【課題】簡単かつ短時間でソーダ化反応に対する耐用性を試験することができ、しかも、実機での試験と同等程度の結果を得ることが可能である耐アルカリ炉材の耐用性評価試験方法を提供する。
【解決手段】アルカリ系材料３ａを使用したソーダ化反応を行う炉に使用される炉材の評価試験方法であって、炉材の材料によって形成された炉材成形体２の試験面２ａに、アルカリ系材料３ａを含有する試験材料３を載せて試験体１を形成する試験体形成工程と、試験体形成工程において形成された試験体１を加熱する加熱工程と、加熱工程終了後、試験体１を冷却する冷却工程と、を繰り返して行う。実機よりも過酷な条件で炉材成形体２の試験を行うことができるから、炉材成形体２の損傷の評価を短時間で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 外形加工や切断の処理工程において、表面にクラックあるいは脱粒に起因する欠陥の発生し難いガラスセラミック焼結体とそれを用いた反射部材および発光素子搭載用基板ならびに発光装置を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体１は、ガラス相中に、アノーサイト相と、石英相と、カルシウム・ジルコニウム・シリケート相と、ジルコニア相とを有する。また、発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載するための搭載部１１を備えた絶縁基体１３と、該絶縁基体１３の上面において、前記搭載部１１を囲うように設けられた反射部材１９とを有し、前記絶縁基体１３および前記反射部材１９のうち少なくとも一方が上記のガラスセラミック焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】 ジルコニア系電解質およびセリア系電解質を備える電解質膜において導電率低下を抑制する。
【解決手段】 電解質膜（３０）の製造方法は、セリア系電解質グリーン層（３１）とジルコニア系電解質グリーン層（３３）との間に、前記セリア系電解質（３１）と前記ジルコニア系電解質（３３）とに対して共通して添加されるドーパント元素の酸化物層（３２）が配置された積層体を準備する準備工程と、前記積層体を焼成する焼成工程と、を含む。電解質膜（３０）は、セリア系電解質層（４１）と、ジルコニア系電解質層（４２）と、を備え、前記セリア系電解質層（４１）のドーパント元素は、前記ジルコニア系電解質層（４２）のドーパント元素と同一である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】従来のアイソパイプに関連する寸法安定性および他の欠点に対処する。
【解決手段】焼成されたセラミック物品が、４０質量部より多い、３μｍより大きく２５μｍまでのメジアン粒径を有する粗いジルコン成分、および、３０から６０質量部の、３μｍ以下のメジアン粒径を有する微細なジルコン成分、を含む多峰性粒径分布を有するジルコンを少なくとも９０質量％含む組成物から形成される。 （もっと読む）

【課題】耐電圧特性に優れた絶縁材料及びこれを用いた点火プラグを提供すること。
【解決手段】アルミナ結晶を主相とし、該アルミナ結晶を構成する結晶粒１１の粒界に非晶質の粒界相１２を有するアルミナ質焼結体１からなる絶縁材料である。アルミナ質焼結体１において、粒界相１２は、ＳｉＯ₂にＣａＯ及び／又はＭｇＯが添加されたガラス成分中に、特定成分として希土類元素の酸化物及び／又は周期律表第４族元素の酸化物を含有する。アルミナ質焼結体１の断面においては、アルミナ結晶の結晶粒１１の平均結晶粒径が２μｍ以下であり、粒界相１２の外周形の円形度の平均が０．４〜０．６である。また、アルミナ質焼結体１からなる絶縁材料を絶縁碍子として用いた点火プラグである。 （もっと読む）

【課題】高強度で、多結晶セラミックス基材の変形が少なく、半導体や液晶の製造装置用部材として使用されてもコンタミネーションの発生が少ない多結晶セラミックス接合体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｙ_２Ｏ_３を主体相として含む第１の多結晶セラミックス基材と、Ａｌ_２Ｏ_３またはＹ_２Ｏ_３を主体相として含む第２の多結晶セラミックス基材とが、接合層を介して接合された多結晶セラミックス接合体であって、前記接合層は、Ｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２およびＺｒＯ_２から選ばれる少なくとも３種類の酸化物を含む複合酸化物からなる多結晶セラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて接合することによってセラミックス接合体３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する際のそれぞれの成形圧力は等方圧成形の成形圧力より低い。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて接合することによってセラミックス接合体３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。等方圧成形前の第１および第２のセラミックス成形体１，２のそれぞれは、セラミックス接合体３より低い成形密度を有している。 （もっと読む）

【課題】希少金属を使用しない遠赤外線放射セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ（Al₂O₃）を45.82wt%、シリカ(SiO₂)を15.2wt%、チタニア(TiO₂)
を3.8wt%、酸化第2鉄(Fe₂O₃)
を1.2wt%、酸化マグネシウム（MgO）を0.02wt%、酸化カルシウム(CaO)を0.2wt%、酸化ナトリウム(Na₂0)を0.23wt%、5酸化リン(P₂O₅)を2.35wt%、ジルコニア(ZrO₂)を20.5wt%、酸化ランタン(La₂O₃)を3.45wt%、及び水分を7.23wt%の重量比で混合して焼成したことを特徴とする遠赤外線放射セラミックス。 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｍサイトを、前記Ｂａ、Ｃａ及びＳｒの中の互いに異なる２個で複数置き換え、また前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えて（Ｍ_１−ｘ^２＋Ｍ_ｘ^２＋）（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６(但し、０＜ｘ＜１及び０＜ｙ＜１）の組成式で表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）