【課題】リチウムシリケートの生成を抑制して不可逆容量を低減できるリチウムイオン二次電池用負極活物質を提供する。
【解決手段】リチウムイオン二次電池用負極活物質を、ＳｉＯ_ｘ（０．３≦ｘ≦１．６）で表されるケイ素酸化物からなる粒状体と、該粒状体の表面を被覆する炭化ケイ素被膜と、で構成する。粒状体の表面を、リチウムに対する反応性が極めて低い炭化ケイ素被膜で覆ったことで、リチウムシリケートの生成を抑制でき、不可逆容量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることにより、太陽電池の変換効率を向上した多結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することにある。また、かような多結晶ウェーハを得るための、多結晶材料の鋳造方法を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶ウェーハは、ウェーハ中のCu濃度を所定の範囲としたものである。 （もっと読む）

【課題】 安価原料（水ガラス、無機塩）を出発原料とし、非晶質酸化ケイ素ネットワーク中に異種金属を均一導入することによって強い酸点を形成し、かつ、高い比表面積を有する高機能多孔質材料を製造する。
【解決手段】 有機質鋳型を水溶媒に溶解せしめた後に、水ガラスを添加し、次に前記有機質鋳型、前記水溶媒および前記水ガラスの混合物を撹拌しながら、前記混合物に無機酸を滴下し、さらに無機塩水溶液を添加し、前記無機塩の自己加水分解反応を進行させて、高比表面積、強吸着機能を有する多孔質材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、バイオ由来シリカと炭素質物質と少量の金属ケイ素を塩素と反応させる四塩化ケイ素の製造方法において、工業的な実施に適すると同時に、シリカの反応率の高い製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明者らは、バイオ由来シリカと炭素質物質との混合物を、塩素と反応させて、四塩化ケイ素を製造する方法において、篩分粒径が１．０ｍｍ以上４．８ｍｍ以下の金属ケイ素を、シリカに対して、１０〜３０ｗｔ％加えて塩素化反応を行うことにより、外部からの余分なエネルギー供給の必要がなく、高いシリカ反応率で四塩化ケイ素が製造できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度の高い多結晶インゴットを得ることのできる多結晶材料の鋳造方法を提供することにある。また、本発明は、スライス工程において、低い割れの発生率で製造でき、且つ上記のセル工程、モジュール工程での割れの発生率も低い多結晶ウェーハを提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強固に凝集せずに流動性に優れる疎水化無機酸化物粒子を簡易に製造する方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、下記の工程（１）乃至（６）を以下に記載の順で行うことを特徴とする；（１）塩基性触媒の存在下におけるゾルゲル反応を行い、無機酸化物粒子の分散液を得る反応工程、（２）前記反応工程によって得られた無機酸化物粒子の分散液に、特定の表面処理剤を添加して、前記無機酸化物粒子に対して第１の表面処理を行う工程、（３）前記第１の表面処理後の無機酸化物粒子の分散液に、特定の化合物からなる凝析剤を添加する工程、（４）ろ過によって前記第１の表面処理後の無機酸化物粒子を回収する工程、（５）回収した第１の表面処理後の無機酸化物粒子を乾燥する工程、並びに（６）乾燥後の第１の表面処理後の無機酸化物粒子に、特定の表面処理剤を添加して、前記第１の表面処理後の無機酸化物粒子に対して第２の表面処理を行う工程。 （もっと読む）

【課題】アーク炉に抵抗加熱炉などを併設しないでアーク炉のみで回収シリコンくずを加熱、融解することができ、回収シリコンくずに印加する電圧も400V以下で稼動することができ、高電圧を使用するような大きな設備を要しない回収シリコンくずの融解方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る回収シリコンくずの融解方法は、回収されたシリコンくずをアーク炉により融解する回収シリコンくずの融解方法であって、該アーク炉の電極間電圧を40〜400Vに保持するとともに、電極を導電材に接触させた状態で通電し、該導電材の昇温に伴って発生するアーク放電により前記シリコンくずが加熱され、アーク放電及び電極間電流が安定したのち通常のアーク炉操業に移行することによって実施される。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの加工工程で発生するシリコン廃材を精製することなくリサイクル原料として使用して、一定の品質の多結晶シリコンを製造する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造では、鋳造された多結晶シリコンインゴット１から切り出されたシリコン廃材であるボトム材１ｂ又は鋳肌材２ｂの最表面部位に存在する高濃度不純物領域を研削により除去した後、これらのシリコン廃材をリサイクル原料として使用する。上記多結晶シリコンインゴットを鋳造時には、リサイクル原料と天然原料からなるバージン原料とを含み且つバージン原料のほうがリサイクル原料よりも高い比率で配合された混合原料を用いる。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造方法により多結晶シリコンを製造するに際し、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を防止することができる電磁鋳造方法および電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させ、最終凝固工程（鋳造終了の直後からモールド内の未凝固の溶融シリコンを凝固させるまでの工程）開始前の固液界面深さを浅くする。インゴットの引下げ速度の低下を毎時０．０５〜０．２ｍｍ／ｍｉｎの割合で直線的に行なうこととすれば、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を効果的に防止することができる。この方法は、インゴットの引下げ速度を鋳造ストロークに応じて変動させる引下げ速度制御装置１３を有する本発明の電磁鋳造装置により容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】発光強度の強いナノ粒子を提供する。
【解決手段】ナノ粒子１０は、炭化水素１と、シリコンナノ粒子２とを備える。炭化水素１は、８個のカーボンが繋がった構造、６個のカーボンが繋がった構造、８個のカーボンと１個の酸素とが繋がった構造、２個のカーボンと１個の酸素とが繋がった構造、および１個のカーボンと１個の酸素とが繋がった構造のいずれかからなる。シリコンナノ粒子２は、炭化水素１のカーボンまたは酸素に接続される。そして、シリコンナノ粒子は、２〜３ｎｍの粒径を有する。 （もっと読む）

【課題】粒状多結晶シリコンの製造において、粉塵成分を減少させて、粒状多結晶シリコン中において許容し得る最大の粉塵成分を特定する、改善されたシステムの提供。
【解決手段】粒状多結晶シリコンＧＰから粉塵成分Ｄを引き離すための減圧ソースＶ、対向する第１の端部および第２の端部、粒状多結晶シリコンＧＰを通過させるための前記第１の端部における多結晶シリコン通路、および前記減圧ソースＶに連絡する減圧ポート５９を有してなるプロセス容器Ｐ、ならびに前記プロセス容器Ｐからの粒状多結晶シリコンＧＰを受け入れるためのコンテナ９１を有し、前記プロセス容器Ｐから粒状多結晶シリコンＧＰを注ぐために前記プロセス容器Ｐを直立した状態から回転させる際に、粒状多結晶シリコンＧＰが前記減圧ポート５９を塞ぐことがないように、前記減圧ポート５９は前記プロセス容器Ｐにおける第２の端部に隣接して配置されているシステム。 （もっと読む）

【課題】鋳造中にプラズマアークの失火が発生するのを低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１２を投入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８から電磁誘導加熱するとともに、プラズマトーチ１４から不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱することによりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコン１３を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、プラズマトーチ１４と溶融シリコン１３との間隔Ｚを、シリコン原料を投入する高さＺｔの１／２以上とすることを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】高効率で、且つ高容量の非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の非水電解質二次電池は、正極と、負極と、非水電解質とを備え、前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、前記負極活物質含有層は、ケイ素と、酸素と、水素とを構成元素として含む負極活物質を含み、前記酸素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で０．５以上１．５以下であり、前記負極活物質を構成する水素は、前記負極活物質を構成する酸素と結合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 酸性領域で非常に安定なシリカ系微粒子分散ゾル、該ゾルの製造方法、および該分散ゾルを含む塗料組成物に関する。
【解決手段】 異方形状のシリカ系微粒子を含む分散ゾルであって、該シリカ系微粒子の表面が負電荷を有し、かつ該シリカ系微粒子の表面がアルミニウムで修飾されており、該アルミニウムの修飾量はＡｌ_２Ｏ_３換算基準でシリカ系微粒子の単位表面積当り０．０１×１０^−６〜２．０×１０^−６モル／ｍ^２の範囲にある。前記シリカ系微粒子の動的光散乱法により測定された平均粒子径（Ｄ１）が１５〜７０ｎｍの範囲にあり、ＢＥＴ法により測定された平均粒子径（Ｄ２）が１０〜５０ｎｍの範囲にあり、異形度（Ｄ１／Ｄ２）が１．５５〜４．００の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、カーボンナノチューブの分散性を維持しつつ高い導電性を示す導電性複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】分子内にスルホン酸基を有する分散剤（Ａ）とカーボンナノチューブを含有する組成物（Ｂ）を基材上へ製膜する第一の工程、および組成物（Ｂ）が製膜された面にオーバーコート剤を積層する第二の工程を含む導電性複合体の製造方法であって、第一の工程における導電層の表面抵抗値Ｒ_Ａと第二の工程を経た後の導電層の表面抵抗値Ｒ_Ｂとの関係がＲ_Ａ＞Ｒ_Ｂとなることを特徴とする導電性複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造しうる方法を提供する。
【解決手段】（Ｂ）液分中のＳｉ濃度が１０．０質量％以上のケイ酸アルカリ水溶液と１０．０体積％以上の濃度の鉱酸を混合して、液分中のＳｉを非ゲル状の沈降性シリカとして析出させた後、固液分離を行い、ＳｉＯ_２を含む固形分と、不純物を含む液分を得るシリカ回収工程、を含み、前記工程（Ｂ）において、ケイ酸アルカリ水溶液、及び鉱酸の少なくともいずれか一方と過酸化水素を混合することを特徴とする高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される１または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された１価、２価、または３価の金属イオンとを含み、２５℃（室温）において１×１０^−７Ｓ・ｃｍ^−１以上のイオン伝導度を有する。 （もっと読む）

【課題】汚染されたクロロシランをわずかなコストで精製しかつその場合に存在する不純物をできる限り少量の搬出量に濃縮し、搬出すること
【解決手段】ＴＣＳ、ＤＣＳ及びＳＴＣを含むクロロシランからなるホウ素含有混合物を準備する工程、及び複数の蒸留塔中でクロロシランからなる前記混合物を蒸留により精製する工程を有し、低沸点のホウ素化合物を、ホウ素濃度が高められたＤＣＳを含む塔頂流によって前記蒸留塔から分流し、及び高沸点のホウ素化合物を、高沸点物を含むホウ素濃度が高められた塔底流によって前記蒸留塔から分流する、クロロシランを蒸留により精製する方法 （もっと読む）

【課題】誘電率の上昇を抑制しつつも多孔質層の表面を改質できる半導体装置の製造方法および多孔質層の改質方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０２上に、表面にＳｉＨ基を有する多孔質絶縁層１１４を形成する工程と、ＳｉＨ基をＳｉＯＨ基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層１１４のＳｉ原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層１１４の表面に接触させる工程と、を含む （もっと読む）

【課題】保持部材内面に容易に離型材層を形成でき、また、使用途中には離型材層が保持部材内面から剥離落下し難くて優れた離型性を発揮し、しかも、シリコン保持作業の終了後には保持部材内面から劣化した離型材層を剥離させ、新たな離型材層を形成することにより、容易に再生できる溶融シリコンの保持部材を提供する。
【解決手段】溶融シリコンを保持するための黒鉛製保持部材であって、保持部材の少なくとも溶融シリコンと接する部分には、離型材層として、窒化珪素粉末と熱硬化性フェノール樹脂との混合離型材を酸化雰囲気中２００〜３００℃の条件で熱硬化焼成させて得られた混合材料焼成層が形成されている溶融シリコンの保持部材である。 （もっと読む）