【課題】 加工時（切断、トリミングやエッチング）における脱粒を抑制することができる磁気ヘッド用基板、およびスライダからの脱粒を抑制することができる磁気ヘッドならびに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 アルミナを６０〜７０質量％、炭化チタンを３０〜４０質量％含有する焼結体からなる磁気ヘッド用基板であって、任意断面の１０μｍ角における炭化チタン結晶粒子７７とアルミナ結晶粒子７９との間の全界面平均長さが１２０μｍ以上である。ここで、任意断面の１０μｍ角に存在する炭化チタン結晶粒子７７の平均個数が５００個以上であることが望ましく、アルミナ結晶粒子７９の平均粒径は０．２５μｍ以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】分極処理時の電界強度を低くできる非鉛の圧電磁器および圧電素子を提供する。
【解決手段】ニオブ酸アルカリを主成分とするとともにビスマスを含み、平均粒子径が２μｍ以下であり、かつ内部に存在するドメインウォール２が略平行である粒子１の割合が全体の８０％以上である焼結体からなる圧電磁器を用いる。ドメインサイズが小さく、かつ粒子内のドメインウォール２が１方向に整列している粒子１の割合が高いため、低い電界強度で分極処理を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】鉛とアルカリ金属を含まない化合物からなる、圧電性の良い圧電材料を提供する。
【解決手段】鉛とアルカリ金属を含まないＡ_ｘＢ_１０Ｏ_３０とＡ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０で表されるタングステンブロンズ構造酸化物を組み合わせて、組成相境界を形成した、圧電性の良い圧電材料。前記Ａ_ｘＢ_１０Ｏ_３０はＢａ_４Ｂｉ_２／３Ｎｂ_１０Ｏ_３０で、前記Ａ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０はＳｒ_３Ｂａ_２Ｎｂ_１０Ｏ_３０であるタングステンブロンズ構造酸化物からなる圧電材料。 （もっと読む）

【課題】結晶化度が高いにもかかわらず、緻密な焼結体を得ることが可能な配線基板用ガラスセラミックス組成物及びガラスセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】焼成すると主結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇＳｉＯ_６）、コージェライト（Ｍｇ_２Ａｌ_４Ｓｉ_５Ｏ_１８）、又はフォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）を析出する性質を有する結晶性ガラス粉末を含む配線基板用ガラスセラミックス組成物であって、ガラス組成中にアニオン成分としてフッ素（Ｆ）を０．１〜３モル％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】緻密かつ機械的強度に優れる固体酸化物形燃料電池用の固体電解質を、簡便かつ安価な方法により、比較的低温にて焼成することにより作製可能とする粒子集合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】粒子集合体は、一次粒子径が１ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下の正方晶ジルコニア粒子または安定化ジルコニア粒子を溶媒に分散させて粒子分散液を調整する工程Ａと、該粒子分散液を流動液体状態または容器に収容した状態にて、−１９６℃以上かつ０℃以下の冷却物質に曝すことにより、前記粒子分散液を凍結させる工程Ｂと、該凍結した粒子分散液の溶媒を昇華させて、除去する工程Ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】 誘電特性が良好で、高い誘電特性を示す誘電体共振子と組み合わせて使用しても、トータルの誘電特性（特にＱ値）の高いものが望まれている。
【解決手段】 誘電体共振子を支持するために用いられる支持部材であって、アルミナを９９．３質量％以上含有し、ＳｉおよびＳｒを含有するとともに、アルミナ結晶粒子を主結晶粒子としてなり、前記アルミナ結晶粒子の粒界にＳｉ、Ａｌ、Ｓｒおよび酸素元素を含有する化合物の結晶相が存在するアルミナ質焼結体を支持部としたことを特徴とするセラミック支持部材３とする。これにより、アルミナの優れた機械的特性、電気特性を維持することができるとともに、アルミナ結晶粒子の粒界に、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯ元素を含有する化合物からなる低損失の結晶相が存在するため、従来よりも高Ｑ値を示すアルミナ質焼結体からなるセラミック支持部材３を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型熱電変換材料として優れた性能を有し、高い耐久性を有する材料を提供する。
【解決手段】下記組成式で表される酸化物からなる焼結体であって、該焼結体を構成する結晶粒子の５０％以上が１μｍ未満の粒径を有することを特徴とする酸化物焼結体：組成式：Ca_1-xM¹_xMn_1-yM²_yO_z(式中、M^１は、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Yb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb、Lu、Sr、Ba、Al、Bi、Y及びLaからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、M²は、Ta、Nb、W及びMoからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素である。また、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ次の範囲である：0≦x≦0.5、0≦y≦0.2、2.7≦ｚ≦3.3)で表される酸化物。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットとして用いた場合にも破損を生じにくい、緻密なＺＴＯ焼結体を得る。
【解決手段】仮焼粉末製造工程では、まず、ＺｎＯ粉末とＳｎＯ_２粉末とが配合、造粒されてから大気中で焼成（仮焼成）されて仮焼粉体が得られる。次に、この仮焼粉体が所望の粒度に再度粉末化され、仮焼粉末が製造される。この仮焼粉体中には、ＺｎＯとＳｎＯ_２との複合化合物である、半導体のＺｎ_２ＳｎＯ_４が形成されている。従って、仮焼粉末中にもＺｎ_２ＳｎＯ_４が形成されている。その後、この仮焼粉末を再び造粒、成形して成形体を作成し、本焼成工程を行う。本焼成工程では、この成形体が非還元性雰囲気中、例えば、大気中や酸素雰囲気中、あるいは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で焼成（本焼成）されて酸化物焼結体が作製される。ここではこの形状は所望の形状、例えばスパッタリングターゲットの形状に成形される。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスパッタリングターゲットを酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体により構成する。また、インジウム化合物と金属微粒子を混合した粉末又はインジウム化合物と金属酸化物微粒子を混合した粉末を放電プラズマ焼結することにより、酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率と電気機械結合係数とをバランスよく向上させ、比較的高い圧電係数を示すセラミックス焼結体及びこれを用いた圧電素子の提供。
【解決手段】ペロブスカイト型構造を有するセラミックス焼結体であって、分極を施した後のＸ線回折による（００２）／（２００）比が１．０以上であり、又分極を施した後のＸ線回折による（００２）の半値幅が１．２以上である焼結体。 （もっと読む）

【課題】製造環境の湿度に起因するフィルムの変形を抑制するとともに、高度な湿度管理を必要としない、ゾル-ゲル法を用いた独立ガラスフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカ超微粒子が分散媒に分散したシリカゾルと、酸塩化ジルコニウム、硫酸ジルコニウム及びそれらの混合物からなる群より選ばれるジルコニウム含有化合物とを混合して、混合ゾルを製造する工程と、前記混合ゾルに有機バインダーを添加して、混合液を製造する工程と、前記混合液を基材上に塗布する工程と、塗布された基材上の混合液を乾燥し、該基材上に前駆体フィルムを形成させる工程と、前記前駆体フィルムを前記基材から剥離する工程と、剥離された前記前駆体フィルムを焼成する工程とを含む、ガラスセラミック独立フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温域の検出を可能にする複合温度センサ素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体酸化物ＡＯxと絶縁体酸化物ＢＯxとにより構成される複合焼結体ＡＯx・ＢＯxからなる複合温度センサ素子１である。絶縁体酸化物ＢＯxの焼結体の結晶粒内及び／又は結晶粒界中には焼結助材が分散している。焼結助材は、平均結晶粒径が１．０μｍ以下であることが好ましい。焼結助材は、ＣａＣＯ₃、ＣａＺｒＯ₃、及びＣａＳｉＯ₃のうち少なくとも１種以上であることが好ましい。焼結助材の添加量は、半導体酸化物ＡＯxとマトリックス酸化物ＢＯxとの合計に対して、０．２モル％〜５モル％であることが好ましい。半導体酸化物ＡＯxは、Ａが元素周期律表第２Ａ族及びＬａを除く第３Ａ族、第２Ｂ族、第３Ｂ族、第４Ａ族、第５Ａ族、第６Ａ族、第７Ａ族、及び第８Ａ族の元素から選択される少なくとも１種以上の元素であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミック層における結晶配向セラミクスの配向度が高く、優れた変位性能を示すことができ、内部電極の形成率の低下を抑制できる積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、これを構成する結晶粒の結晶面｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスよりなる圧電セラミック層と、内部電極を構成する電極部を含む電極配設層とを複数交互に積層してなる積層型圧電素子及びその製造方法である。圧電セラミック層は、一般式（１）[Ａｇ_h{Ｌｉ_x(Ｋ_1-yＮａ_y)_1-x}_1-h]_j(Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w)Ｏ_3-k（但し、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．４、０≦ｗ≦０．２、ｘ＋ｚ＋ｗ＞０、０＜ｈ≦０．０５、０．９４≦ｊ≦１、０≦ｋ≦０．５）で表される上記等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする上記結晶配向セラミックスからなる。 （もっと読む）

４．００ｇ・ｃｍ^−３よりも高い密度を有する、ＴｉＯ_２およびＹ_２Ｏ_３を含む焼結されたジルコンを主成分とする改良された耐火材料ならびにこのようなジルコン材料の作製方法が開示されている。この方法は、多峰性の粒子分布曲線を有するジルコン粒子を未焼成体の作製に使用することを含む。この材料はクリープ速度において優れた特性を示す。本発明は、ガラスシート材料のフュージョン・ダウンドロー形成のための、ジルコンを主成分とするアイソパイプの作製に特に有用である。
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本発明は、酸化物基準の質量パーセントで７５−９９％のジルコンを含む開始チャージ材から構成され、酸化物基準の質量パーセントで、合計１００％に対して、６０％≦ＺｒＯ_２≦７２．８％，２７％≦ＳｉＯ_２≦３６％，０．１％≦Ｂ_２Ｏ_３＋ＧｅＯ_２＋Ｐ_２Ｏ_５＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｖ_２Ｏ_５，０．１％≦ＺｎＯ＋ＰｂＯ＋ＣｄＯ，Ｂ_２Ｏ_３＋ＧｅＯ_２＋Ｐ_２Ｏ_５＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｖ_２Ｏ_５＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ＋ＣｄＯ≦５％，０％≦Ａｌ_２Ｏ_３＋ＴｉＯ_２＋ＭｇＯ＋Ｆｅ_２Ｏ_３＋ＮｉＯ＋ＭｎＯ_２＋ＣｏＯ＋ＣｕＯ≦５％，他の酸化物：≦１．５％である平均量の化学組成を有する焼結製品に関する。特に、ガラス炉に使用される。 （もっと読む）

【課題】 直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍのサイズの成形体を焼成して得られた焼結体からなる試料において、誘電体磁器のサイズが大きい場合でも、優れた誘電特性を有する誘電体磁器が要求されており、この要求を満たすことができるか不明であった。
【解決手段】 誘電体磁器４内部のＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．００７質量％以下（ゼロを含まず。）含有し、内部におけるＡｌの濃度を１としたとき、誘電体磁器４の表面近傍におけるＡｌの濃度の比が０．５〜２であり、かつ平均気孔径が８μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張係数、及び大きい基材強度を有するコージェライト成形体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】コージェライトよりなる成形体１である。成形体１を構成するコージェライトは多数のドメインから構成される。ドメインは、同一方位のコージェライト結晶集団であり、その平均径は４０〜１５０μｍである。ドメインの平均径は、５０〜１００μｍであることが好ましい。成形体１は、ハニカム状に配設されたセル壁１１と、セル壁１１内に区画された多数のセル１２とを有するハニカム構造体１であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ低コストで作製することができ、結晶配向セラミックスの作製時のテンプレートとして用いることができる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する擬立方｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスを製造するためのテンプレートとして用いられる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。異方形状粉末は、｛０１０｝面が発達して配向面を形成する異方形状の配向粒子からなる。配向粒子は、一般式（１）Ａ₄Ｂ₆Ｏ₁₇又は一般式（２）ＡＢ₃Ｏ₈で表される層状化合物（但し一般式（１）及び（２）においてＡサイト元素は少なくともＫを主成分とし、Ｂサイト元素は少なくともＮｂを主成分とする）からなる。 （もっと読む）

【課題】測定周波数１ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材を提供する。
【解決手段】ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上、ＳｉをＳｉＯ_２換算で０．０５〜０．３質量％、ＳｒをＳｒＯ換算で０．０１〜０．１６質量％含有するとともに、アルミナ結晶粒子１を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子１で構成される３重点２にＳｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含有する結晶相が存在し、かつアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上である。これにより、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含む低損失の結晶相が存在するため、またアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上であるため粒界の数が少なくなり、周波数１ＭＨｚ〜８．５ＧＨｚにおける誘電正接を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】静電容量の容量変化率（ΔＣ／Ｃ）が広い温度域において小さく、比誘電率が大きく、誘電損失が小さい、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物、その製造方法、及びその誘電体磁器組成物を用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】一般式［Ｎａ_１−ｘＫ_ｘ］_１−ｙＬｉ_ｙ［Ｎｂ_１−ｚＴａ_ｚ］Ｏ_３(但し、ｘ、ｙ、ｚは、０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ≦０．４０)で示される主成分と、副成分として、主成分に対するモル％で１．０〜８．０モル％のＮｂ_２Ｏ_５、１．０〜８．０モル％のＭｇＯ、３．０〜１６．０％のＲＯ（但しＲはＣａ、Ｓｒ、Ｂａの内、少なくとも１種）を含む誘電体磁器組成物である。また、同様の組成の粉末を焼成することによる誘電体磁器組成物の製造方法であり、その誘電体磁器組成物よりなる誘電体を有する誘電体磁器コンデンサである。 （もっと読む）