【課題】より放電容量を高めることが可能な負極活物質を提供すること、さらに、該負極活物質を用いた高性能な蓄電装置を提供するである。
【解決手段】複数の結晶領域を含むシリコン結晶体であって、前記シリコン結晶体は一方向の伸張方向を有し、前記複数の結晶領域は略一致する一の結晶方位（優先方位ともいう）をそれぞれ有し、前記伸張方向と前記優先方位は略一致するシリコン結晶体を形成することである。さらに、当該シリコン結晶体を負極活物質として適用し、蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉヒュームが発生した場合であっても、冷却ルツボの直下でインゴットの鋳肌表面の温度変動を正確に監視できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱により原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁に監視窓１５を設け、監視窓１５とルツボ７の直下におけるインゴット３の鋳肌表面近傍との間にわたり耐熱管１７を設け、耐熱管１７のインゴット３側の端面が耐熱板１８で閉塞されており、監視窓１５の外部の放射温度計１６により耐熱管１７内を通して耐熱板１８の温度を測定し、この温度に基づいてインゴット３の鋳肌表面温度の変動を監視する。 （もっと読む）

【課題】冷却ルツボへのシリコン原料の投入に伴ってシリコン原料がプラズマトーチと接触するのを防止し、溶融シリコンの金属不純物汚染を抑制するとともに、シリコン原料の融解を安定させることができるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ７に原料導入管１０を通じてシリコン原料１１を投入し、冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱、および冷却ルツボ７の上部に挿入されたプラズマトーチ１３からのプラズマアーク加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、冷却ルツボ７の側壁に貫通穴７ｃが形成され、この貫通穴７ｃに原料導入管１０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ７と、冷却ルツボ７を固定する天板１０と、冷却ルツボ７の外側を囲繞し、冷却ルツボ７の内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル８とをチャンバー１内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボ７の上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材１７を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 （もっと読む）

【課題】強固に凝集することがなく流動性に優れる、疎水化された表面処理無機酸化物粒子を、簡易に製造する方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、少なくとも下記の工程（１）乃至（３）を以下に記載の順で行うことを特徴とする方法である；（１）塩基性触媒の存在下における金属アルコキシドの加水分解及び重縮合反応によって得られる無機酸化物粒子の分散液に、シリコーンオイル、シランカップリング剤及びシラザンよりなる群から選ばれる少なくとも１種類の表面処理剤を添加して前記無機酸化物粒子の表面処理を行う工程、（２）前記表面処理後の無機酸化物粒子の分散液に、二酸化炭素、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム及びカルバミン酸アンモニウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物からなる凝析剤を添加する工程、並びに（３）ろ過によって前記表面処理後の無機酸化物粒子を回収する工程。 （もっと読む）

【課題】透明性、屈折率、耐磨耗性に優れた多孔質体を提供する。
【解決手段】炭素数３〜１２のアルキル基を含有し、かつ表面の最小反射率が１％以下であることを特徴とするセラミックス多孔質体。 （もっと読む）

【課題】基材と多孔質シリカ膜との密着性が高く、可視光線透過率が高い、多孔質シリカ膜を有する積層体を提供する。
【解決手段】Ｔｇが２００℃以下の透光性基材上に、屈折率が１．２０〜１．３５である多孔質シリカ膜を有する積層体であって、ミルスペックＭＩＬ−ＣＣＣ−ｃ−４４０に記載のチーズクロスを荷重５００ｇ／ｃｍ^２で前記多孔質シリカ膜表面上を２０往復させる耐摩耗性試験において、前記積層体の可視光線透過率の変化量が、試験前の前記積層体の可視光線透過率に対して５％未満であることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】 一般的なオパールは、撥水性基板と微粒子を含む液滴とが接触して形成された平滑な面と、表面張力によりドーム上に形成された凸曲面とを有するものであり、凸曲面側は遊色効果があるものの輝度が低い場合があった。
【解決手段】 複数のシリカ粒子からなる、２つの主面を有する板状のオパールであって、前記２つの主面を含む２つの第１層領域におけるシリカ粒子密度は、前記２つの第１層領域間に介在した第２層領域におけるシリカ粒子密度よりも高いこと。 （もっと読む）

【課題】減圧濾過中のフィルタの目詰まりを回避可能な減圧濾過式シリコンスラッジ洗浄方法を提供する。
【解決手段】減圧濾過の条件として、シリコン粉Ｓを含む固形分の平均粒径を１〜１０μｍとし、洗浄液中またはリンス液中の固形分の濃度を１〜１０重量％とし、網状フィルタの網目サイズを固形分の平均粒径の５〜１０倍としたので、減圧濾過の開始後間もなく、各網目１４ａの直上に負圧の作用で固形分が集合したドーム１５が形成される。ドーム１５は多孔質であるため、減圧濾過中の網状フィルタの目詰まりを回避できる。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁の上部と下部に連結され、冷却ルツボ７の上方の雰囲気ガスを導入して冷却ルツボ７の下方に送り出す通気管１５を備え、この通気管１５の経路に集塵機２０および磁選機２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 メソポーラスシリカ膜の低屈折率を保ちつつ、吸湿による屈折率の変動を抑制する。
【解決手段】 メソポーラスシリカ膜の少なくとも一方の表面から深さ１０ｎｍ未満の領域である表面層にＳｉＯ_{（２−ｎ／２）}Ｘ_ｎ（Ｘはアルキル基、フッ化アルキル基およびフッ素から選ばれる少なくとも１種類以上からなる基を示す。ｎは１以上３以下の整数を示す。Ｘがアルキル基またはフッ化アルキル基の場合、その一部に不飽和結合を有していてもよい。）で表わされる構造を有し、前記表面層におけるケイ素炭素及びフッ素の合計の元素成分比が０．１以上であり、前記表面から深さ１０ｎｍ以上の領域である内部層におけるケイ素に対する炭素とフッ素の合計の元素成分比が、前記表面層における元素成分比より小さい。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶湯表面を高温に保つための保温手段として、簡便な構造で製作が容易であり、しかも、るつぼの加熱下に交換可能なリング状の保温蓋を用い、るつぼを加熱したままで数十チャージ分のシリコンを連続的に処理することが可能なシリコン精製装置及びこれを用いたシリコン精製方法及び精製方法を提供する。
【課題手段】真空ポンプを具備した減圧室内に、シリコンを収容する上端開口の黒鉛製るつぼと、該るつぼを加熱する加熱装置を備えたシリコン精製装置であって、前記るつぼの上部において該るつぼの開口部を覆うと共にるつぼ内のシリコン溶湯表面より小さい面積の排気開口を有するリング状の保温蓋を備え、該保温蓋が、前記減圧室内において、前記るつぼの加熱中に交換可能であることを特徴とするシリコン精製装置、及びこれを用いたシリコン精製方法である。 （もっと読む）

【課題】体積の均一な球状の半導体材料を提供する。
【解決手段】板状の半導体材を分割し複数の半導体分割片を形成する第一の工程と、半導体分割片のそれぞれを、複数の装填部を有する基材の各装填部内に装填する第二の工程と、装填部内に装填された半導体分割片を加熱して、装填部内で融解した後に、融解された溶融体を冷却して固化する第三の工程と、を有している製造方法とした。これによって、板状の半導体材を分割し、半導体分割片にする事により、それぞれの半導体分割片の体積のバラツキを抑える事ができ、粉体を用いる場合と比較して、融解、固化され得られた球状の半導体材の体積を均一にできる。この事により、光−電気変換性能を一定にする事ができ、球状半導体型太陽電池モジュールの組立工程での工程不良や、外観不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】インゴットの外周部において不純物による汚染を低減することができるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に不活性ガスを供給しつつ、当該チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料を溶解させ、この溶融シリコン１２を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する方法において、チャンバー１内に不活性ガスを供給する際に、不活性ガスを溶融シリコン１２の上方に供給するとともに、シリコンインゴット３の下部に供給し、当該下部に供給した不活性ガスをシリコンインゴットの外周に流通させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】凍結・解凍後の再分散性に優れた抗菌消臭性無機酸化物微粒子の水分散液を提供する。
【解決手段】抗菌消臭性無機酸化物微粒子の水分散液は、無機酸化物微粒子に抗菌消臭性能を有する金属成分を担持してなる平均粒子径１〜５００ｎｍの抗菌消臭性無機酸化物微粒子と、アルコールとを含む水分散液であって、該アルコールの含有量が該抗菌消臭性無機酸化物微粒子の単位表面積あたりに４．４×１０^-6〜１．３２×１０^-3ｍｏｌ／ｍ²となる範囲にある。 （もっと読む）

【課題】反応炉の内壁面に付着したハロゲン化シランの重合物を確実に除去するとともに、反応炉内壁の所望の領域を重点的に洗浄することを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】垂直軸２１の先端部に取り付けられた回転部材２２は軸Ｑを中心に自転可能である。ノズル支持体２３は軸Ｐを中心に自転可能であり、回転部材２２が自転すると軸Ｑを中心に垂直軸２１の周りを公転する。ノズル２４から洗浄水が高圧噴射されると、その噴射反動力によってノズル支持体２３が軸Ｐを中心に自転し、該自転が回転部材２２に伝達される。従って、ノズル支持体２３が自転すると同時に、回転部材２２が自転する。その結果、ノズル支持体２３は垂直軸２１の周りを自転しながら公転する。このような自公転機構により、ノズル２４から高圧噴射される洗浄水が三次元方向に噴射されて反応炉３０の内壁３２の表面が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、最大粒径が４０ｍｍであり、かつ、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】回収シリコンくず、特に酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずからシリコンを効率的に再生して回収するシリコン回収方法を提供することを目的とする。また、回収シリコンくずをそのまま利用可能なフェロシリコンに再生させるシリコン回収方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るシリコン回収方法は、溶融スラグの基に、酸化珪素、または、酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずをアーク放電により再溶解し、シリコンに再生させるシリコン回収方法であって、前記溶融スラグの温度が1750℃以上で再溶解を行うことにより実施される。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性に優れた非水電解質二次電池を与える正極活物質を提供することを課題とする。
【解決手段】ＬｉＦｅ_1-xＭ_xＰ_1-yＳｉ_yＯ₄（但し、式中、ＭはＺｒ、Ｓｎ、Ｙ、及びＡｌから１種又は２種以上選択された金属元素であり、ｘは０．０５≦ｘ＜１であり、ｙは０．０５≦ｙ＜１）で表される組成を有し、かつリチウムの挿入及び脱離可能なリチウム含有金属酸化物と、Ｍ’Ｏ_z（但し、式中、Ｍ’は、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｙ、及びＡｌから１種又は２種以上選択された金属元素であり、ｚはＭ’の価数に応じて決まる数である）で表される金属酸化物とを含むことを特徴とする正極活物質により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 外径が小さく且つ単分散性に優れたシリカナノチューブが高度に集積化されたシリカナノチューブ会合体を短時間で簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】 （Ｉ）ポリオキサゾリンを酸性条件下で加水分解し、ポリエチレンイミンの塩酸塩粉末を得る（ＩＩ）工程（Ｉ）で得た塩酸塩粉末を水中に溶解し水溶液を得る（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）で得た水溶液に塩基性化合物を加え、ポリエチレンイミンの結晶性フィラメントの会合体を得る（ＩＶ）工程（ＩＩＩ）で得た会合体を単離する（Ｖ）工程（ＩＶ）で単離した会合体を水性媒体中に分散し、シリカソースを加え、ポリエチレンイミンの芯とこれを被覆するシリカとからなる複合ナノファイバーの会合体を得る（ＶＩ）工程（Ｖ）で得た会合体を加熱焼成してポリエチレンイミンの芯を除去し、中空構造を発現させる工程を有するシリカナノチューブ会合体の製造方法 （もっと読む）