃〜２８００℃の固相線温度を有する耐火セラミックス材料を得る工程と、を含む粉末冶金法。 （もっと読む）

２５００℃〜２８００℃の固相線温度及び８５％を超える稠密度を有し、複合体を構成するミクロ組織を有する耐火セラミックス材料であって、単斜晶構造（１）を有する二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）粒子と、二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）の総モル数に対して０．５〜８モル％の酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）によって安定化された立方晶構造（２）を有する二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）粒子と、閉鎖細孔（３）と、相互接続されていない開放細孔と、を含む耐火セラミックス材料。また、本発明は前記材料の製造方法及び前記材料を含む構造部品に関する。 （もっと読む）

プラズマチャンバ材料としてのイットリウム酸化物の寿命を延長する２つの方法が提供される。１つの方法は、２層の未焼結体を同時焼結することによってプラズマ処理チャンバの３層部品を作成することを備え、１つの層はセラミックパーティクルを備え、第２の層はイットリアパーティクルを備える。２つの層は、焼結処理の間、密に接触する。好ましい実施形態では、３層部品は、イットリアの外層と、ＹＡＧの中間層と、アルミナの第２の外層とを備える。随意的に、ディスは、焼結処理の間、共にプレスされる。３層部品は、低い多孔性を有する。好ましくは、イットリアの外層、ＹＡＧの中間層及びアルミナの第２の外層のいずれかの多孔性は、３％未満である。第２の方法は、部品の全てのイットリア表面上の封止剤をブラッシングして部品に室温で５０ｃＰ未満の粘度の液体嫌気性封止剤を適用することと、部品をウエットクリーニングすることと、ウエットクリーニングした部品を窒素環境における少なくとも１５０℃の温度で２時間以上修復させることと、第１のコートを適用するために用いた手順を繰り返して修復した基板に第２の封止剤コート適用すること、によって、イットリアプラズマ溶射を被覆した部品を封止する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ等の半導体製造装置に用いられる耐食性部材において、その表面に凹凸部を有すると、エッジ効果により、半導体製造装置内に発生させるプラズマが安定せず、エッチングレートが安定しないため、半導体ウエハの成膜効率が低下するという問題があった。
【解決手段】 酸化物セラミック焼結体からなり、ハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマに曝される表面の算術平均高さ（Ｒａ）が３μｍ以下の耐食性部材であって、酸化物セラミック焼結体の平均結晶粒径が１〜50μｍであり、かつその表面の粗さ曲線から求められるスキューネス（Ｒｓｋ）が−1.0〜＋0.5の範囲内の耐食性部材である。半導体製造装置内で発生させるプラズマが焼結体の表面の凹凸部に分散されて、安定性に影響するエッジ効果を低減できるので、エッチングレートが短時間で安定し、半導体ウエハの成膜効率を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、多孔質のセラミックス材料から成るブランクで形成された成形部品（１０）を、高精度のディメンションに焼結する方法に関わる。この成形部品は、焼結時、少なくとも第１の接合部（２０、２２、２４）を通して、前記ブランクから形成された収容部（１４）と接合されている。前記成形部品の焼結時にこの外形が変化することを、単純な製造工程と、構造上単純な処置とによって、確実に防ぐために、本発明では、前記収容部（１４）は、前記第１の成形部品（１０）の周りの少なくとも一部を囲むブランクの一部として、ミル加工などによって前記ブランクから形成され、そして、この形成後、前記収容部は、一方では、第１の接合部（２０、２２、２４、３４、３６）の少なくとも１つを通して前記成形部品と接合され、他方では、第２の接合部（１６、１８、３０、３２）の少なくとも１つを通して、前記収容部を一定の空間だけ離間して囲む残りのブランクと接合される。 （もっと読む）

【課題】焼結助剤を添加せずにより低い焼結温度で緻密な焼結体が得られるためのアルミナ−ジルコニア複合粉末を得る。そしてこの原料粉末をより安価でかつ効率よく製造する方法を提案する。
【解決手段】イットリアを１．５〜４モル％含むジルコニア粉末と、α−アルミナ粉末からなるアルミナ−ジルコニア複合粉末であって、ジルコニア粉末／アルミナ粉末の重量比が１５／８５〜４０／６０でありかつ、ジルコニア粉末中の単斜晶の割合が４５〜６０モル％であることを特徴とするアルミナ−ジルコニア複合粉末。および、イットリアを１．５〜４モル％を固溶させた単斜晶の割合が１０モル％未満のジルコニア粉末を単斜晶率が３５〜４５モル％になるまで単独で湿式粉砕した後、α−アルミナ粉末を加えてさらに湿式粉砕・混合を継続し、ジルコニア粉末の単斜晶の割合が４５〜６０モル％となった時点で粉砕を終了し、得られたスラリーを乾燥させることを特徴とするアルミナ−ジルコニア粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能な高耐食性、耐熱衝撃性、難付着性セラミックスを提供する。
【解決手段】不可避的不純物を含む鉄系酸化物セラミックスを母相とし、融点が1,500℃以上の高融点金属酸化物(M_xO_y、金属元素M: Al、Mg、Ti、Zr、希土類元素の少なくとも1種以上、1≦x≦3、1≦y≦4)5〜20質量%、及び、該高融点金属酸化物と珪素(Si)と酸素(O)と窒素(N)の各元素を含有するSi3N4-Si2N2O-SiO2系の複合相粒子20〜45質量%が、前記母相中に分散していることを特徴とする高耐食性、耐熱衝撃性、難付着性セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】 焼成物の形状や寸法の制限が少ない固体電解質体の焼成用支持具および固体電解質体の製造方法を提供する。
【解決手段】 焼成用セッターが高純度マグネシアで構成されることから、ペロブスカイト構造酸化物から成る固体電解質との反応が十分に抑制される。また、高純度マグネシアは、1400〜1600(℃)程度の高温でも変形や収縮が無く安定性が高いため、従来のような目砂などを用いる必要もなく、焼成物がセッターに直に接する状態で焼成処理を施すことができる。この結果、焼成物の形状や寸法の制限が緩和されると共に、その変形が抑制され、更に表面粗さの低下も抑制される。更に、マグネシアは酸化物の中でも比較的安価であるから、製造コストが低減される利点もある。すなわち、容易且つ安価に特性の優れた固体電解質体が得られる。 （もっと読む）

【課題】成形したときに型崩れすることを抑制できるセラミックス顆粒の製造方法、型崩れすることを抑制でき、均質で高い成形密度を有するセラミックス成形体の製造方法、および、型崩れすることを抑制でき、均質で高い焼結密度を有するセラミックス焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】水と、セラミックス粉末と、アニオン系界面活性剤とを含むセラミックス顆粒原料に対して、超音波を照射してスラリーを調製し、次いでそのスラリーを造粒する、セラミックス顆粒の製造方法において、超音波の照射時における前記スラリーの温度を４５℃以下に保持する。また、得られたセラミックス顆粒を成形することにより、セラミックス成形体を得る。さらに、得られたセラミックス成形体を焼結することにより、セラミックス焼結体を得る。 （もっと読む）