【課題】基盤上の表面平滑性に優れた第１中間層の上に第２中間層及び特性の優れたＹＢＣＯ超電導層を形成する。
【解決手段】２軸配向させたＮｉ―Ｗ合金テープ状基板１の表面に、ＭＯＤ法により複数回の塗布および仮焼を繰り返して成膜した5ｎｍ以下の表面平滑性を有するＡ_２Ｚｒ_２Ｏ_７からなる第１中間層２、パルス蒸着法により成膜したＣｅＯ_２膜からなる第２中間層３、ＭＯＤ法により形成されたＹＢＣＯ超電導層４およびこのＹＢＣＯ超電導層の上にＡｇ安定化層５を成膜して１ＭＡ／ｃｍ^２以上の臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＹＢＣＯ超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値の高温超伝導フィルタを実現可能とするＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇やＬａＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇などの薄膜が、ＭｇＯ基板の上に形成できるようにする。
【解決手段】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板１０１を用意する。ＭｇＯ基板１０１は、主表面が（１００）面とされたものであり、また、一辺が２０ｍｍ程度の矩形の基板である。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板１０１が６００℃〜６４０℃の範囲に加熱された状態とし、例えば、ネオジウム（Ｎｄ），バリウム（Ｂａ），及び銅（Ｃｕ）を蒸発源（蒸着源）とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の主表面にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導体薄膜１０２が膜厚５００ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度（Ｊ_ｃ）を従来製品に比べ飛躍的に向上させることのできる超伝導ＭｇＢ_２膜の電気メッキによる作製法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ（マグネシウム）とＢ（ホウ素）を含む加熱溶融したメッキ浴に、Ｍｇ（ＯＨ）_２（水酸化マグネシウム）が、メッキ浴に含まれるＭｇのモル比を１とした時、０．０１５〜０．０２０のモル比で添加され、メッキ浴に導電体基板を陰極として挿入し、陽極との間に直流電圧をかけ、導電体基板上にＭｇＢ_２（二ホウ化マグネシウム）膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＤ法により、長尺の金属基材上に、バッファ層を介し、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層を形成した臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材上に、バッファ層を介して、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層が形成されたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体であって、該ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物のＢａ組成が化学量論組成より小さいことを特徴とする臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体。ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅrのいずれか１種又は２種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】表面平滑性及び配向性に優れた基板を用いて特性の優れた希土類系テープ状酸化物超電導体を製造する。
【解決手段】冷間加工により所定の厚さに成形したＮｉ―Ｗ合金に９００〜１３００℃の温度で配向化熱処理を施して２軸配向させたテープを製造し、このテープに電解研磨を施して表面平滑性を５nm以下としたテープ状基板１の表面に、Ｃｅ―Ｚｒ―Ｏ膜からなる中間層２及びＣｅ―Ｇｄ−Ｏ膜からなる中間層３を順次形成した後、その上に酸化物超電導層４を形成することにより希土類系テープ状酸化物超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度及び配向性に優れた複合基板を用いて特性の優れた希土類系テープ状酸化物超電導体を製造する。
【解決手段】、耐熱性及び耐酸化性を有するハステロイ１とＮｉ―Ｗ合金２とを冷間加工により貼り合わせ、９００〜１３００℃の温度で配向化熱処理を施して複合基板３を製造し、この複合基板３上に、Ｃｅ―Ｚｒ―Ｏ膜からなる中間層４及びＣｅ―Ｇｄ−Ｏ膜からなる中間層５を順次形成した後、その上に酸化物超電導層６を形成して希土類系テープ状酸化物超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板の上に、バリウムと銅とを含む酸化物からなる高品質な高温超伝導薄膜が、再現性よく形成できるようにする。
【解決手段】Ｃａの含有量が１４７ｐｐｍ程度のＭｇＯ基板１０１を用意し、これを酸素雰囲気１０２の中に配置された状態とし、加えて、ＭｇＯ基板１０１に１０００℃・１２時間の加熱処理が行われた状態とする。このことにより、ＭｇＯ基板１０１の表面に形成されている劣化層が除去された状態とする。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、基板温度を７００℃とした状態とし、Ｎｄ，Ｂａ，及びＣｕを蒸発源とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の上にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導薄膜１０３が膜厚２５０ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

本発明の膜は特にマイクロ波およびＲＦ用途に関して最適化された高温超伝導（ＨＴＳ）薄膜である。特に、本発明はマクロ波／ＲＦ用途に関して最適化された膜を製造するために１：２：３の化学量論からの大きなずれを有する組成に焦点を合わせる。ＲＦ／マイクロ波ＨＴＳ用途はＨＴＳ薄膜が優れたマイクロ波特性、特に低い表面抵抗、Ｒ_ｓおよび高線形表面リアクタンスＸ_ｓ、すなわち高Ｊ_ＩＭＤを有することを要する。そのようなものとして、本発明はその物理的組成、表面モルホロジー、超伝導特性、およびこれらの膜からつくられるマイクロ波回路の性能特性に関して特徴がある。
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【課題】炭素を含む銅酸化物超伝導体の薄膜が、より高いＴｃを備えた状態で得られるようにする。
【解決手段】結晶基板１０１の表面に酸素ラジカル及び二酸化炭素からなる反応ガス１２１が供給された（吹き付けられた）状態とし、この後、結晶基板１０１が５５０℃程度に加熱された状態とし、また、Ｂａ，Ｃａ，Ｃｕ），及びフラーレンＣ₆₀の各蒸着源を、所定温度にまで加熱して蒸発させ、金属原料１２２が結晶基板１０１の表面に供給された状態とすることで、結晶基板１０１の上に、Ｔｃが８５Ｋと高い超伝導転移臨界温度を示す酸化物超伝導薄膜１０２が形成された状態が得られる。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

化学的にドーピングされたホウ素のコーテイングはＣＶＤにより炭化ケイ素フアイバに施され、次いでコーテイングされたフアイバはマグネシウム蒸気に曝されて、ドーピングされたホウ素がドーピングされた２ホウ化マグネシウム（MgB2)に変換され、結果として 超伝導性になる。 （もっと読む）