【課題】筒状反応容器にシリコンを析出させ、析出したシリコンの一部または全部を溶融することにより、析出したシリコンを落下させて回収するシリコンの製造装置において、該筒状反応容器内部を直接確認することが可能なシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】縦方向に配置されたカーボン製筒状反応容器と該カーボン製筒状反応容器を加熱する加熱手段とを含み、上記カーボン製筒状反応容器の上部よりクロロシラン類と水素とを含む原料ガスを供給して該反応容器の内表面にシリコンを析出させ、下部より排ガスを取り出すように成した反応部、及び、該反応部の下方に接続され、側壁に上記排ガスの取出口を有する密閉容器よりなる排ガス回収室を含むシリコン製造装置において、前記排ガス回収室を構成する密閉容器の側壁に、支持部材により支持された鏡体と受像部とを設け、該鏡体を介して前記カーボン製筒状反応容器の内部の像を該受像部で受像するようにした。 （もっと読む）

【課題】反応炉の底板部と電極との熱膨張差を吸収できるとともに、良好な絶縁性を維持する。
【解決手段】反応炉の底板部２に、シリコン芯棒４を上下方向に沿って立設する複数の電極５が配設されており、その電極５は、底板部２に形成した貫通孔２１内に挿入状態に設けられ内部に冷却媒体が流通する電極ホルダ２２と、電極ホルダ２２の上端部に設けられシリコン芯棒４を保持する芯棒保持部２３とを有し、貫通孔２１の内周面と電極ホルダ２２との間に貫通孔２１内で電極ホルダ２２の周りを囲む環状絶縁材３４が設けられ、反応炉の底板部２上に、環状絶縁材３４の上端部よりも大径の遮熱リング４１が電極ホルダ２２を囲むように設けられている。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シランの溶融金属による還元反応において、十分に高い反応率を示すシリコン製造方法及びシリコン製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るシリコンの製造方法は、下記式（１）で示されるハロゲン化シランと溶融金属とを接触させることにより、ハロゲン化シランを還元してシリコンを得るためのものであって、薄膜状の溶融金属に前記ハロゲン化シランを含有する原料ガスを吹き付ける吹付工程を備えることを特徴とする。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】ガスアトマイズ法によって形成される溶融金属の微小液滴とハロゲン化シランとの反応において、十分に高い反応率を示すシリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ハロゲン化シランを還元してシリコン粒子を製造する方法であって、溶融金属の微小液滴を形成するためのアトマイズガスを加熱するアトマイズガス加熱工程と、ノズルから溶融金属を吐出させる吐出工程と、加熱されたアトマイズガスを吐出された溶融金属に吹き付け、微小液滴を形成するアトマイズ工程と、ハロゲン化シランと微小液滴とを接触させ、ハロゲン化シランを還元する還元工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で析出されたシリコンが回収容器内で蟻塚状に固化することのないシリコン製造装置を提供すること。
【解決手段】シリコン製造装置は、反応容器本体２において、回収容器１４に回収容器１４の底壁１４ｂを支持する支持軸１８と、支持軸１８を昇降させる駆動部１７とを備えた昇降手段を設け、シリコンの回収容器１４への回収時に支持軸１８を昇降させて回収容器１４の底壁１４ｂと支持床壁１６とを離間させるようにした。 （もっと読む）

【課題】ロッド表面の凹凸や径の不均一等の形状不良の発生を有効に防止して、高品質の多結晶シリコンを生産する。
【解決手段】反応炉内に立設した複数のシリコン芯棒を加熱し、反応炉の内底部のガス噴出口から噴出した原料ガスによってシリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、ガス噴出口からの原料ガスの噴出速度を漸次上昇させる運転初期の安定化段階と、その後前記噴出速度を前記安定化段階より大きい上昇度で一旦上昇させた後に、それより小さい上昇度で漸次上昇させる形状段階と、この形状段階を経た後、終了までにおいて前記噴出速度を前記形状段階の終了時より小さくする成長段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】高品質の多結晶シリコンを効率よく生産する。
【解決手段】複数のシリコン芯棒４が立設される反応炉１の内底部に、該反応炉１内に原料ガスを上方に向けて噴出する複数のガス供給口６ａと、反応後の排ガスを排出するガス排出口７とが配設され、シリコン芯棒４を加熱し、その表面に原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、ガス供給口６ａには、各ガス供給口６ａに原料ガスを供給するガス分配管９がそれぞれ接続されるとともに、少なくとも反応炉１の中心部付近のガス供給口６ａに接続されているガス分配管９に、その管路を開閉する弁２１が設けられ、該弁２１に、反応炉１の運転初期に管路を所定時間閉じた状態とする弁制御手段２２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】反応炉以降の配管が反応炉からの排ガス中のシリコン粉末やポリマー化合物によって閉塞する現象を抑制し、オーバーホールの周期を長くして生産性を高める。
【解決手段】反応炉内で複数のシリコン芯棒を加熱し、その表面に原料ガスの反応により多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、反応炉の底部に、反応後の排ガスを排出するガス排出口７が設けられるとともに、該ガス排出口７から外部に通じる排ガス管２１が接続され、該排ガス管２１内に、ガス排出口７から排ガス管２１に至る内周面を覆うスリーブ２２が抜き差し可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】反応炉の外周部においても他のシリコン芯棒と同じ仕様の電源で品質の高いシリコンロッドの製造を可能にし、コストの削減を図る。
【解決手段】反応炉１の内底部に配設された複数の電極５に、上下方向に延びるシリコン芯棒４をそれぞれ立設しておき、反応炉１内に原料ガスを供給するとともに、シリコン芯棒４に電極５から通電することによりシリコン芯棒４を発熱させて、シリコン芯棒４の表面に原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、複数本のシリコン芯棒４のうち、長さが小さいシリコン芯棒４を反応炉１の外周部に近い位置の電極５に立設し、残りのシリコン芯棒４を他の電極５に立設した状態として、多結晶シリコンを析出させる。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコンの新規で安価な製造方法、特に太陽電池用原料として好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法を提供する。
【解決手段】下式（１）で表されるハロゲン化珪素を下式（２）で表されるアルミニウムサブハライドで還元することを特徴とするシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n： （１）
ＡｌＨ_mＸ_3-p-m： （２）
（式中、ｎは、０または１〜３の整数であり、ｍは０または１であり、ｍが０のときｐは１または２、ｍが１のときｐは１であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。） （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンロッドにおいて、該ロッドが、シリコンの５０〜９９％の電気伝導に利用される面積分を有するロッド横断面を有し、かつ、該ロッドが０．１〜８０Ｎ／ｍｍ²の曲げ強さを有することを特徴とするシリコンロッドに関する。 （もっと読む）

【課題】操業開始時に反応炉内のシリコン芯棒を速やかに温度上昇させて通電発熱状態とすることができる多結晶シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】反応炉１の内底部に立設された複数本のシリコン芯棒４の上端部が連結部材１２によって一対ずつ連結されるとともに、これら対をなすシリコン芯棒４が反応炉１の内底部の複数組の電極５間に直列状態に複数本ずつ接続され、これら電極５からシリコン芯棒４に通電することにより該シリコン芯棒４を発熱させて、その表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、反応炉１の内部に輻射熱を放出する加熱装置２１が設けられ、シリコン芯棒４は、加熱装置２１に近い位置の電極５間のシリコン芯棒４を経由する電気抵抗値がこれより遠い位置の電極５間のシリコン芯棒４を経由する電気抵抗値よりも小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンを効率的に製造する方法、特に太陽電池の製造に適したシリコンを効率的に製造する方法を提供すること。具体的には、ハロゲン化シランの金属による還元反応において、高い反応率を示す多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】下式（１）で示されるハロゲン化シランを金属により還元するシリコンの製造方法であって、金属の融点未満の温度Ｔ１において、金属の粒子とハロゲン化シランとを接触させてシリコンを得る第一工程と、第一工程の後に、金属の融点以上の温度Ｔ２において、金属の残存物とハロゲン化シランとを接触させてさらにシリコンを得る第二工程と、を備える。
ＳｉＨ_nＸ_4-n （１）
[式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子
をそれぞれ示す。ｎが０〜２の時、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。] （もっと読む）

【課題】硼素不純物及び燐不純物を含有するクロロシラン類から上記不純物の同時除去を可能としてクロロシラン類の高純度化を図ること。
【解決手段】硼素不純物及び燐不純物を含有するクロロシラン類を、芳香族アルデヒドの存在下で酸素（Ｏ_２）を導入して処理して上記不純物を同時に高沸点化合物に転化させ、当該処理後のクロロシラン類を蒸留等して硼素及び燐の高沸点化合物とクロロシラン類とを分離することとした。上記処理で生成する高沸点化合物は、生成後に受ける熱によって低沸点化合物に分解することがないため、蒸留等の処理によって容易にクロロシラン類と分離することが可能である。このため、単一のプロセスによる硼素不純物と燐不純物の除去が可能となる。 （もっと読む）

【課題】反応炉に対をなして立設されているシリコン芯棒の対向側面にも原料ガスを十分に行き渡らせて、シリコン芯棒の上端部にも多結晶シリコンを有効にかつ表面状態良く析出させ、シリコンロッド表面の凹凸の発生を防止する。
【解決手段】反応炉の内底部に配設された少なくとも一対の電極５にシリコン芯棒４をそれぞれ立設状態に取り付けるとともに、これらシリコン芯棒４の上端部間を繋ぐ連結部材１２を取り付け、電極５に通電することによりシリコン芯棒４を発熱させて、シリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、連結部材１２における両シリコン芯棒４の取り付け間隔Ｌ１が、これらシリコン芯棒４が立設される一対の電極５における取り付け間隔Ｌ２よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの析出反応に伴って生成した副生物から高純度のＴＣＳを得ることを可能とすること。
【解決手段】多結晶シリコン製造工程１０１で生成する副生混合物を、塩素化反応器１０２内で塩素と反応させてテトラクロロシラン（ＳＴＣ）留出物を生成させ、当該ＳＴＣ留出物を水素化反応器１０３内で水素と反応させてトリクロロシラン（ＴＣＳ）に転換させる。塩素化工程においてＴＣＳと近沸点のメチルクロロシラン類が高次塩素化されて高沸点化がなされるので、高次塩素化メチルクロロシラン類の高濃度濃縮分離が容易なものとなり、多結晶シリコンへの炭素混入が抑制される。また、ドナー・アクセプタ除去器１０４をＴＣＳ製造の循環サイクル中に設けているので、ＴＣＳ製造に伴って生成する副生物を系外に取り出すことなく、ＴＣＳの高純度化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シラン化合物を含む溶液を調整（Ｓ１０１）したのち、基体の上にシラン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を熱処理（Ｓ１０３）したのち、加圧処理（Ｓ１０４）することにより、シリコン膜を形成する。これにより、塗布膜中のシラン化合物が分解され、ケイ素原子とケイ素原子との結合およびケイ素原子とケイ素原子以外の原子との結合を解裂し、ケイ素原子とケイ素原子との結合が再構築される。 （もっと読む）

【課題】表面がフルオロアルキル基で機能化された、内部が空洞となったフルオロアルキル基修飾金属酸化物チューブと、それを簡便に作製する方法を提供すること。また、これを用いた撥水性被覆物を提供すること。
【解決手段】本発明は、フルオロアルキル基修飾金属酸化物チューブと、その製造方法を提供することにある。金属アルコキシド、金属ハロゲン化物、金属キレートおよび金属アシレート類からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属化合物と、フルオロアルキル基を有する金属化合物、フルオロアルキル基を有するゲル化剤とを溶媒に溶解し重合反応させることにより、内壁または外壁がフルオロアルキル基で機能化された金属酸化物チューブが作製できる。また、得られたフルオロアルキル基修飾金属酸化物チューブを基材表面に固定化することで得られる撥水性被覆物を提供することにある。 （もっと読む）

本発明の目的はナノスケールの二酸化ケイ素の製造方法であり、前記方法は以下の工程を含む：ａ）平均粒子寸法が１〜５００ｎｍであるコロイド状二酸化ケイ素の水性懸濁液を供給する工程；ｂ）それを、非プロトン性環状エーテル中の有機シランまたは有機シロキサンと反応させて、コロイド状二酸化ケイ素をシラン化する工程；ｃ）反応混合物の水相を有機相から分離する工程；ｄ）有機相を、非プロトン性環状エーテル中の有機シランまたは有機シロキサンと再び反応させて、コロイド状二酸化ケイ素をシラン化する工程；ｅ）反応混合物の水相を有機相から分離する工程。 （もっと読む）