【課題】高純度かつ高比表面積のシリカ微粉末を容易に製造すること。
【解決手段】二重管構造の燃料ガス−酸素ガス混合型バーナーの中心部に設けられた二流体ノズルの中心から、珪素質原料と水を含むスラリーを噴射するとともに、二流体ノズルの周囲から酸素を噴射して熱処理を行った後、速やかに酸素を含む雰囲気中で冷却し、微粒子を捕集することを特徴とするシリカ微粉末の製造方法及び装置。この発明においては、（１）珪素質原料のＳｉをＳｉＯ生成経由でシリカに転換させること、（２）珪素質原料と水を含むスラリーの固形分濃度が２０〜６０重量％であること、（３）珪素質原料と水を含むスラリーの水の３０重量％までをアルコールで置き換えること、などから選ばれた少なくとも一つの実施態様を有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安価、かつ、大量に、高純度の太陽電池基板用Ｓｉの原材料を提供する方法を提供する。
【解決手段】溶融Ｓｉをスラグと接触させることにより高純度のＳｉを製造する方法であって、使用済みスラグを再度、Ｓｉの精製に使用することにより、スラグの使用量を低減する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、超微粒子シリカが高度に分散された超微粒子シリカ分散液及び分散体並びにこれらの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の超微粒子シリカ分散液は、微粒子シリカが水酸基含有溶剤を主成分とする溶剤に分散されており、外観が透明ないしオルガノゾル状態である。この超微粒子シリカ分散液は、水酸基含有溶剤を主成分とする溶剤と超微粒子シリカとを混合し、得られる混合物を超音波で処理することにより製造される。更に超微粒子シリカ分散液に合成樹脂製造のための単量体又は初期重合物を混合した後、溶剤を除去することにより、超微粒子シリカの分散体が得られる。 （もっと読む）

【課題】良好な細孔体積、良好な吸油量、および良好な粒度分布を兼ね備えた水和ケイ酸を製造できる方法を提供する。
【解決手段】ケイ酸アルカリ水溶液に鉱酸を添加して中和することにより反応液中で粒子を析出させる水和ケイ酸の製造方法において、前記粒子が析出している期間内に、前記反応液に対して超音波を照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無触媒層でナノチューブが形成され、充電容量を大きく確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下部電極に用いられる導電膜パターン２７Ａを形成するステップと、導電膜パターン２７Ａの表面上に触媒を使用せずにひげ状のナノチューブ２８を形成するステップと、ナノチューブ２８を含む導電膜パターン２７Ａ上に誘電膜２９を形成するステップと、誘電膜２９上に上部電極３０を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安価、かつ、大量に、高純度の太陽電池基板用Ｓｉの原材料を提供する方法を提供する。
【解決手段】溶融Ｓｉにスラグを利用して、Ｓｉ中不純物をスラグに移動させて精製するＳｉ製造方法であって、スラグを減圧下に曝すことにより、高純度のＳｉを製造する。 （もっと読む）

【課題】安価、かつ、大量に、高純度の太陽電池基板用Ｓｉの原材料を提供する方法を提供する。
【解決手段】溶融Ｓｉにスラグと共に酸化剤供給することにより、溶融Ｓｉ中のＢを除去する。 （もっと読む）

【課題】形状やサイズの統一された微小水晶の提供。
【解決手段】アスペクト比が１．５以上で、長径が１０ｎｍ乃至１００μｍの範囲にあり、そして頂部に先鋭な突起を有し、底部が平面をなす柱状水晶微粒子、およびこの柱状水晶微粒子からなる水晶微粉末。大気圧下でケイ素アルコキシドを分解して二酸化ケイ素を生成させ、この二酸化ケイ素を基板表面でエピタキシャル成長させる方法（ＡＰ−ＶＰＥ法）による。容器の形状やサイズ、配置などに応じ、基板温度を５００〜６００℃の範囲で適宜選択して実施する。 （もっと読む）

【課題】 クラウンエーテル等のイオンを交換乃至は吸着できる樹脂を担持させてなる吸着成分を大量に担持させることができ、しかも十分な粒子強度を有しており、クラマトグラフィのカラム等の充填した場合にも粒子形状が安定に保持され、元素や同位体を化学的に分離濃縮に支障を及ぼすことがない多孔質粒子を提供する。
【解決手段】 シリカ微細粒子の集合体から形成された球状二次粒子からなり、該球状二次粒子は、レーザ回折法により測定して５乃至２００μｍの平均粒径（Ｄ_５０）を有しており、水銀圧入法で測定して半径０．１乃至２μｍの粒子内細孔と０．５ml／ｇ以上の細孔容積とを有し、且つ粒子強度が０．５以上であることを特徴とする。シリカ微細粒子が有機バインダーと共に水に懸濁分散されたスラリーを調製し、該スラリーをスプレー造粒し、得られた粒状物を乾燥及び焼成することにより製造する。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度の高い領域は凝固点が低下し、周囲の凝固進行に取り残されて固液界面の凹型界面の内部へ不純物が偏析され、不純物濃度が著しく高くなっているため、凝固後の冷却の際に不純物濃度が過飽和となり異物として析出する問題があった。
【解決手段】一部が開放した鋳型内部にシリコン融液を保持しつつ凝固させる凝固工程を備えた多結晶シリコンインゴットの鋳造方法であって、前記凝固工程において、シリコン融液表面温度と融液高さの半分の位置における側面融液温度差を５０℃以上とする。 （もっと読む）

５〜６００ｍ^２／ｇの比表面積および５００ｐｐｍ未満の炭素含有量を有する熱分解法により製造された二酸化ケイ素粉末であり、これは比表面積１ｍ^２あたり、ジブチルフタレート１．２ｇ／１００ｇＳｉＯ_２以下の比ジブチルフタレート吸収量および比表面積１ｍ^２あたり、１５ｍＰａｓ未満の比増粘作用を有する。該二酸化ケイ素粉末は、蒸気状のテトラメトキシシランおよび／またはテトラエトキシシランを空気と一緒に、および別個に水素をバーナーに供給し、かつ気体の混合物をバーナーに直列に接続された反応室中の火炎中で反応させ、かつ固体の反応生成物を公知の手段により気体流から分離し、その際、バーナー中のラムダ値は０．９５〜１．５であり、かつその際、反応室中のラムダ値が０．８〜１．６であるために十分な二次空気を反応室へ供給することにより製造される。本発明はまた、該二酸化ケイ素粉末を含有する分散液ならびに該粉末および該分散液の使用も提供する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗ばらつきが小さく、品質が均一で特性に優れた半導体インゴットの製造方法を提案する。
【解決手段】第一導電型を規定する第一ドーパント材を含有する半導体融液９を、鋳型内で所定方向に凝固させてなる半導体インゴットの製造方法において、前記凝固過程における前記半導体融液９の液面を測定し、該測定値に応じて前記半導体融液の第一ドーパント濃度よりも第一ドーパント濃度が低い半導体原料を、前記半導体融液中に供給することとする。 （もっと読む）

【課題】高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】鋳型内に保持した、ドーパントを含有するシリコンの融液に温度勾配を与え、低温部から高温部に向けて一方向凝固させてシリコンのインゴットを形成する工程を有し、インゴットの凝固開始位置から固化率５０％の位置までの融液の凝固速度をＶ１としたとき、０．８≦Ｖ１≦１．８（単位：ｍｍ／ｍｉｎ）を満たすようにシリコンの融液を凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 シリカ質の繊維状集合体の個々の繊維の解繊・分散を十分に行い、しかもシリカ繊維の凝集の原因となる蒸発乾燥工程に依らないでシリカ質繊維状集合体の乾燥を行うことにより、揺変性が６以上である繊維状シリカを提供する。
【解決手段】 石綿又は石綿含有蛇紋岩を酸分解して得られるシリカ質繊維状集合体の製造方法において、石綿又は石綿含有蛇紋岩の粉砕物を酸溶液中に投入し、撹拌しながら分解する工程と、分解後、残渣として残る前記シリカをろ別する工程と、ろ別したシリカを洗浄する工程と、洗浄したシリカに水を加えて１０〜３０％の濃度のスラリー溶液とし、スラリー中の繊維状シリカを超音波拡散法によって水中に分散させる工程と、シリカを分散した分散液をスプレードライヤで乾燥する工程よりなることを特徴とする、繊維状シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、狭い細孔直径分布を有し且つ細孔を形成する壁材がゼオライト構造である中空シリカマイクロカプセルを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の中空シリカマイクロカプセルは、（Ａ）アルカリ金属の珪酸塩含有水溶液に、有機溶剤及び界面活性剤を混合してＷ／Ｏ型乳濁液を得る工程、（Ｂ）得られる乳濁液に、無機酸のアンモニウム塩等を含有する水溶液を混合して、中空シリカマイクロカプセルを形成する工程、（Ｃ）アルコール洗浄を行うことなく、中空シリカマイクロカプセルを水洗し、乾燥後、焼成する工程、（Ｄ）焼成後の中空シリカマイクロカプセルに構造規定剤含有水溶液を含浸させる工程、（Ｅ）構造規定剤含有水溶液を含浸した中空シリカマイクロカプセルを、ゼオライトの結晶化温度まで加熱し、水熱合成反応を行う工程及び（Ｆ）水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルから構造規定剤を除去する工程を経て、製造される。 （もっと読む）

【課題】 より高いキャリア拡散長を有する結晶質シリコン基板、その製造方法およびこれを用いた光電変換素子を提供すること
【解決手段】 シリコンと水素との結合モードが最適化され、かつシリコン内部の水素密度プロファイルが最適化されていることを特徴とする結晶質シリコン基板であって、該基板を加熱した際に生じる脱離水素を測定する昇温脱離ガス分析よって測定した、温度に対する脱離水素速度の関係を表すスペクトルにおいて、前記基板温度が６００℃以上の範囲に脱離水素速度のピークを有し、さらに、前記基板温度が７００℃以上の範囲の脱離水素速度のピーク最大値は、６００℃以上７００℃未満の範囲内の脱離水素速度のピーク最大値より大きい。 （もっと読む）

【課題】沈降ケイ酸及びその製法
【解決手段】０．２〜５．０重量％のＡｌ_２Ｏ_３含有率及び３．４未満のｗｋ−率有する沈降ケイ酸。該沈降ケイ酸をアルカリ金属ケイ酸塩と鉱酸及びアルミニウム塩溶液とを水性環境中で、６０〜９５℃の温度及び７．０〜１０．０のｐＨ値で反応させ、この反応を４０〜１１０ｇ／ｌの固体濃度まで続け、ｐＨ値を３〜５の値に調整し、かつ得られた沈降ケイ酸を公知の方法で後処理することにより製造する。
【効果】本発明の沈降ケイ酸はゴム混合物中の充填材として使用することができ、特にタイヤ中で使用すると、その易分散性によりタイヤのころがり抵抗を著しく低下させることができる。 （もっと読む）

本願発明は、非鉄金属材料（２）、特にシリコンを溶融及び／または結晶化するための装置（１）に関している。本願発明の目的は結晶化された、ブロック形状の非鉄金属材料（２）の品質を向上することである。この目的の為、少なくとも１つの制御可能な冷却エレメントが非鉄金属材料（２）を収容する為の容器（３）の周りに、非鉄金属材料（２）からの能動的な熱の排出の為に配設される。
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【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】一般的に球状シリカ粒子中において、不純物と認識され、できる限り除去することが好ましいと考えられていた、アルミニウム元素などの１３族元素が樹脂組成物中において粘度を低下させる作用を発揮するばかりか、半導体パッケージにおける封止材に適用した場合でもこれといった悪影響の発現もない。本発明の球状シリカ粒子は、ウラン元素を質量基準で０．５ｐｐｂ以下、周期表の１３族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で４０ｐｐｍ以上、４１０ｐｐｍ未満含有し、真球度が０．８以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 希少元素の含有量が少なく、軽量であり、かつ、多量の水素を相対的に低温で吸蔵／放出することが可能な水素吸蔵材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 組成式： (Ｃａ_１−ｘＬｉ_ｘ)_１−ｚＳｉ_ｚ（但し、０．２５≦ｘ≦０．４、０．３８≦ｚ≦０．５８）で表される水素吸蔵材料。また、Ｃａ、Ｌｉ及びＳｉの比が、組成式： (Ｃａ_１−ｘＬｉ_ｘ)_１−ｚＳｉ_ｚ（但し、０．２５≦ｘ≦０．４、０．３８≦ｚ≦０．５８）となるように、ＣａＨ_２と、ＬｉＨと、Ｓｉとを配合し、配合物を機械的混合プロセスで複合化する複合工程と、該複合工程で得られた水素化物複合体を熱処理する熱処理工程とを備えた水素吸蔵材料の製造方法。 （もっと読む）