本発明は、セラミックスマトリックスとしての酸化アルミニウムと、その中に分散された酸化ジルコニウムとからなる複合材料、その製造法及びその使用に関する。 （もっと読む）

固体酸化物セラミックは、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、チタン酸ランタンストロンチウム（ＬＳＴ）、マンガン酸ランタンストロンチウム（ＬＳＭ）および酸化ニッケル−ＹＳＺ複合材料からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、１つの表面を画定する基板を含む。固体酸化物セラミックはさらに、表面の少なくとも一部分をコーティングし、サンボルナイト（ＢａＯ・２ＳｉＯ_２）結晶相、ヘキサセルシアン（ＢａＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）結晶相および残留ガラス相を含み、前記表面において基板の熱膨張係数以下の熱膨張係数を有するシールを含む。ガラス組成物のガラス結晶化温度とガラス転移温度の差は、約２０℃／分の加熱速度で約２００℃〜約４００℃の範囲内であり得る。
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【課題】粒径が小さく、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭酸バリウムと二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、炭酸バリウム粉末及び二酸化チタン粉末を含有する混合粉末を有機溶媒中で粉砕混合する粉砕混合工程と、粉砕混合した前記混合粉末を焼成してチタン酸バリウム系化合物の粉末を得る仮焼工程とを備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸塩系ＫＮＮｂＯ₃−ＮａＮｂＯ₃−ＬｉＮｂＯ₃系結晶配向セラミックス等の製造過程で用いる板状結晶として好適な異方形状粉末とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＮａＯＨ、ＫＯＨ等の水酸化アルカリ水溶液に、Ｎｂ_２Ｏ_５等の酸化物粉末と、界面活性剤とを添加して水熱合成を行い、この反応後得られた生成物を有機溶媒で洗浄し、さらに、洗浄後の生成物を１７０℃〜７００℃で焼成する異方形状粉末の製造方法である。また、この製造方法によれば、長径方向の平均粒子長と厚み方向の平均粒子長の比が２〜２０であり、結晶面が（１００）面に配向する擬立方晶ペロブスカイト構造を有する異方形状粉末が得ることができる。 （もっと読む）

【課題】焼成温度をより低減すると共に、機械的特性及び共振特性をより高めたセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス焼結体の製造方法は、珪酸バリウムと酸化アルミニウムとガラス材と添加酸化物とを所定の条件で配合し、配合原料を成形して８５０℃以上１０００℃以下で焼成する工程を含む。このとき、平均粒径が０．３μｍ以上１μｍ未満の範囲であり、比表面積が５ｍ²／ｇ以上２０ｍ²／ｇ以下の範囲で単斜晶珪酸バリウムを配合する。また、平均粒径が０．４μｍ以上１０μｍ以下であり、比表面積が０．８ｍ²／ｇ以上８ｍ²／ｇ以下であり、珪酸バリウムに対して１０体積％以上２５体積％以下の範囲で酸化アルミニウムを配合する。このセラミックス焼結体は、珪酸バリウム中にガラス成分と添加酸化物の成分と酸化アルミニウム粒子とを含み、酸化アルミニウム粒子の外周に六方晶セルシアンが存在する微構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＨｚ〜ＧＨｚにおける誘電正接を小さくできるとともに、高強度のアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】 元素としてＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上含有し、他の元素としてＳｉおよびＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうち少なくとも１種）を含有するアルミナ質焼結体であって、アルミナ結晶粒子を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子の平均粒径が体積分布平均で２０μｍ以上であるとともに、粒径が１０μｍ以上のアルミナ結晶粒子からなる大径粒子１で構成される３重点Ｒに、粒径が５μｍ以下のアルミナ結晶粒子からなる小径粒子２が複数集合した組織を有するとともに、３重点ＲにＭＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８で表される化合物が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】シリコン半導体および化合物半導体などを製造する装置内で高い耐プラズマ性を要求される部品に好適なフッ化物焼結体を提供する。
【解決手段】MgF₂を１〜５wt.％含有するCaF₂−MgF₂焼結体からなり、該焼結体の嵩密度が３．００g/cm³以上の緻密な構造を有している。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた膜の製造方法を提供する。またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として亜鉛、元素Ｍ（Ｍはアルミニウム及び／またはガリウム）、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、原子比が、
（Ｍ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０６
Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
であり、焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及び元素Ｍおよびチタンを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３型類似構造を有する粒子等からなる。その焼結体をターゲットとして用いて成膜する。 （もっと読む）

本発明は、酸化スズを主要構成要素として有し、１種類が酸化アンチモンである少なくとも２種類の別の酸化物０．５から１５ｗｔ％を有するセラミック体を含むスパッタリングターゲットを記述する。ターゲットは、理論密度（ＴＤ）の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％の密度を有し、５０Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。ターゲットは、平面または回転構造を有し、スパッタリング面積が少なくとも１０ｃｍ^２、好ましくは少なくとも２０ｃｍ^２である。このスパッタリングターゲットを製造するプロセスであって、酸化スズと少なくとも２種類の別の酸化物とを含むスラリーを用意するステップ、スラリーから未焼成体を成形し、未焼成体を乾燥させるステップ、未焼成体を１０５０から１２５０℃の温度で焼成し、それによって予備成形ターゲットを得るステップ、および予備成形ターゲットを粉砕してその最終寸法にするステップを含むプロセスも記述する。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れた快削性セラミックスを提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムからなり、ＸＲＤのピーク強度により算出される結晶配向度Ｉ_３００／（Ｉ_３００＋Ｉ_１０４）が０．１〜０．２であることを特徴とする快削性セラミックス。純度９９質量％以上、粒子径０．０３μｍ以下、のＴｉＯ_２粉末を０．１〜０．４質量％添加してなり、酸化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径が１０μｍ以上、焼結体密度が３．９０ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が、０．７５〜０．９７の範囲であるとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃ （ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径が５μｍ以下の値であるスパッタリングターゲットから成膜してなる透明導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】耐汚損性と長期にわたる耐電圧特性とを兼ね備える小型のスパークプラグ、及び、このスパークプラグの製造方法を提供すること。
【解決手段】先端側に脚長部３０を有する絶縁体２と中心電極３と係合凸部５６で絶縁体２を保持する主体金具１とを備え、係合凸部５６の内径Ｄ_ＩＮ、係合凸部５６の内周面５９に対面する脚長部３０の最大外径ｄ_ＯＵＴ、その内径ｄ_ＩＮ及び絶縁体２の誘電率εが下記条件を満足するスパークプラグ１００、並びにＡｌ化合物粉末とＳｉ化合物粉末とＭｇ化合物粉末及びＢａ化合物粉末を含む２種類以上の第２族元素化合物粉末と０．５〜４．０質量％の希土類化合物粉末とを含有する原料粉末を加圧成形後に焼結して絶縁体２を製造する工程を含むスパークプラグ１００の製造方法。条件：（Ｄ_ＩＮ−ｄ_ＯＵＴ）／２≦０．４０(mm)、（ｄ_ＯＵＴ−ｄ_ＩＮ）／２≦１．６５(mm)及びε≧９．４（F/m）） （もっと読む）

【課題】可視光領域だけでなく赤外領域においても透過性に優れ、耐熱性の高い酸化物透明導電膜、その膜を成膜しうるスパッタリングターゲット、そのターゲットに使用しうる複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、
・焼結体中の元素の原子比が、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００５〜０．１、Ｍｇ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００１〜０．０５であり、
・焼結体が酸化亜鉛を含有し平均粒径が１０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子（ａ）と、アルミニウムを含有し平均粒径が５μｍ以下のスピネル構造を有する粒子（ｂ）からなる
焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低温下で焼結して緻密なナノ結晶粒セラミック材料が得られる複合焼結助剤及びそれを用いて低温でナノ結晶セラミックを製造する方法を提供することにある。
【解決手段】Li、Na、Ga、In、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Biから選ばれた1種又は多種の金属の酸化物を含む焼結助剤と、Mg、Ca、Al、Zr、Yから選ばれた1種又は多種の金属の酸化物を含む結晶粒成長抑制剤とからなる、ことを特徴とする複合焼結助剤。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、光透過性に優れる複合酸化物結晶質膜を提供すること。
【解決手段】主として、インジウム、ストロンチウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、上記複合酸化物焼結体中のインジウム、ストロンチウム及び錫の総原子数に対する、錫及びストロンチウムの原子数の比が、それぞれ０〜０．３及び０．０００１〜０．０５であり、相対密度が９７％以上であり、平均粒径が７μｍ以下である、複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を得る。これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化する。
【解決手段】ZnSを主成分とし、ZrO₂とY₂O₃を含み、ZnS：50〜95mol%、ZrO₂：4〜49mol%、Y₂O₃：0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲット及びZnSを主成分とし、ZrO₂とMgO及び又はCaOを含み、ZnS：50〜95mol%、ZrO₂：4〜49mol%、MgO及び又はCaO：0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】より強度の高い、透明基板などの透光性構造体を形成する材料としての透光性スピネルセラミックス、および当該透光性スピネルセラミックスを用いた透光性スピネルセラミックス構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】透光性スピネルセラミックス構造体を形成するための透光性スピネルセラミックス２０は、スピネル粒子と、α型アルミナ粒子２２とを備えており、スピネル粒子中に、ＴｉＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５からなる群から選択される少なくとも１種をさらに含む。透光性スピネルセラミックス２０におけるα型アルミナ粒子は、スピネル粒子とα型アルミナ粒子２２との質量の和の３ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 単体では微粒化が困難である塑性変形し易い金属やその化合物を、水中での凝集を抑えて微粒子に粉砕するとともに均一に分散させる。
【解決手段】 塑性変形し易い金属またはその化合物とセラミックスなどの弾性率が高い材料を含有する微粉体の複合粒子を、分散剤と水とに混合した後、高圧噴射分散処理装置のチャンバーノズルから所定の圧力で高圧噴射することで前記複合粒子を微粒化及び分散させた懸濁液を製造する。 （もっと読む）