【課題】安定した生産が可能となり、しかも、高純度のシリコンを得ることのできる製造方法を提供する。
【解決手段】酸素の質量分率が５ｐｐｍ以下の金属と下記式（１）で示されるハロゲン化シランとを接触させることにより、前記ハロゲン化シランを還元してシリコンを得る工程を備えるシリコンの製造方法である。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】反応生成物の完全な分離と回収および再利用が、良好な生産性で実現でき、これにより低コストによる量産が可能となる高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】温度を９１０〜１３００℃に維持された容器１と３００〜４００℃に維持された容器２及び０℃以下に維持され且つ出口側に廃ガス処理装置を介して外気に繋がる開口部を有する容器３を直列に結合し、容器１の入口より、高純度の四塩化ケイ素ガス、亜鉛蒸気及び不活性ガスを、１０００〜１２００ｈPaの圧力下で四塩化ケイ素が化学当量比で亜鉛を上回る状態で供給する。これにより系内に亜鉛が存在しない状態を作り、容器１でシリコンを捕集し、容器２で溶融状態の副生塩化亜鉛を微粒シリコンと共に捕集し、容器３で余剰四塩化ケイ素を液体で回収する。容器２の副生塩化亜鉛は、微粒シリコンを回収した後、水溶液電解工程に送られ、亜鉛を回収し、再利用する。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の周期表１４族元素の高純度な多結晶体を高速で得ることが可能な製造装置を提供する。
【解決手段】多結晶体の製造装置であって、内部に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成するための反応容器１０と、反応容器１０の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極１１，１２と、反応容器１０本体の内部に設けられプラズマ放電で分解したシリコンを表面上で析出させる種結晶３０と、を有することを特徴とする多結晶体の製造装置Ｉ。 （もっと読む）

【課題】シリコン製造装置の反応管を吊り下げることなく、反応管の熱膨張に追従することができる新規な反応管の取付構造を提供すること。
【解決手段】シリコン製造装置１の反応容器本体２内の反応部３内には、にクロロシラン類及び水素を供給するガス供給管６と、シリコンを析出させる反応管７と、該反応管７の外周側に配設され析出したシリコンを溶融する高周波コイル１１と、反応管７と高周波コイル１１との間に設けられた断熱材９と、反応部３の下部に設けられ断熱材９を支持する中間壁８とを備えている。該中間壁８の上面には、反応管７を支持させるようにした。 （もっと読む）

【課題】酸液による酸洗工程の後の水洗工程において、酸液の除去の完了を簡単に、かつ、精度良く判断することが可能な多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置、並びにその洗浄によって高品質の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンの洗浄方法であって、酸液による酸洗工程Ｓ４と、この酸洗工程Ｓ４の後に純水で洗浄する水洗工程Ｓ５とを有し、水洗工程Ｓ５では、純水を貯留した水洗槽に多結晶シリコンを浸漬し、少なくとも１回以上水洗槽内の純水を入れ替えて、多結晶シリコンの表面に残留した酸液の除去を行うとともに、水洗槽中の純水の電気伝導度Ｃを測定し、電気伝導度Ｃの測定値によって水洗工程Ｓ５の終了を判断する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シランの還元反応において反応率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの製造方法は、下記式（１）で示されるハロゲン化シランと還元剤とを反応させてシリコンを製造する方法であって、シリコンの融点以上でハロゲン化シランと還元剤とを反応させて、液状のシリコンを生成させる工程を備える。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】半導体用途で用いるポリクロロポリシラン中のアルミニウムやチタンに代表される金属不純分を除去する方法を提供する。
【解決手段】金属不純分を含むクロロポリシランを固体微粒子と接触させることによって、工業的に安全簡便に高純度なクロロポリシランを製造することができることを見出し、さらに固体微粒子はフィルターによってろ別することができ、使用後のフィルターをアルカリ性液体で処理することにより安全に再生処理することができる。 （もっと読む）

超疎水性コーティング、超疎水性コーティングを含むデバイスおよび物品、ならびに超疎水性コーティングを調製する方法が提供される。例示的な超疎水性デバイスは、基材構成部分と、この基材構成部分を覆って配置された１層または複数の超疎水性コーティングであり、これらの１層または複数の超疎水性コーティングの少なくとも１層が、少なくとも約１５０°の水接触角および約１°未満の接触角ヒステリシスを有する超疎水性コーティングとを含むことができる。これらの１層または複数の超疎水性コーティングは、超高水分含量酸触媒作用によるポリシリケートゲルを含むことができ、このポリシリケートゲルは、シリル化剤により誘導体化された表面官能基を有するシリカ粒子の三次元網目、および多数の孔を含む。
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【課題】ハロゲン化シランが存在する空間を形成する構造物に対するハロゲン化物による反応器の腐食を抑制できると共に、その構造物の十分な機械的強度を実現可能なシリコンの製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ及びＡｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属によりハロゲン化シランを還元してシリコンを得るシリコンの製造方法において、ハロゲン化シランが存在する空間を形成する構造物の材料として、鉄の質量分率が１０％以下のニッケル基合金を用いる。 （もっと読む）

【課題】フィルターに固着したポリマー化合物を安全に除去して、その再利用を容易にする。
【解決手段】クロロシランを含む原料ガスを高温下で反応させて多結晶シリコンを析出させるとともに、その排ガス中のポリマー化合物を含むミスト分をフィルター１３によって捕集した後、これらミスト分が捕集された後の排ガスを気液分離工程により気液分離し、そのガス分及び液分を精製・蒸留することにより原料ガスの一部とする多結晶シリコン製造方法において、フィルター１３の整備工程を有し、該整備工程は、フィルター１３を収容するハウジング１２の前後の流路を閉鎖しておき、該ハウジング１２内にクロロシランを注入するとともに、該ハウジング１２の内部を加熱することにより気化したガスをハウジング１２から排出し、排出したガスを気液分離工程に案内する。 （もっと読む）

固体マルチ結晶シリコンインゴット又はウェハの製造方法であって、（ｉ）反応スペースに面する内側表面及び（ｉｉ）反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁と製品出口とを具える反応炉チャンバへ、シリコン含有ガスを導入するステップと、前記反応スペース内でプラズマを発生させるステップと、前記シリコン含有ガスに十分な温度を与えることによって液体シリコンを製造するために、当該シリコン含有ガスを熱分解するステップと、前記シリコン含有ガスを熱分解しながら、前記反応炉チャンバ壁の内側表面を、シリコンの融点未満の平衡温度に維持するステップと、前記製品出口からの液体シリコンを固体マルチ結晶シリコンインゴット又は固体マルチ結晶シリコンウェハに鋳造するために、当該液体シリコンをモジュールへ直接導入するステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンの製造方法に関する。本発明の方法は、シリコン含有ガスに基づくガス混合物を配管システムを通して還元リアクターに供給し、流出ガス混合物が形成されるようにシリコンを加熱面に析出させる工程を含む。シリコン析出プロセスは、ガス混合物を輸送する配管システムによって直列に連結された少なくとも2基のリアクターで同時に行う。そして、全てのリアクターの稼働に用いられるガス混合物を最初のリアクター入口に供給し、直列に連結された全てのリアクター中を通して連続的に輸送する。 （もっと読む）

【課題】ホウ素等の不純物の分離効果に優れ、かつ不純物除去剤による汚染の問題を生じる虞もなく、精製効果に優れた精製方法を提供する。
【解決手段】金属シリコンに塩酸ガスを反応させて生成した三塩化シランを精製する工程において、該三塩化シランを含む混合流体を蒸留装置に導いて塩化シラン系ポリマーと接触させ、三塩化シランを蒸留させて精製する一方、上記混合流体に含まれる低沸点不純物を上記ポリマーに取り込ませて蒸留残として三塩化シランから分離し、上記ポリマーと共に系外に除去することを特徴とする三塩化シランの精製方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯棒を保持する電極の表面に析出する多結晶シリコンが剥がれ落ちることを防止することができる多結晶シリコン反応炉を提供する。
【解決手段】炉内に設けたシリコン芯棒４を通電加熱し、炉内に供給した原料ガスを反応させて、前記シリコン芯棒４表面に多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコン反応炉において、炉の底板部（炉底）２に、該底板部２に対して電気絶縁状態に設けた電極ホルダ１０と、該電極ホルダ１０に連結され、シリコン芯棒４を上方に向けて保持する芯棒保持電極１５とを備え、芯棒保持電極１５の外周面に炉内雰囲気に露呈する凹凸部（雄ネジ部）１５ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】クロロシラン類の水素還元反応によって得られるシリコンの製造を安全に連続して行なえるような方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るシリコンの製造方法は、反応容器内でクロロシラン類と水素とを加熱下で反応させて、シリコンを析出させるとともに、水素、シラン類オリゴマーおよびシリコン微紛を含む排ガスを排出させる工程［１］、前記工程［１］より排出された排ガスを１０５℃以上の温度に維持しながら搬送する工程［２］、前記工程［２］より搬送された排ガスを、１０５℃以上の温度でフィルタに供給し、かつ、１０５℃以上の温度でフィルタ装置から排出せしめ、当該排ガスからシリコン微紛を除去して、水素およびシラン類オリゴマーを含む混合ガスを得る工程［３］、前記工程［３］より得られた混合ガスを冷却し、該混合ガスから水素をガスとして分離する工程［４］などを含む。 （もっと読む）

【課題】ポリマー不活性化の作業性を向上させるとともに、反応炉の内壁面に付着したポリマーも効率よく除去する。
【解決手段】多結晶シリコン製造のための反応炉１の炉壁の流路１１に熱媒体を流通させることにより壁を加熱状態としておき、反応炉１の内部に水蒸気や加湿窒素等の加湿ガスを供給することにより、反応炉１の内面に付着しているポリマーを加水分解した後に、その付着物を除去する。反応炉に続く排ガス管についても同様に管壁を加熱状態として、加湿ガスを供給することによりポリマーを加水分解する。 （もっと読む）

【課題】電極数を増やすことなく、多くのシリコン芯棒を保持する。
【解決手段】反応炉の底板部２に配設された複数の電極に、上下方向に延びるシリコン芯棒４をそれぞれ立設しておき、反応炉内に原料ガスを供給するとともに、シリコン芯棒４に電極から通電することによりシリコン芯棒４を発熱させて、該シリコン芯棒４の表面に原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる装置において、複数の電極のうちの少なくとも一部は、シリコン芯棒４を２本保持する２本用電極５Ｂとされるとともに、該２本用電極５Ｂは、底板部２に形成した貫通孔２５内に挿入状態に設けられた電極ホルダ２６と、該電極ホルダ２６の上端部に相互間隔をおいて設けられた一対の芯棒保持部２７とを有し、電極ホルダ２６の内部には、冷却媒体が流通する冷却流路４０が形成され、底板部２を貫通する電極ホルダ２６の下端部に、冷却流路４０に連通する冷却配管が接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄板を提供し、該鉄板を前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を６００℃〜１２００℃程度に加熱して、前記鉄板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンナノ構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のシリコンナノ構造体の製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、触媒材料及び生長基板を提供し、該触媒材料及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガス及び水素ガスを導入し、該反応室を５００℃〜１１００℃に加熱して、前記生長基板にシリコンナノ構造体を生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】塩化工程から分離したポリマー、あるいは多結晶シリコン製造工程の排ガスから分離したポリマーを分解してトリクロロシランに転換する製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン製造プロセスにおいて発生される高沸点クロロシラン類含有物（ポリマー）を、塩化水素と混合して分解炉に導入し、４５０℃以上、好ましくは４５０℃以上〜７００℃以下の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させてトリクロロシランを製造することを特徴とし、好ましくは、ポリマーに対して塩化水素を１０〜３０質量％混合した混合物を分解炉に導入して分解するトリクロロシランの製造方法および製造装置。 （もっと読む）