【課題】超電導線材の交流損失を低減することができる基板、基板の製造方法、超電導線材および超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板は、銅層と、銅層上に形成され、かつ銅およびニッケルを含む合金層と、合金層上に形成されたニッケル層と、ニッケル層上に形成された中間層とを備えている。合金層とニッケル層との界面における合金層のニッケルの濃度よりも、合金層と銅層との界面における合金層のニッケルの濃度が小さい。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき層表面の配向性および平坦性を向上しうる基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、めっき法を用いて銅層上にニッケル層が形成された基材を準備する工程と、前記ニッケル層を８００〜１０００℃で熱処理する工程と、前記ニッケル層を熱処理する工程の後に前記ニッケル層上に被覆層をエピタキシャル成長させる工程とを備えた、基板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】超電導層の安定化と交流損失の低減が可能で、且つ簡便に製造できる超電導線材の提供。
【解決手段】金属基材１１の表面１１ｃ側に金属酸化物からなる中間層１２、超電導層１３及び第一の金属安定化層１４がこの順に積層され、中間層１２に達して第一の金属安定化層１４及び超電導層１３を幅方向に分割する第一の溝１８及び第二の溝１９が、第一の金属安定化層１４及び超電導層１３に、長手方向に沿って一体に形成され、金属基材１１の裏面１１ｄ側に第二の金属安定化層１６が積層され、第二の金属安定化層１６が、超電導層１３と電気的に接続されていることを特徴とする超電導線材１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｇＢ_２を良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、安定してＭｇＢ_２の結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するＭｇＢ_２超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体１０は、金属基材１１と、金属基材１１上に、イオンビームアシスト（ＩＢＡＤ）法により形成された３回対称ＭｇＯ（１１１）層１３と、ＭｇＢ_２層１４とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温超電導線材に働く剥離力が十分に低減され、安定した超電導特性を得ることができる離形材付き高温超電導線材およびこの高温超電導線材を用いた超電導コイルを提供すること。
【解決手段】本発明に係る離形材付き高温超電導線材１は、テープ状の高温超電導線材１０の表面の少なくとも一部に離形材層２０が形成されたものである。本発明に係る超電導コイル７は、離形材付き高温超電導線材１を用いたものである。 （もっと読む）

【課題】金属基板上の中間層及び超電導層の配向度を向上させる。
【解決手段】線材送出部１１と線材巻取部１４との間に、配向熱処理部１２と中間層成膜部２１を配置し、この装置全体を還元性雰囲気に制御されたチャンバー１５内部に配置した。中間層成膜部２１は、それぞれ加熱部を備えたＲＦスパッタリング装置からなる第１中間層成膜部２１ａ、第２中間層成膜部２１ｂ及びＲＦスパッタリング装置からなる第３中間層成膜部２１ｃにより構成され、線材送出部から送出されたＮｉ−Ｗ合金テープは、配向熱処理部で２軸配向化され、第１乃至第３中間層成膜部において、それぞれＣｅＯ_２、ＹＳＺ及びＣｅＯ_２が蒸着され、さらにその上にＴＦＡ−ＭＯＤ法により厚さ１．０μｍのＹＢＣＯ層が成膜された。２軸配向後のＮｉ−Ｗ合金基板及びＣｅＯ_２中間層の面内配向度は、それぞれΔφ＝６．５度及び６．０度を示し、ＹＢＣＯ層はＩｃ＝３００Ａ／ｃｍ−ｗ、Ｊｃ＝３．０ＭＡ／ｃｍ^２の値を示した。 （もっと読む）

配向金属基板の曲面状の表面に、少なくとも一つの金属よりなる酸化物膜を堆積する方法であって、次の各ステップを含んでおり、(1)少なくとも一つの金属酸化物よりなるプリカーサ膜は、上記金属からなる少なくとも一つの上記プリカーサの有機溶液を用いて堆積され、上記溶液は、好ましくは、当該方法の温度で測定され、1mPa・s〜20mPa・sの間の値、さらに好ましくは２mPa・s〜10mPa・sの間の値の粘度を有しており、(2)上記酸化物プリカーサ膜は、好ましくは80℃〜100℃との間の値の温度にて、乾燥に晒され、(3)上記酸化物プリカーサ膜を熱分解すると共に上記金属酸化物を形成するために、熱処理が実行され、上記熱処理の少なくとも一部は、還元ガス流の下で実行され、上記還元ガスは、好ましく0.005cm/sよりも大きい流量を好ましくは有し、好ましく0.012cm/sと0.1cm/sとの間、より好ましくは0.04cm/sと0.08cm/sとの間の値の流量を有する。
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ワイヤの機械的な完全性を維持する一方で、２本の積層ワイヤを共に接合する２面ジョイントが開示されている。２面ジョイントは、テーパ端部を有した２本の積層ＨＴＳワイヤを接合することができ、底部ストラップおよび頂部ストラップを備えている。一態様では、積層した繋いだ超伝導体ワイヤは、超伝導体ジョイントを備えており、それは、第１および第２超伝導体ワイヤを備えている。各ワイヤは、ラミネート層と、該ラミネート層上の基板層と、該基板層上の緩衝層と、該緩衝層上の超伝導体層と、該超伝導体層上の空隙層と、該空隙層上のラミネート層とを備えている。各ワイヤは、第１積層ワイヤの第２ラミネート層と第２積層ワイヤの第２ラミネート層とに電気的に接続する第１ＨＴＳストラップと、第１ラミネート層に近接したバッキング・ストラップを備えている。
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希土類金属Ba2Cu3O7膜を生成する組成物及び方法が記載される。組成物は、バリウム(Ba)金属有機化合物、１又はそれより多い希土類金属有機化合物を含み、組成物は、ハロゲンも含む。例えば、組成物は、ハロゲン化された有機溶媒を含む。組成物はまたほぼ２３０℃よりも大きい沸点を有する溶媒を含む。前駆体溶液は、また、水を生成するために、ハロゲン化された溶媒と反応しない低粘度溶媒を含む。高粘度化合物は、より厚い膜の形成を可能とするために含まれることもある。得られた前駆体溶液は、基板上に堆積され、５０℃／分よりも大きい加熱速度で熱分解され、滑らかな、剪断膜を生成するために結晶化される。１００ｎｍよりも大きい厚さの膜は、４×１０^６A／ｃｍ^２の輸送J_c値を用いて、７７°Kでさまざまな基板上で生成される。 （もっと読む）

超伝導性物品であって、基板、基板の上に横たわるバッファ層、及びバッファの上に横たわる高温超伝導性（ＨＴＳ）材料よりなるフィラメントを持つものが与えられる。フィラメントは基板の長さに沿って伸び、かつ、隣接するフィラメントから水平方向にある空間だけ空けて配置されている。多層フィラメント超伝導性テープは、少なくとも約０．４である臨界電流保持比を持つ。
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【課題】レーザ照射状況を限定せず、つまり重ね塗りでの厚膜化の場合においても、また基板の両面に製膜する場合においても、背面照射と同じ効果を適用することを可能にする超電導材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し、乾燥させる工程（1）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（2）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（3）を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造するに際し、工程（1）と工程（2）の間でレーザ光を照射する際に、超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を塗布した面の直前に散乱機構を設置し、レーザ光をいったん散乱光にしたのちに有機化合物溶液に照射することを特徴とする超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
膜厚の増大が特性の良好な薄膜の積層によって形成されるため、膜厚に応じた臨界電流密度の低下が抑制でき、高い臨界電流を実現できる酸化物超電導体を提供する。
【解決手段】
酸化物超電導線材は基材１０と、該基材１０に積層された中間層２０を含む基板５０に対して積層された希土類系酸化物超電導体からなる酸化物超電導体層３０が積層されている。酸化物超電導体層３０は、基板５０に近い側が高分解温度の希土類酸化物超電導体により構成され、基板５０に遠い側が低分解温度の希土類酸化物超電導体により構成されている。 （もっと読む）

【課題】
超電導薄膜の膜厚が増大した場合にも、温度を上昇させることなく、臨界電流密度の低下を抑制できる酸化物超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
基材に積層された中間層と、該中間層に積層された希土類系酸化物超電導体RE-Ｂａ-Ｃｕ-O（式中、REは希土類元素（La、Nd、Sm、Eu、Gd、Y及びYb）から１種又は２種以上選択される）からなる薄膜層を含む超電導薄膜線材において、前記薄膜層は、前記中間層からの離間距離が増大するにつれ、ＢａとＣｕの組成比が減少し、相対的に希土類元素の組成比が増大するように構成する。このようにすると、酸化物超電導線材では、超電導薄膜の膜厚が増大した場合にも、温度を上昇させることなく、臨界電流密度の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】金属基板を構成する元素の超電導層への拡散や中間層のクラックの発生を防止し、かつ超電導層の配向性を向上させる。
【解決手段】半値幅（ＦＷＨＭ：Δφ）６．５度のＮｉ基合金基板１上に、第１中間層として膜厚１５〜１００ｎｍのＣｅ−Ｇｄ−Ｏ系酸化物層２（Ｃｅ：Ｇｄ＝４０：６０〜７０：３０のモル比）及び第２中間層として膜厚１００ｎｍのＣｅ−Ｚｒ−Ｏ系酸化物層３（Ｃｅ：Ｚｒ＝５０：５０のモル比）をＭＯＤ法により形成し、さらにその上にＲＦスパッタ法により第３中間層としてＣｅＯ_２酸化物層４を膜厚１５０nmに成膜した。この３層構造の中間層の上に、ＹＢＣＯ超電導層５をＴＦＡ−ＭＯＤ法により膜厚は１μｍに成膜した。
以上のテープ状酸化物超電導体の第１乃至第３中間層のΔφは、それぞれ（６．０〜６．５）度、（６．０〜６．６）度及び（６．０〜６．６）度、ＹＢＣＯ超電導層５の液体窒素中におけるＪｃは１．８〜２．２ＭＡ／ｃｍ^２の値を示した。 （もっと読む）

【課題】これまで多くの超伝導化合物が見いだされているが、これらはいずれも可視光域
で不透明で、透明な超伝導体は実現していない。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{１−（ｘ＋２ｙ
）}ｅ⁻] （Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ＋２ｙ≦０．５)で示
され、超伝導電気伝導を示し、かつ膜厚４０ナノメートルを基準として、ＪＩＳ Ｒ１６
３５で規定される方法により測定した可視光透過率が８０％以上であるマイエナイト型結
晶構造を有する化合物からなることを特徴とする超伝導化合物薄膜。化学式が[Ｃａ₂₄Ａ
ｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (２番目の大括弧は、ケージ中のアニオンを示す
。また、Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上：０≦ｘ≦１、ｙ＝１−ｘ）で示
される薄膜中のアニオンの１／２以上を還元処理により電子に置換することにより作成で
きる。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解および超電導物質の熱処理形成を行うに際して、アブレーションを起こすことなく効率よく、性能が改善された大面積の超電導材料の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を支持体上に塗布し、乾燥させる工程(1)、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(2)、超電導物質への変換を行う本焼成工程(3)を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造する方法において、工程(1)と工程(2)の間でレーザ光を照射超電導酸化物材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 良好な超伝導性と、取扱性などの良好な機械的特性とを保持する、連続した線の姿の２ホウ化マグネシウム（MgB2)に転換される、超伝導材料に用いるホウ素基材を得 る。
【解決手段】 化学的にドーピングされたホウ素のコーテイングはＣＶＤにより炭化ケイ素フアイバに施され、次いでコーテイングされたフアイバはマグネシウム蒸気に曝されて、ドーピングされたホウ素がドーピングされた２ホウ化マグネシウム（MgB2)に変換され 、結果として超伝導性になる。 （もっと読む）

【課題】良好な超伝導臨界電流を有しながら加工性をも向上したＭｇＢ_２超伝導線材とその製造法を提供する。
【解決手段】マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）―ボロン（Ｂ）合金層と二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超伝導層とが積層されてなることを特徴とする構成とする。製造方法は、マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）合金層と接触する形でボロン（Ｂ）層を積層してなる複合体を構成し、これを線状あるいはテープ状に加工した後、マグネシウム（Ｍｇ）とボロン（Ｂ）の拡散反応温度で熱処理することによって二硼化マグネシウム（ＭｇＢ２）超伝導層を生成させる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、ＭｇＢ_２の柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるＭｇＢ_２柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るＭｇＢ_２超電導薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の配向性に影響を与えることなく高い面内配向性を有する中間層を形成する。
【解決手段】中間層熱処理装置１の送出し装置２のドラム上に巻回されたテープ状線材７は所定の張力で引き出され、熱処理炉５内の炉心管４内を走行し巻取り装置３のドラムに巻き取られる。炉心管４内を走行するテープ状線材７は、熱処理炉５内の急速加熱領域Ａを通過する際に輻射加熱器６ａにより基板上の中間層の仮焼膜が急速加熱され、結晶化温度領域Ｂを通過する際に輻射加熱器６ｂ、６ｃおよび６ｄにより基板上の中間層が結晶化される。急速加熱領域Ａおよび結晶化温度領域Ｂにおいて、基板上の中間層の仮焼膜のみが急速加熱および結晶化温度に保持され、結晶化後の中間層は、結晶化温度領域Ｂ通過後に急速冷却される。 （もっと読む）