【課題】本発明は、耐熱性が高く、且つ有機発光素子やＩＴＯの屈折率に整合し得る高屈折率ガラスを創案する。
【解決手段】本発明の高屈折率ガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ １０〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜５％、ＢａＯ ０．１〜６０％、Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５ ０．１〜４０％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜１０％を含有すると共に、質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＳｒＯ＋ＢａＯ）の値が０〜０．５、歪点が６００℃以上、屈折率ｎｄが１．５５〜２．３であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性（特に耐失透性）に優れると共に、ガラス封止材の熱膨張係数に整合し、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、有機ＥＬディスプレイ内部の気密性を確保し、且つｐ−Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減する。
【解決手段】本発明の無アルカリガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５５〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １０〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜５％、ＭｇＯ ０〜７％、ＣａＯ ３〜１０％、ＳｒＯ ０〜９％、ＢａＯ ０〜１５％、Ｐ_２Ｏ_５ ０．１〜２．５％を含有し、実質的にアルカリ金属酸化物を含有せず、歪点が６８０℃より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子やＩＴＯの屈折率に整合し得る高屈折率ガラスを創案する。
【解決手段】本発明の高屈折率ガラスは、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３ ２０〜７０％、ＳｉＯ_２ ２０〜７０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜３０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜５０％、ＢａＯ＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋ＺｒＯ_２＋ＴｉＯ_２ ０〜３０％を含有し、モル比Ｂ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２が０〜１、モル比ＳｉＯ_２／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５）が０．１〜６、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｇｄ_２Ｏ_３）が０．１〜０．９９であると共に、屈折率が１．５５〜２．３であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子やＩＴＯの屈折率に整合し得る高屈折率ガラスを創案する。
【解決手段】本発明の高屈折率ガラスは、ガラス組成として、ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３を０．１〜６０質量％含有し、質量比（ＢａＯ＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２）／（ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）が０．１〜５０、質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＢａＯ＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２）が０〜１０、質量比（ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２）／（ＢａＯ＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５）が０．００１〜４０、屈折率ｎｄが１．５５〜２．３であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子パッケージの設計の自由度を低下させることなく、レーザ光の照射によりガラスフリットが溶解する際に電極が損傷する事態を防止しつつ、強固な封着強度を確保する。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳ素子パッケージは、ＭＥＭＳ素子が配置された素子基板と、素子基板のＭＥＭＳ素子側の表面に間隔を置いて対向する封止基板と、ＭＥＭＳ素子の周囲を囲むように素子基板と封止基板との間の隙間を気密封着するガラスフリットを有するＭＥＭＳ素子パッケージにおいて、素子基板とガラスフリットの間に配置され、且つガラスフリットを封着する際に照射されるレーザ光から電極を保護するための金属酸化物膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低温で半導体素子を封入することが可能であり、しかも耐酸性に優れた半導体封入用無鉛ガラス及び半導体封入用外套管を提供する。
【解決手段】 ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２ ４６〜６０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜６％、Ｂ_２Ｏ_３ １３〜３０％、ＭｇＯ ０〜１０％、ＣａＯ ０〜１０％、ＺｎＯ ０〜２０％、Ｌｉ_２Ｏ ９〜２５％、Ｎａ_２Ｏ ０〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜７％、ＴｉＯ_２ ０〜８％含有し、Ｌｉ_２Ｏ／（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）がモル比で０．４８〜１．００の範囲にあることを特徴とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電子材料基板を封着するための低融点ガラスであって、実質的にＰｂＯを含まない無鉛低融点ガラスが望まれている。
【解決手段】質量％でＳｉＯ_２を１〜６、Ｂ_２Ｏ_３を５〜１２、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜５、ＺｎＯを５〜２０、ＲＯ（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）を０．１〜３、ＣｕＯを０．１〜７、Ｂｉ_２Ｏ_３を６０〜７５含むことを特徴とする無鉛低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料である。該無鉛低融点ガラス組成物は３０〜３００℃における熱膨張係数が（７０〜１００）×１０^−７／℃、軟化点が４００℃以上５００℃以下である特徴も持つ。 （もっと読む）

【課題】 たわみ試験においてクラックの発生が無く機械的信頼性に優れたガラスセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミックスからなる絶縁層が複数積層された絶縁基体１と、該絶縁基体１の表面に形成された表面配線層２とを具備するガラスセラミック配線基板であって、前記絶縁基体１がセラミックフィラーとしてアルミナ粒子を含有するとともに、少なくともアルミナ（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）およびカルシウム（Ｃａ）を元素として含むガラス相とから構成されており、前記表面配線層１が銀を主成分とし、ロジウム（Ｒｈ）および酸化銅を含有するとともに、前記絶縁基体１の表面にアノーサイト相を主結晶相とするセラミック層７を有し、抗折強度が１９０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示素子用プラスチック基板等の、各種エレクトロニクス表示素子用基板に対して要求される、透明性及び成型性に優れた透明基板用ガラスフィラー、並びにそれを用いた透明基板の提供。
【解決手段】アルカリ土類金属酸化物を含み、かつ０．７以上の真円度及び１０μｍ以下の平均粒子径を有し、屈折率が１．４７以上１．５７以下であることを特徴とする球状ガラスフィラー。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰ等の用途に要求される種々の特性を満足し得る無アルカリガラス、特にＳｉと整合する熱膨張係数を有する無アルカリガラスを提供する。
【解決手段】本発明の無アルカリガラスは、ガラス組成として、ｍｏｌ％で、ＳｉＯ_２ ５０〜７０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ９〜１５％、Ｂ_２Ｏ_３ １１〜２０％、ＣａＯ ８〜１２％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ_２Ｏ_３の値が０．８〜１．２であって、密度が２．３７ｇ／ｃｍ^３以下、１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が１６００℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低温で半導体素子を封入することが可能であり、しかも耐酸性に優れ、またガラス管成形時に結晶が析出し難い半導体封入用無鉛ガラス及び半導体封入用外套管を提供する。
【解決手段】 ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２ ４５〜５８％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜６％、Ｂ_２Ｏ_３ １４．５〜３０％、ＭｇＯ ０〜３％、ＣａＯ ０〜３％、ＺｎＯ ４．２〜１４．２％、Ｌｉ_２Ｏ ５〜１２％、Ｎａ_２Ｏ ０〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜７％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ １５〜３０％、ＴｉＯ_２ ０．１〜８％含有し、ＺｎＯ／Ｌｉ_２Ｏが０．８４〜２の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送するガラス物品への異物混入を防止することにより、ガラス物品の品質を維持しつつ、交換回数の低減を可能としたシュートを提供する。
【解決手段】ガラス物品Ｇを搬送するシュート１０であって、３０〜７５０℃の温度範囲における熱膨張係数が−１０×１０^−７〜＋４０×１０^−７／℃であるガラス材料から構成されている。ガラス材料は、β−石英固溶体及びβ−スポジュメン固溶体の少なくとも一方を析出させた結晶化ガラスである。結晶化ガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２５０〜７０％、Ａｌ_２Ｏ_３１５〜３０％、Ｌｉ_２Ｏ２〜６％を含有する。 （もっと読む）

【課題】高温で磁気記録層を形成できる磁気ディスクの製造方法の提供。
【解決手段】温度が５５０℃以上であるガラス基板の上に磁気記録層を形成する工程を有する磁気ディスクの製造方法であって、ガラス基板がモル百分率表示で、ＳｉＯ_２を６２〜７４％、Ａｌ_２Ｏ_３を６〜１８％、Ｂ_２Ｏ_３を７〜１５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で８〜２１％含有し、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３の含有量合計が７０％以上、上記７成分の含有量合計が９５％以上であり、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏのいずれか１成分以上を合計で１％未満含有する、もしくはこれら３成分のいずれも含有しないものである磁気ディスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低融点での使用が可能で、かつ、耐水性を向上させた新規な封着用無鉛ガラスを提供する。
【解決手段】１０〜５５質量％のＶ_２Ｏ_５と、１〜１０質量％のＰ_２Ｏ_５と、１５〜７０質量％のＴｅＯ_２と、０〜１３質量％のＺｎＯと、０〜１３質量％のＢａＯと、を含有し、ＺｎＯとＢａＯとはその合量ＺｎＯ＋ＢａＯが０〜１３質量％の範囲であり、実質的にＰｂＯ及びＦｅ_２Ｏ_３を含有せずに、低融点での使用が可能で、かつ、耐水性を向上させた封着用無鉛ガラス、この封着用無鉛ガラスを用いた封着材料及び封着材料ペースト。 （もっと読む）

【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ＺｎＯ含有の無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高記録密度化に対応した情報記録媒体用基板を提供する。
【解決手段】mol％表示にて、SiO₂とAl₂O₃を合計で70〜85％（ただし、SiO₂の含有量が50％以上）、Al₂O₃の含有量が3％以上、Li₂O、Na₂OおよびK₂Oを合計で10％以上、CaOとMgOを合計で1〜6％（ただし、CaOの含有量がMgOの含有量よりも多い）、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、La₂O₃、Y₂O₃およびTiO₂を合計で０％を超えて4％以下含み、SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、La₂O₃、Y₂O₃およびTiO₂の合計含有量に対するLi₂O、Na₂OおよびK₂Oの合計含有量のmol比が0.28以下、である、情報記録媒体用基板に供するためのガラスとする。 （もっと読む）

【課題】基板として強酸性液を用いる洗浄を行っても表面荒れが起こりにくい基板に用いられるガラスの提供。
【解決手段】下記酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ_２を６２．５〜６９％、Ａｌ_２Ｏ_３を９〜１５．５％、Ｌｉ_２Ｏを８〜１６％、Ｎａ_２Ｏを０〜８％、Ｋ_２Ｏを０〜７％、ＺｒＯ_２を０〜３．５％含有し、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３が５３．３％以上、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏが１７〜２４％、上記６成分の含有量の合計が９７％以上である基板用ガラス。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性および優れたイオン交換能を有し、イオン交換による化学強化処理によって高い強度を付与できるガラス組成物を提供する。
【解決手段】質量％で示して、ＳｉＯ_２ ５３〜６２％、Ａｌ_２Ｏ_３ １１〜１７％、Ｌｉ_２Ｏ ０〜５％、Ｎａ_２Ｏ １０〜１５％、Ｋ_２Ｏ ３〜９％、ＭｇＯ ０〜４％、ＣaＯ ０〜４％、ＳｒＯ ０〜６％、ＢａＯ ０〜５％、ＺｒＯ_２ １〜４％、ＴｉＯ_２ ２〜６％、を含むガラス組成物とする。 （もっと読む）

【課題】例えばフロート成形により作製された場合であっても、白濁が生じにくく透明感の高いＬｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系結晶性ガラス、および当該Ｌｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系結晶性ガラスを結晶化させてなるＬｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系結晶化ガラスを提供する。
【解決手段】ガラス組成として質量％で、ＳｉＯ_２ ５５〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １９〜２４％、Ｌｉ_２Ｏ ３〜４％、ＴｉＯ_２ １．５〜２．８％、ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２ ３．８〜４．８％、ＳｎＯ_２ ０．１〜０．５％を含有し、かつ、４≦Ｌｉ_２Ｏ＋０．７４１ＭｇＯ＋０．３６７ＺｎＯ≦４．５の関係を満たすことを特徴とするＬｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系結晶性ガラス。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ_２Ｏ_３やＴｅＯ_２を多量に含有する光学ガラスにおいて、溶融及び／又は成形時の着色を抑えることができ、かつ大量生産時の種々の負荷にも耐えうる高強度の金属材料からなる部材を使用する光学ガラスを提供する。
【解決手段】本発明の光学ガラスは、金を９０％質量以上含有しかつ強化材を分散させた金属材料からなる部材を使用して、酸化物基準でＢｉ_２Ｏ_３及び／又はＴｅＯ_２を３０質量％以上含有するガラス原料を溶融し、且つ／又は、ガラス原料が溶融した溶融ガラスを成形した光学ガラスである。金属材料からなる溶融槽を使用して、ガラス原料を溶解している。 （もっと読む）