【課題】高Ｉｃの厚膜化ができ、再現良く高Ｉｃ値を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ素を含まない金属有機化合物を用いて塗布熱分解法により超電導線材用の酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、金属有機化合物の有機成分を熱分解するための仮焼成を水蒸気を含む雰囲気中で行い、さらに、結晶化熱処理のための本焼成熱処理の前に、前記本焼成熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を熱分解するための中間熱処理を行う。前記の中間熱処理は、６５０〜７２０℃の温度範囲で、１０〜１８０分行う熱処理であり、酸化物超電導薄膜の厚さは０．３〜５μｍである。 （もっと読む）

【課題】ＦＦ−ＭＯＤ法を用いた酸化物超電導薄膜の製造において、Ｉｃが高い酸化物超電導薄膜を安定して得ることが可能となる技術を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法により酸化物超電導薄膜を製造する際に使用される酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液であって、フッ素を含まない金属有機化合物を溶質とする溶液に、塩素が含有されている酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。純金属イオン濃度に対する前記塩素の含有率が、０．０５％〜５％である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。金属有機化合物が、希土類元素、バリウムおよび銅のそれぞれのアセチルアセトン金属錯体である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。酸化物超電導薄膜が、ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘの薄膜である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。 （もっと読む）

【課題】本発明は、臨界電流値の異なる超電導線材を作り分けることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材上に、イオンビームアシスト蒸着法による中間層とキャップ層と酸化物超電導層が設けられた超電導線材であって、臨界電流値が異なる複数の超電導線材を製造し分けるに際し、酸化物超電導層は同一厚さに形成し、基材表面の表面粗さＲａの値に応じて同一厚さの酸化物超電導層において得られる臨界電流値が上限値を示す表面粗さＲａの値の内、最大値が存在し、この最大値よりも大きな表面粗さＲａの値に応じて先の臨界電流値の上限値よりも低い臨界電流値を示す酸化物超電導層が得られる範囲が存在し、この範囲において、表面粗さＲａの値が大きくなる程、臨界電流密度が低下する関係を利用し、基材の表面粗さＲａにより、臨界電流値が異なる複数の超電導線材を製造し分けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な超伝導結晶を連続的に形成できるＢｉ系ガラス材料及び及び超伝導材料の製造方法を提案する。
【解決手段】Ｂｉ系ガラスのガラス組成として、下記酸化物基準のモル％で、Ｂｉ_２Ｏ_３１０〜５０％、ＳｒＯ３０〜６０％、ＣａＯ５〜３０％、ＣｕＯ０〜１０％を含有することを特徴とする。また、超伝導材料の製造方法は、銅又は銅合金の表面に、上記のＢｉ系ガラスを接触させた状態で熱処理し、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極付近の温度上昇を抑制することのできる超電導線材の電極部接合構造、電極付近における常電導転移の発生を抑制することができ、焼損が起こらないようにすることができる超電導線材および超電導コイルの提供。
【解決手段】本発明の超電導線材の電極部接合構造１０は、基材１１と、基材１１上に設けられた超電導層１７と、超電導層１７上に設けられた導電層１９とを備える超電導線材１と、超電導線材１端部１ａの導電層１９上に設けられた電極３と、基材１１と、基材１１上に設けられた超電導層１７と、超電導層１７上に設けられた導電層１９とを備え、電極３の少なくとも一部を覆うように設けられるカバー用超電導テープ２とを有し、カバー用超電導テープ２の導電層１９が、電極側３とされており、電極３と超電導線材１とカバー用超電導テープ２とが、電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に成膜され、基板から厚み方向に１７５０ｎｍ以内の領域で良好に配向した配向酸化物膜を提供する。
【解決手段】基板上にフッ素を含む酸化物前駆体の薄膜を形成し、前記基板を加熱炉に設置し、加湿酸素含有ガス雰囲気下において磁場を印加しながら熱処理を施すことを特徴とする配向酸化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、塗布熱分解法における仮焼成工程の前に、ＫｒＣｌ紫外エキシマランプ光を１５ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で照射することにより、仮焼成工程で得られる仮焼成膜の元素分布の均一性が著しく向上し、その後の本焼成工程を経て、大きい膜厚と配向性をもつ超電導膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】印加される磁場の方向や膜の部位によらずに、量子化磁束の動きが効果的に抑制された酸化物超電導膜の製造方法の提供。
【解決手段】レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、ターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超電導線材の長尺化及び特性向上を図ることができ、全長にわたって安定した特性を得ることができる酸化物超電導線材及び酸化物超電導線材の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｙ系超電導線材１０は、テープ状の無配向金属基板１１と、テープ状の無配向金属基板１１上にＩＢＡＤ法を用いて成膜された第１中間層（シード層）１２とからなるテープ状線材１３と、テープ状線材１３上にＲＴＲ式のＲＦ−magnetronsputtering法により、第１中間層（シード層）１２の側面まで延びた側面部１４ａを有する第２中間層（キャップ層）１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】リールから取り外された薄膜超電導線材を使用する場合であっても、基板側と超電導層側とを容易に識別することができる薄膜超電導線材を提供する。
【解決手段】基板および超電導層を有する本体部と、本体部を被覆する銅保護層あるいは本体部を被覆するはんだ層を介して本体部の上下に貼付された銅保護層とを備えた薄膜超電導線材であって、銅保護層のうち、基板側に位置する銅保護層または超電導層側に位置する銅保護層のいずれかの表面に、超電導層が設けられた側を識別するための識別標識が設けられている。 （もっと読む）

【課題】印加される磁場の方向や膜の部位によらずに、量子化磁束の動きが効果的に抑制された酸化物超電導膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エキシマレーザー光１８ａ及びＹＡＧレーザー光１８ｂを同時にターゲット１５に照射することで、基材１２上に常電導部分となる不純物の比率を０．３〜６質量％含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱侵入量を低減し、コンパクト化及び製造容易な電流リードを提供する。
【解決手段】所定の面積を有する配向ＮｉーＷ基板上に中間層を形成した複合基板上に、ＴＦＡ−ＭＯＤ法によりＹＢＣＯ酸化物超電導層及び安定化層を被覆して酸化物超電導体を作成した後、これに打ち抜き加工を施してミアンダ形状の電流経路を形成する。このミアンダ形状の電流経路の複数本を両端部に電気的絶縁材料からなる低熱伝導部材を介して一対の電極Ａ，Ｂが接続された支持部材の表面に載置し、その両端部１ａ、１ｂを電極Ａ、Ｂにそれぞれ接続した後、絶縁板及び絶縁シートにより固定するとともに、金属ケースに収容して電流リードを作成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ溶液の塗膜を仮焼する際に、表面に発生する荒れが抑制された仮焼膜を形成して、その後の本焼により優れた超電導特性を有する酸化物超電導薄膜を作製することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗膜を作製する塗膜作製工程と、塗膜の金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、仮焼熱処理工程において、仮焼熱処理温度に至るまでの昇温を大気圧より高い圧力雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）

本発明は、スペイン特許第２２５９９１９号にこれまで説明されている解決手段を出発点として利用して、１０％の最大のフッ素含有量を有している有機金属の前駆物質の溶液を得ることに言及する。この変更は、超伝導の分解層の熱処理（熱分解）、および結晶の成長を一段階において実施可能にする。さらに、低いフッ素含有量は毒性および腐食のリスクを低下させる。 （もっと読む）

【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、酸素雰囲気中でＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．２ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４３Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、ＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．１ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４９Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜の製造方法として、厚膜の酸化物超電導薄膜であっても、酸素導入過程においてクラックを発生せず、その結果、高いＩｃ値を有する酸化物超電導薄膜の製造方法とを提供し、また高Ｉｃ値を有する超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜の製造方法であって、酸化物超電導薄膜を形成した後の酸素導入過程において、酸素濃度を上昇させながら熱処理を行う酸化物超電導薄膜の製造方法。熱処理は、酸素濃度１ｐｐｍ以上の雰囲気下で、酸素濃度をＰとした場合の常用対数ｌｏｇＰが、毎分０．５以下で上昇するように酸素濃度を制御しながら行われる。酸化物超電導薄膜の形成は塗布熱分解法により行う。 （もっと読む）

【課題】磁場中において高い超電導特性を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板１１上に中間層１２を介してイットリウム系超電導層１３が形成されてなる超電導線材１において、イットリウム系超電導層をランタノイド系元素を含む構成とする。このとき、該超電導層中のイットリウムの組成をＹ、ランタノイド系元素の組成をＬとしたとき、組成比Ｌ／（Ｌ＋Ｙ）が０．０１〜０．４０となるようにする。 （もっと読む）