【課題】 本来有する優れた吸着特性や通水性をそこなうことなく、できるだけ大きい平均粒子径、狭い粒子分布範囲及び大きい空隙率すなわち気孔率を有する新規なケイ酸系高活性吸着性材料を提供する。
【解決手段】 長方薄片状又は繊維状の一次粒子が三次元的に絡合して形成され、平均細孔径２〜２０ｎｍ、空隙率０．９２〜０．９９、透過率２．０〜１０．０Ｄａｒｃｙ、全細孔体積が０．３〜４．０ｍｌ／ｇ及び平均粒子径７０〜２００μｍを有するケイ酸系凝集体からなるケイ酸系高活性吸着性材料とする。 （もっと読む）

本発明は、ＴｉＯ₂／ＳｉＯ_y（０．０３≦ｙ≦１．９５、特に０．０３≦ｙ≦１．８、とりわけ０．７０≦ｙ≦１．８）又はＴｉＯ₂／金属、特にＴｉＯ₂／Ａｌを焼成することによって得られる層を含む小板形の顔料ならびに塗料、織物、インクジェット印刷、化粧品、コーティング、プラスチック、印刷インク、セラミックスやガラスのためのうわぐすり及びセキュリティ印刷におけるその使用に関する。本発明の顔料は、高い光沢及び非常に均一な厚さによって特徴付けられ、その結果、非常に高い色の純度及び色の濃さが得られる。
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溶融装置アセンブリは、溶融したソース材料の装入材料を、結晶性の物体の製造に使用する結晶製造装置に供給する。溶融装置アセンブリは、ハウジングと、該ハウジングの中に配置されたルツボを有している。該ルツボの中に入れられた固体ソース材料を溶融させるために、ルツボに対してヒータが配置されている。ルツボが溶融したソース材料の流れを制御するためのノズルを有していることによって、溶融したソース材料の特定の流れを選択された流量で結晶製造装置へ供給することができる。結晶製造装置に溶融したソース材料を装入する方法、および１つの溶融装置アセンブリによって複数の結晶製造装置へ供給する方法を提供する。
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単結晶性半導体ナノ粒子を包含する、ナノ粒子を製造するための方法並びに装置を提供する。該方法は、プリカーサ分子を含有するプリカーサガスの存在下で、制限された高周波プラズマを発生させて、ナノ粒子を形成する段階を含む。10nm以下の径を持つフォトルミネッセンス性の珪素ナノ粒子を含む、単結晶性半導体ナノ粒子を、これらの方法に従って製造することができる。
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この発明は、粒状多結晶シリコンを製造する方法、および粒状多結晶シリコンの供給物に関する。この発明は、また、粒状多結晶シリコン中の粉塵成分を測定することおよび除去することの方法および装置にも関する。１つの要旨において、システムは、多結晶シリコンから粉塵成分を吸引するための減圧ポートを有している。この発明のもう１つのシステムは、多結晶シリコンの流れを受容するためのバッフル・チューブを有している。測定システムは、多結晶シリコンの流れから粉塵成分を分離しおよび計量するためのマニホールドおよびフィルターを有している。
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【課題】 従来の層状構造体の層間距離は４nm未満であり、層剥離を行う際には高剪断力をかける必要があり、作業性に問題があった。本発明は、高剪断をかけないでも容易に微分散可能な、層間距離の拡がった層状化合物を提供することである。
【解決と手段】 界面活性剤の自己組織化と金属アルコキシドによるゾルゲル反応を利用することによって得られる界面活性剤層(A)と板状組成物層（B)からなる層状構造体であって、Ｘ線回折パターンにおいて、少なくとも２つ以上のピークを有し、かつ、これらのピークのｄ値が特許請求の範囲記載の式（１）の関係を満足し、回折角度（２θ）が最も小さいピークのｄ１値が４ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の値を示す層状構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 組織化されたメソ細孔構造およびミクロ結晶骨格の両方の利点を有するアルミノケイ酸塩材料を提供する。
【解決手段】 階層的な多孔度を有する材料が記載され、この材料は、少なくとも２つの球状基本粒子によって構成され、該球状粒子のそれぞれは、細孔サイズが０．２〜２ｎｍであるゼオライトナノ結晶と、ケイ素酸化物をベースとするマトリクスを含み、該マトリクスは、メソ構造化され、かつ、細孔サイズが１．５〜３０ｎｍであり、厚さ１〜２０ｎｍの非晶質壁を有し、該球状基本粒子は、１０μｍの最大直径を有する。ケイ素酸化物をベースとするマトリクスは、アルミニウムを含んでもよい。前記材料の製造も記載される。 （もっと読む）

本発明は、方向性凝固法を用いた結晶シリコンインゴット、結晶シリコンウエハ及び太陽電池の改良された製造方法に関するものであり、特には、方向性凝固法に用いる型の装入及び準備方法に関するものである。少なくとも１つのロッド多結晶シリコンの断片と、少なくとも１つのチャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンとを型に装入することで、ポリシリコン含有物の充填密度及び熱伝導度が増大すると共に製造サイクルを実施するのに消費される資源量が少なくなり汚染が低減される。
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微孔質シリカゲルの合成および合成ガスからのＣ_２酸素化物合成のための触媒の製造に対するその適用につき開示する。ゾルゲルプロセスにより生成されかつ塩基性溶液中で加熱され、次いで乾燥および／または焼成されるシリカゲルの小粒子は、かくして触媒支持体として微孔質シリカを形成する。塩基性溶液はアルカリ金属およびアンモニウムの水酸化物、炭酸塩、重炭酸塩、蟻酸塩および酢酸塩の１種または混合溶液とすることができる。得られる微孔質シリカにはロジウム塩および他の遷移元素塩（プロモータ先駆体として）の溶液を含浸させ、次いで乾燥および／または焼成し、かくして微孔質シリカ支持されたロジウム系触媒を形成する。ロジウム塩はＲｈＣｌ_３もしくはＲｈ（ＮＯ_３）_３とすることができる。プロモータ先駆体は水可溶解の遷移金属塩、稀土類金属塩、アルカリ金属塩およびアルカリ土類金属塩とすることができる。得られる触媒は、緩和なプロセス条件下におけるＣＯの水素化によるＣ_２−酸素化物の合成にて高い活性および選択率を示す。 （もっと読む）

【課題】 葉状シリカ２次粒子のスラリーを簡便な手法によりその水スラリー中での状態を保持したたまま、乾燥し、シリカ薄片１次粒子及び／又は葉状シリカ２次粒子からなる高度に単分散したシリカ粒子粉末を提供する。
【解決手段】 （ｉ）シリカヒドロゲル等を、アルカリ金属塩の存在下に水熱処理し、その鱗片状シリカ３次凝集体粒子を形成し、（ｉｉ）シリカ３次凝集体粒子を、水系スラリー状態で、解砕・分散化して、シリカ薄片１次粒子及び／又は葉状シリカ２次粒子からなる水系スラリーを形成し、（ｉｉｉ）その水系スラリーに、シリコン系化合物水系エマルションを添加・混合してスラリー状態で処理し、（ｉｖ）これを乾燥させ、（ｖ）乾式解砕することにより高度に単分散した乾燥シリカ粒子粉末を提供する。 （もっと読む）

【課題】 鱗片状シリカとは形態的に異なる針状の低結晶性シリカを、ケイ灰石やアルミノケイ酸塩を経ることなく、水熱反応により創出する。
【解決手段】 アルカリ性のリチウム源及びシリカ源を含む水溶液又は水スラリーを出発原料とし、水熱処理することにより、低結晶性の針状シリカを得ることができ、特にアルカリ性のリチウム源として水酸化リチウム等を使用し、シリカ源としてシリカゾル等を使用するか、アルカリ性のリチウム源及びシリカ源としてケイ酸リチウムを使用することにより、直径が０．００１〜１μｍの針状シリカであり、アスペクト比が５〜２００である針状シリカが提供される。 （もっと読む）

本発明は、珪素塊や珪素結晶製造用の溶融珪素製造のための開始材料として最適な珪素を製造する方法に関連し、次の工程からなっている。モノシランと水素から成る混合ガスを反応器へ誘導する、珪素パウダーを生成するのに伴い混合ガスを熱分解する、混合ガスから得られた珪素パウダーを分別し、分別された珪素パウダーを機械的に圧縮する。
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本発明は、ＳｉＣｌ_４をＨＳｉＣｌ_３に接触脱ハロゲン水素化するための方法に関し、この場合、この方法は、ガス状Ｈ_２／ＳｉＣｌ_４を含有する出発材料混合物を、抵抗加熱器の少なくとも１個の加熱エレメントと直接接触させることを特徴とする。この加熱エレメントは、金属または金属合金から成り、かつ変換を実施するために加熱される。 （もっと読む）

本発明は、フォイルキャスティングの原理を使用して金属フォイルを製造するための方法と装置とに関する。この方法は、キャスティングフレームを液体状の金属で充填する工程と、このキャスティングフレームの下部を通るように基体を移動させる工程とを有している。この基体ベルトは、液体状の金属の下面が基体上で結晶して、金属フォイルがキャスティングフレーム側の基部上に形成されるように、キャスティングフレームの下部内の液体状の金属の融点よりも低い温度である。この方法は、金属フォイルの厚さと重量との少なくとも一方を測定する工程と、製造されたフォイルの厚さ並びに/若しくは重量の測定値の関数として、液体状の金属と基体との間の接触面積を調節する工程とにより、特徴付けられている。
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本発明は、水素の存在下で、ＳｉＣｌ_４をＨＳｉＣｌ_３に接触脱ハロゲン水素化するための方法に関し、この場合、この方法は、元素周期律表（ＰＴＥ）の第２主族の元素から選択された少なくとも１種の金属または金属塩を触媒として３００〜１０００℃の温度で使用する。特に触媒は、これらの条件下で適した金属塩化物を形成する金属または金属塩である。 （もっと読む）

本発明によれば、線形溶融ゾーンからの成長によって半導体リボンを連続的に製造するための方法が提供される。溶融ゾーンの生成は、前記材料を融解させるだけの十分に強烈な直流電流又は交流電流を好ましくは前記材料の電極を使用してリボンの表面に平行に、且つ、成長の方向に直角に印加することによって達成される。溶融ゾーンは、原料が融解する１つ以上のリザーバからの液体状態の材料の移動によって供給される。前記電極及び前記１つ以上のリザーバは、前記材料によってのみ構成されることが好ましく、それにより異物による汚染が回避される。本発明は、例えば光起電性用途のためのシリコン・リボン製造産業に適用することができる。

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【課題】
【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物からカーボン−シリカ生成物を生成する方法であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。本発明のカーボン−シリカ生成物から作られる高純度のシリコン含有物もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、いかなる機械的、化学的ストレスも与えることなく、太陽電池用の多結晶シリコンプレートにエンボス加工を施す方法を提供する。
【解決手段】
予め決定されているレリーフを表現している二つの表面の一つを有する、少なくとも一つの多結晶シリコーンプレート（６８，７８）の製造方法に関するもので、多結晶シリコーン（６０，６２）の層が支持体（５０）の二つの表面(５６，５８)のうち少なくとも1つの表面上に堆積することを特徴とする。
本製造方法は、
(1)前記レリーフが互いに補完する形を支持体に与えるために、支持体（５０）の前記表面（５２，５４）に凸凹加工（エンボス加工）を施すステップと、
(2)支持体の前記エンボス加工された表面（５６，５８）に前記多結晶シリコーン層を堆積させ、前記エンボス面と接している前記多結晶シリコーン層の表面に、前記レリーフの形状を形成するステップと、
(3)前記多結晶シリコーンプレート（６８，７０）を得るために、前記支持体を取り除くステップと、
から構成される。 （もっと読む）

本発明はシリコンの製造方法に関する。ここでは、モノシランおよびモノクロロシランを含み、望ましい場合にはたとえばジクロロシラン等の別のクロロシランも含む気体混合物を熱分解する。 （もっと読む）

本発明はPV太陽電池用の珪素（シリコン）ウェファを製造するために指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造する珪素供給原料に関し、該珪素供給原料はこれに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と０.1〜10ppmaのリンとを含有する。本発明は更にインゴットに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と0.1〜10ppmaのリンとを含有する、太陽電池用ウェファを形成するための指向的に凝固した珪素インゴット又は珪素薄板又はリボンに関し、該珪素インゴットはインゴット高さ又はシート又はリボンの厚さの40〜99％の地点でp−型からn−型へ又はn−型からp−型への型式変化を有し且つ0.4〜10 ohm cmの開始値を有する指数曲線によって表わした抵抗率分布を有し、その際抵抗率値は型式の変化点に向かって増大する。最後に、本発明はPV太陽電池用の珪素ウェファ生産用の指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造するための珪素供給原料の製造方法に関する。
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