キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
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【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。
【解決手段】反応炉１内のシリコン芯棒４に通電してシリコン芯棒４を発熱させ、シリコン芯棒４にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させシリコンロッドＲとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、反応炉１内の圧力を０．４ＭＰａ以上０．９ＭＰａ以下、シリコンロッドＲの表面温度を１０００℃以上１１００℃以下に維持しながら、原料ガスを１５０℃以上６００℃以下に予熱した後に反応炉１に供給するとともに、シリコンロッドＲの径の増加に合わせて単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を２．０×１０^-7ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²以上３．０×１０^-7以下ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²の範囲内に維持しながら原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、ロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを大径に成長させる。
【解決手段】反応炉内のシリコン芯棒に通電してシリコン芯棒を発熱させ、シリコン芯棒にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、高圧で原料ガスを大量に供給する条件で、シリコン芯棒への電流の調整により表面温度を所定の範囲に維持すると共に、ロッドの中心温度がシリコンの融点未満の所定温度に達するまで単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を所定範囲内に維持しながら原料ガスを供給する前半工程と、ロッド径に応じて予め定めておいた電流値に設定するとともに単位表面積当たりの原料ガス供給量を低下させることで、ロッドの表面温度と中心温度を所定温度に維持する後半工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゴム組成物の補強充填剤として混合する際に、硫黄によるゴム混合物の粘度増大を起こすことのない特殊シリカ及び該シリカを含有するゴム組成物、特に硫黄硬化ゴム組成物、及び該ゴム組成物の部材を有する製品の提供。
【解決手段】特定の式で定められた少なくとも一つのアリル基の置換基を含有し、（Ａ）１２０〜３００ｍ２／ｇの範囲のＢＥＴ窒素表面積、（Ｂ）１００〜３００ｍ２／ｇの範囲のＣＴＡＢ表面積、及び（Ｃ）０．８〜１．３の範囲の前記ＢＥＴ／ＣＴＡＢ表面積の比率を有するアリル官能化沈降シリカ。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも１種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種のハロゲンシランを不均化し、かつ少なくとも１種のハロゲンシラン及び得られた少なくとも１種のシランの異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量を低下させる方法に関し、一般式Ｉ Ｈ_nＳｉＣｌ_m（Ｉ）［式中ｎ及びｍは整数、かつｎ＝１、２又は３及びｍ＝１、２又は３及びｎ＋ｍ＝４］の少なくとも１種のハロゲンシランが粒状の有機アミノ官能性樹脂と接触され、かつ一般式ＩＩ Ｈ_aＳｉＣｌ_b（ＩＩ）［式中ａ及びｂは整数、かつａ＝０、２、３又は４及びｂ＝０、１、２又は４、ここでａ＋ｂ＝４］の少なくとも１種のシランが工程で取得され、かつ前記シラン中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が式Ｉのハロゲンシランに比べて低下されている。本発明の対象はさらにハロゲンシランを不均化するため及びモノシランの製造方法における異種金属又は異種金属を含有する化合物の吸着剤としてのこの樹脂の使用である。 （もっと読む）

本発明の主題は、一般式（１） Ｓｉ（ＳｉＲ₃）₄ （１）のネオペンタシランの製造方法において、一般式（２） Ｒ₃Ｓｉ−（ＳｉＲ₂−）_xＳｉＲ₃ （２）［式中、Ｒは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択され、ｘは、負ではない５までの整数を表す］のケイ素化合物を、触媒活性化合物（Ｋ）の存在で反応させ、この場合に形成されるテトラハロゲンシランの分離を、遊離される前記テトラハロゲンシランよりも高い沸点を有する室温で液状の化合物（Ｌ）の存在での蒸留により行う、ネオペンタシランの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン反応炉において、炉底に付着したポリマーやシリカ等を容易に除去する。
【解決手段】加熱したシリコン芯棒の表面に原料ガスを接触させることにより多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン反応炉１０であって、シリコン芯棒が立設される炉底４０を有し、この炉底４０の上面４０ａが凹形となるように形成され、この上面の最下部に炉底４０を上下方向に貫通する流路４４の開口部４４ａが設けられているとともに、この開口部４４ａに着脱可能に取り付けられるプラグ５０を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン製造プロセスにおいて、シリコン芯線の予熱に使用されたカーボンヒータを、製造コストのかかる反応炉などの格別の装置を用いることなく、簡単に短時間で再生し得る方法を提供する。
【解決手段】シランガスと水素ガスとの反応により生成するシリコンを析出させるためのシリコン芯線が立設されている反応器内に取り付けられており、シリコン芯線を通電可能な温度に加熱するためのカーボンヒータ９について、シリコンの析出終了後、カーボンヒータ９を反応器から取り外し、取り外されたカーボンヒータ９を誘導加熱し、カーボンヒータ９に析出しているシリコンを溶融落下させて除去する。 （もっと読む）

異なるクロロモノシラン生成プロセスからの廃棄物を単一の再生プロセスにおいて混合し、反応させる。有用なモノシラン種を単一の再生プロセスで得ることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンの生産性を向上させることができるとともに、シリコンの製造コストを低減できるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ、Ｃａ及びＡｌからなる群より選ばれる少なくとも一種からなる金属粉末Ｍ_ｐ１を、プラズマＰ中で加熱する加熱工程と、プラズマ中で加熱した金属粉末Ｍ_ｐ２で、ハロゲン化シランＧ１を還元し、シリコンを得る還元工程と、を備えるシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】液状ミストを発生させることなく排ガスを冷却して、気液を適切に分離することにより、その原料化処理を安定させ、多結晶シリコンの生産性を高めるとともに、品質の向上と安定を図る。
【解決手段】クロロシランを含む原料ガスを高温下で反応させて多結晶シリコンを析出させるとともに、その排ガスを熱交換器により冷却して気液分離し、そのガス分及び液分を精製・蒸留することにより原料ガスの一部とする多結晶シリコン製造方法において、排ガスを冷却する際に、熱交換器内を４ｍ／秒〜７ｍ／秒の流速で通過させる。 （もっと読む）

【課題】高純度のゲルマニウム合金化された多結晶シリコンインゴットを提供すること、並びにその簡単でかつ低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン心棒又はゲルマニウムで合金化されたシリコン心棒に堆積された、ゲルマニウム０．１〜５０ｍｏｌ％及びシリコン９９．９〜５０ｍｏｌ％からなる高純度合金からなり、前記合金は多結晶構造を有する０．５ｍ〜４ｍの長さ及び２５ｍｍ〜２２０ｍｍの直径のインゴット。 （もっと読む）

体積が１ｍ^３〜１０ｍ^３であり、高さが１ｍ〜１０ｍである反応器チャンバと、反応物質を供給するための反応器ノズルとを有することを特徴とするフレーム反応器を開示する。 （もっと読む）

【課題】水素化クロロポリシランを含む液体中の水素化クロロポリシランを選択的に塩素化してクロロポリシランを製造して、塩素化反応で発生する有害な塩素を含む排ガスを生成させないクロロポリシランの製造方法を提供する。
【解決手段】水素化クロロポリシランの量から算出される反応当量未満の塩素を添加し、密封下で反応させることにより、塩素を完全に消費して選択的にクロロポリシランを生成させる省エネルギーで安全な製造方法。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シリコンを金属で還元してシリコンを生成させる反応の反応効率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化シリコンと、水素の含有率が１質量ｐｐｍ以下である金属とを接触させることにより、ハロゲン化シリコンを還元してシリコンを得るシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比して生産性の高いシリコンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子全体の酸素の質量分率が０.００５％以上０.５％以下となるように表面が酸化されたアルミニウム粒子を加熱する工程と、加熱されたアルミニウム粒子と下記式（１）で示されるハロゲン化シランとを接触させることにより、ハロゲン化シランを還元する工程と、を備えるシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

本発明の対象は、一般式（１）：Ｓｉ（ＳｉＲ₃）₄のネオペンタシランの製造方法であり、この方法では一般式（２）：Ｒ₃Ｓｉ−（Ｓｉ−）_xＳｉＲ₃［式中、ＲはＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選択されており、Ｘは負ではない整数〜５である］のケイ素化合物を、エーテル化合物（Ｂ）の存在下で反応させる。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン析出時の電極ユニットと反応炉との短絡を防止する。
【解決手段】反応炉内１で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒４に原料ガスを供給することによりシリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、シリコン芯棒４を上下方向に延設保持する電極４７と、冷却媒体を流通させる冷却流路４０が内部に形成され、反応炉の底板部２に形成された貫通孔２１内に挿入されて、電極４７を保持する電極ホルダ４６と、貫通孔２１の内周面と電極ホルダ４６の外周面との間に配置され、底板部２と電極ホルダ４６との間を電気的に絶縁させる環状絶縁材３４とを有し、電極ホルダ４６の外周面に、環状絶縁材３４と電極４７との間で上方へ向けて開放する受け皿部５０が設けられている。 （もっと読む）