【課題】鋳造されるシリコンインゴットが金属不純物により汚染されるのを低減でき、シリコンインゴットから切り出されたウェーハを太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることができるシリコンインゴットの鋳造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ７に装入されたシリコン原料を加熱して融解させた後、凝固させて多結晶シリコンインゴットを鋳造する方法において、ルツボ７にシリコン原料を供給する経路上に、シリコン材料からなる保護部材１７および１８を配置して鋳造を行うことを特徴とするシリコンインゴットの鋳造方法である。保護部材として、Ｆｅ濃度が１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下、Ｎｉ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下およびＣｒ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下であるシリコン材料から作製されたものを用いるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法であって、評価材料からなる内面で形成された閉空間部２１ｃを有する容器２１を作成し、閉空間部２１ｃにシリコン試料を配置した後、容器２１を所定回転数で所定時間に亘り回転軸を略水平にして回転させる回転処理を行い、その後、シリコン試料について不純物濃度を測定し、不純物濃度の測定結果に基づき材料を評価することを特徴とする材料評価方法である。これにより、多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価し選定する際に、鋳造されるインゴットが不純物により汚染されるのを低減できる材料を選定できる。 （もっと読む）

【課題】研磨速度が高く、精密研磨に適した研磨用シリカゾル、研磨用組成物及び研磨用シリカゾルの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカゾルは動的光散乱法により測定される平均粒子径が５〜３００ｎｍの範囲にある非球状シリカ微粒子を分散媒に分散してなり、固形分濃度が１０〜６０重量％であって、２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定時のケミカルシフト−７３〜−１２０ｐｐｍのピーク面積におけるＱ４の面積が８８％以上、Ｑ３の面積が１１％以下である。但し、前記ケミカルシフトは、テトラメチルシランを基準物質とし、Ｑ４は−１００〜−１２０ｐｐｍの範囲のピークであり、Ｑ３は−８２〜−１００ｐｐｍの範囲のピークである。 （もっと読む）

【課題】シリコンを高純度に精製することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン屑から精製シリコンを得るシリコン精製方法であって、シリコン屑を溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯から得られる溶融シリコンを凝固させてシリコン塊を形成する工程と、を含み、シリコン溶湯を形成する工程は、シリコン屑を第１の圧力下で溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯を第１の圧力よりも低い第２の圧力下で脱気する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ゾルゲル法による３段階の階層的多孔構造を有するモノリス多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】 前駆体ゾルを調製するゾル調製工程と、有機ポリマー繊維を３次元的な広がりを有する塊状に構成してなるテンプレートを収容したゲル化容器内において、前記前駆体ゾルに対して、ゾルゲル転移と相分離を並行して発現させ、前記有機ポリマー繊維の周囲の空間に、ヒドロゲル相と溶媒相の共連続構造体からなるゲルを形成するゲル化工程と、前記ゲルから前記溶媒相と前記有機ポリマー繊維を個別或いは同時に除去する除去工程とを有し、前記有機ポリマー繊維が、長手方向への伸長が拘束された状態で前記長手方向に垂直な断面が収縮可能な構造を有し、前記有機ポリマー繊維を除去した後の空隙にテンプレート孔を、前記溶媒相を除去した後の空隙に貫通孔を、前記ヒドロゲル相の骨格体に細孔を、夫々形成する。 （もっと読む）

【課題】一次粒径が１００ｎｍ以下の中空シリカナノ粒子の製造方法の提供。
【解決手段】下記工程（１）及び（２）を含む、一次粒径が１００ｎｍ以下の中空シリカナノ粒子の製造方法。
（１）２鎖型カチオン性界面活性剤（Ａ）のクラフト点以上の温度で２鎖型カチオン性界面活性剤（Ａ）の水溶液に超音波照射を行うことにより、２鎖型カチオン性界面活性剤（Ａ）の会合体水分散液を調製する。
（２）２鎖型カチオン性界面活性剤（Ａ）のクラフト点以下の温度で、工程（１）で得られる２鎖型カチオン性界面活性剤（Ａ）の会合体水分散液とアルコキシシラン（Ｂ）とを混合する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】分散性に優れた微粒子シリカを調製できるシリカの製造方法、及び該製造方法により得られたシリカを含むタイヤ用ゴム組成物を提供する。
【解決手段】ケイ酸ナトリウム水溶液を用いたシリカの製造方法であって、水溶性分子を用いたシリカの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】可撓性、膜強度、耐擦傷性に加え柔軟性に優れ、さらに無機酸化物粒子を均一に分散した状態で含んだ透明被膜が付いた基材を得るために用いる特定のマイクロリング状無機酸化物粒子の提供。
【解決手段】貫通孔を有するマイクロリング状無機酸化物粒子と、前記貫通孔を貫く繊維状のバクテリアセルロースとを有する複合体。 （もっと読む）

【課題】低温で且つ迅速にＳｉＯ_２系セラミックス膜を形成する方法により、効率良くガスバリアフィルムを得て、最終的に得られるセラミックス膜のガスバリア性、耐傷性等の膜特性を向上したガスバリアフィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリ珪素化合物を含有する塗工液をプラスチックフィルム支持体に塗布した後、該塗布されたポリ珪素化合物をＶＵＶ光によりセラミックに転化させたガスバリアフィルムであって、該ポリ珪素化合物の下記数式で定義する分散度が、３．００以上２０．００以下であることを特徴とするガスバリアフィルム及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平均粒度が３μｍ以下の無機質球状化粒子を効率良く生成することの可能な無機質球状化粒子製造用バーナ、無機質球状化粒子製造装置、及び無機質球状化粒子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】燃焼室Ｃの入口側に位置する噴出面３４の中心に配置され、燃焼室Ｃに無機質原料粉体を含む原料スラリーを噴出する原料噴出孔３１Ｂと、原料噴出孔３１Ｂの外側に位置する噴出面３４に配置され、燃焼室Ｃ内に原料スラリーを分散させる噴霧流体を噴出する噴霧流体噴出部３２Ｂと、噴霧流体噴出部３２Ｂよりも外側の位置に複数設けられ、燃料室Ｃに燃料ガスを噴出する燃料ガス噴出孔３３Ｂと、燃料ガス噴出孔３３Ｂよりも外側の位置に複数設けられ、燃料室Ｃに支燃性ガスを噴出する第１及び第２の支燃性ガス噴出孔３５Ｂ，３８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】分散性に優れた微粒子シリカを調製できるシリカの製造方法、及び該製造方法により得られたシリカを含むゴム組成物を提供する。
【解決手段】陽イオン交換樹脂を用いてｐＨを調整したケイ酸ナトリウム水溶液１と、ケイ酸ナトリウム水溶液２とを混合する工程（Ｉ）を含むシリカの製造方法に関する。 （もっと読む）

【解決課題】結晶の生産性を高い状態に維持しながら、従来よりも不純物元素の除去を効率良くかつ確実に行うことができる金属シリコンの凝固精製方法及びその装置を提供する。
【解決手段】凝固精製装置の鋳型内にある金属シリコンの融液を一方向凝固させて金属シリコン中の不純物元素を除去する金属シリコンの凝固精製法であり、凝固界面での融液側温度勾配Ｇと、凝固途中の融液中不純物元素濃度Ｃmと、凝固速度Ｖとを用いて表される組成的過冷却指数｛VOGC＝(V/G)×Cm｝が、金属シリコンにおけるシリコン−不純物元素の状態図から読み取れる液相線の勾配ｍと不純物元素の拡散係数Ｄにより表される組成的過冷却の臨界値｛0.59(D/m)｝に対して、１／１０｛０．５９（Ｄ／ｍ）｝≦ＶＯＧＣ＜０．５９（Ｄ／ｍ）の関係を維持するように、融液の加熱及び／又は冷却を行う金属シリコンの凝固精製法である。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Ａと元素Ｄとを含み、前記元素ＡがＳｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であり、前記元素ＤがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｂａ、ランタノイド元素（Ｃｅ、およびＰｍを除く）、Ｈｆ、Ｔａ、ＷおよびＩｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であり、前記元素Ａの単体または固溶体である第１の相と、前記元素Ａと前記元素Ｄとの化合物である第２の相を少なくとも有することを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

【課題】調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。
【解決手段】調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも１回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行う、シリコン中の不純物の測定方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用正極材料として有用なリチウムシリケート系材料について、従来よりも優れた電池特性を有する材料を比較的簡単な手段によって製造できる方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属塩から選ばれた少なくとも一種を含む溶融塩中で、二酸化炭素および還元性ガスを含む混合ガス雰囲気下において、珪酸リチウム化合物と、鉄および／またはマンガンを含む遷移金属元素含有物質と、を３００℃以上６００℃以下で反応させるリチウムシリケート系化合物の製造方法において、
前記遷移金属元素含有物質は、鉄および／またはマンガンを含む化合物を含む遷移金属含有水溶液をアルカリ性にして形成される沈殿物を含むことを特徴とする。本製造方法によれば、ケイ素を過剰に含むリチウムシリケート系化合物が得られる。 （もっと読む）

【課題】超高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に更に多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微粉末の製造装置において（１）金属亜鉛を亜鉛の沸点以上に加熱蒸発して亜鉛ガスを供給する機構と（２）該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、（３）前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、（４）前記反応ガスの温度を３００℃〜８００℃に下げて生成したシリコン粒子を成長させると共にガス成分の一部と共に沈殿する機構と（５）前記沈殿物を保持すると共に、該沈殿物を９５０℃以上に加温し、蒸発物を揮散して、固体シリコンを得る機構（６）と、前記蒸発物を含み、未反応ガス等を含む排ガスを系外に排出する排ガス機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微粉末の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータ等の加熱源を用いることなくシリコン芯線を均一に加熱することにより、シリコン芯線への初期通電の電圧を低くすることを可能とする技術の提供。
【解決手段】シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン３０が、各反応炉の排ガスラインと原料ガス供給ラインに接続されている。シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン３０から、ガスノズル３を通して、反応中の他の反応炉からの排ガスの一部を炉内に供給し、シリコン芯線５に電流が効率的に流れる電気抵抗となるように、シリコン芯線５を３００℃以上の温度に初期加熱する。続いて、金属電極２から、芯線ホルダ２０を介してシリコン芯線５に電流を供給してシリコン芯線５を９００℃〜１３００℃に加熱する。そして、水素ガスとともにトリクロロシランガスを原料ガスとして低流量で供給し、多結晶シリコンの気相成長を開始する。 （もっと読む）

【課題】断面形状が正方形のアフターヒーターを具備する電磁鋳造装置で断面形状が長方形のインゴットを製造する場合、インゴットの切断時に発生するクラックやササクレを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】（１）無底冷却モールド２と、誘導コイル１と、インゴット５を徐冷するアフターヒーター４を有し、アフターヒーターの出力制御を、対面する２面のヒーター（例えば、ヒーター１４−１と１４−３）を１対として２対以上のヒーターについて個別に実施できるように構成されている電磁鋳造装置。（２）前記の電磁鋳造装置を用い、アフターヒーターの出力を、２対以上のヒーターについて個別に制御する電磁鋳造方法。アフターヒーターの出力を、インゴットの面内温度のばらつきが１０℃以下になるように制御することとすれば、クラックやササクレの防止に極めて有効である。 （もっと読む）