流動床反応器及びシーメンス反応器を用いて多結晶シリコンを生成する。本プロセスは、シーメンス反応器から流動床反応器に、供給ガスとしてベントガスを供給することを含む。 （もっと読む）

流動層反応器を利用した粒状の多結晶シリコンを形成する工程が開示されている。前記層の上部空間と下部空間は、反応ガスの出口の高さを基準としてそれぞれ反応領域と加熱領域とに定義される。本発明は、流動層反応器の機械的安定性を損なうことなく、必要な熱量を十分に供給し、反応領域内の反応温度を安定的に維持することで、反応管の生産性を最大化する。これは、内部加熱器が反応ガス供給手段と反応管の内壁面との間の空間に設置される加熱領域内の電気抵抗加熱を通して達成され、それにより、加熱領域内の流動ガスとシリコン粒子を加熱する。加熱領域内で発生した熱は、シリコン粒子が持続的に流動状態で反応領域と加熱領域の間で相互混合され得る速度で流動ガスを供給することで、反応領域に移送される。
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多結晶シリコンを作製するためのプラズマ堆積装置は、未堆積ガスを回収する排気システムを有する、多結晶シリコンを堆積させるためのチャンバと、堆積ゾーンを定める堆積表面を有するターゲット基板を保持するため堆積チャンバ内に位置する支持体と、堆積チャンバ内に位置し且つ支持体から離間して配置された、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチとを含み、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチは、堆積表面に実質的に垂直なプラズマ火炎を発生させ、プラズマ火炎は、堆積表面に多結晶シリコンの層を堆積させるため少なくとも１つの前駆体ガス源を反応させて多結晶シリコンを生成する反応ゾーンを定める。 （もっと読む）

【課題】クロロシランを効率良く金属で還元して高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】工程（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
（Ａ）温度Ｔ１で下式（１）
原料である、ＳｉＨ_nＣｌ_4-n （１）
（式中、ｎは０〜３の整数。）
で示されるクロロシランを金属で還元して、シリコン化合物を得る工程、
（Ｂ）該シリコン化合物を温度Ｔ２（Ｔ１＞Ｔ２の関係にある。）の部分に移送する工程、
（Ｃ）該温度Ｔ２の部分に多結晶シリコンを析出させる工程、ここで
温度Ｔ１が、金属の融点（絶対温度）の１．２９倍以上であり、
温度Ｔ２が、金属の塩化物の昇華点又は沸点より高い。 （もっと読む）

これらは、反応管の内壁面に堆積されたシリコン析出物を効果的に除去することで、反応器を長時間安定的に操作することができる流動層反応器を利用した粒状の多結晶シリコンの連続形成方法を提供する。本発明の方法は、（i）前記反応ガス供給手段により前記反応ガスを供給することで、反応ガスと接触するシリコン粒子の表面にシリコンが析出されると同時に、前記反応領域を取り囲む反応管の内壁面にシリコン析出物が堆積するシリコン粒子の形成工程；（ii）前記反応ガスを供給することを中断した後、前記反応管内部に残留するシリコン粒子の残留層の高さが前記出口の高さを超過しないようにシリコン粒子の一部を前記流動層反応器の外部に排出させるシリコン粒子の部分排出工程；及び（iii）前記シリコン析出物と反応して気相のシリコン化合物を生成させることができるエッチングガスを前記反応領域の空間に供給することで、シリコン析出物を除去するシリコン析出物の除去工程とを含む。
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本発明は、金属コア手段を利用して多結晶シリコン棒をする方法に関し、シリコン棒を製造するために使用する析出反応器の内部空間にコア手段を設置し、前記コア手段は金属コア要素の表面に１又は複数の分離層を形成して構成されて、電極手段に接続され、前記電極手段を通して電気を供給してコア手段を加熱し、シリコンを析出するために前記内部空間に反応ガスを供給することで、前記コア手段の表面の外側方向に析出生成物を形成する工程からなる。本発明によると、前記析出生成物及び前記コア手段はシリコン析出工程により得られたシリコン棒から容易に分離され、前記金属コア要素の不純物により引き起こる析出生成物の汚染が最小化され得るため、高純度のシリコンが更に経済的で便宜な方法で製造され得る。 （もっと読む）

析出反応器の内部空間に抵抗性材料から作られる第１コア手段をシリコン材料から作られる第２コア手段とともに設置し；前記第１コア手段を電気的に加熱して、電気的に加熱される前記第１コア手段により前記第２コア手段を予熱し；前記予熱された第２コア手段を電気的に加熱し；そしてシリコンの析出のために前記第１コア手段と第２コア手段が電気的に加熱される状態で内部空間に反応ガスを供給することを具備する混合されたコア手段を使用して多結晶シリコン棒を製造する方法及び装置を開示する。
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ケイ素前駆体の組み合わせを用いたエピタキシャルに配向したナノワイヤを成長させる方法、および配向したナノワイヤを成長させるためのパターン形成された基板の使用を含む、ナノワイヤを成長させ、ドープし、収集するシステムおよび方法が提供される。犠牲成長層を使用することによってナノワイヤの質が向上する。ナノワイヤを１つの基板から別の基板に移動する方法も提供される。本発明のプロセスで使用される基板材料は、結晶またはアモルファスであってよい。 （もっと読む）

【課題】低コストの太陽電池用シリコン多結晶を製造する方法及びその装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンの塩素化合物を還元することによってシリコンを製造する方法であって、少なくとも、金属を液状粒子とし、該金属の液状粒子を気体状のシリコンの塩素化合物と接触させ、該シリコンの塩素化合物を還元することによってシリコンを生成することを特徴とするシリコンの製造方法及びシリコンの製造装置であって、少なくとも、金属の粒子と気体状のシリコンの塩素化合物とを反応させる反応容器と、前記反応容器を加熱する手段と、前記反応容器内に前記金属の粒子を供給する手段と、前記反応容器内に前記シリコンの塩素化合物を供給する手段と、前記反応容器内の流体を排出する手段と、生成したシリコンを捕集するための容器とを備えることを特徴とするシリコンの製造装置。 （もっと読む）

【課題】素子の実現が容易であり且つ構造による効率の改良が可能な、シリコンナノワイヤーの製造方法、及びこれにより形成されたシリコンナノワイヤーを含む素子の提供。
【解決手段】並列に配置された、複数のワイヤー状気孔を含む多孔性ガラステンプレートにエルビウムまたはエルビウム前駆体をドープする段階と、前記エルビウムまたはエルビウム前駆体がドープされたガラステンプレートを、前記ワイヤー状気孔の一方の開口部が面するように金属触媒層が形成された基板上に配置する段階と、前記ガラステンプレート内の気孔に沿ってシリコンナノワイヤーを形成して成長させる段階とを含む、シリコンナノワイヤーの製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、流動層反応器中で、２９０℃〜４００℃の温度で冶金級シリコン及びＨＣｌを反応させることによってトリクロロシランを製造する方法に関するものであり、前記方法は、高沸点化合物を流動層反応器中へ供給することによって特徴付けられている。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法などの従来の高純度多結晶シリコン製造方法が抱える技術的課題を克服して、高純度多結晶シリコンを、比較的安価に、連続的かつ大量に製造する装置を提供すること。
【解決手段】本発明の高純度多結晶シリコンの製造装置は、上部に設置されたシリコン塩化物ガス供給ノズル２と、還元剤ガス供給ノズル３と、排気ガス抜き出しパイプ４とを有する縦型反応器１を用いて、該反応器１内にシリコン塩化物ガスと還元剤ガスとを供給し、シリコン塩化物ガスと還元剤ガスとの反応によりシリコン塩化物ガス供給ノズル２の先端部に多結晶シリコンを生成させ、さらに多結晶シリコンを該シリコン塩化物ガス供給ノズルの先端部から下方に成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）反応管と、（ｂ）反応管を取り囲む反応器シェルと、（ｃ）シリコン粒子層が形成されシリコン析出が起きる反応管内に形成される内部領域、及び不活性ガス雰囲気下に維持される反応器シェルと反応管の間に形成される外部領域と、並びに（ｄ）内部領域と外部領域との間の圧力差が０バール（ｂａｒ）以上１バール以下の範囲内に維持される制御手段と、を備え、それによって、比較的高反応圧力下であっても反応管の物理的安定性を維持でき、粒状多結晶シリコンを効率的に製造することができる、流動層反応器中での粒状多結晶シリコンの大量製造方法に関する。
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【課題】高周波誘導加熱コイルによって１０００℃以上に加熱される反応部を有するクロロシラン類−水素の反応装置において、腐食性ガスの雰囲気下に曝され、高周波誘導加熱コイルからの磁束の作用を受け、且つ、１０００℃以上の温度領域となる位置に部材を配置する場合に、該部材の劣化が少なく、さらに生成物の汚染が低減される反応装置を提供する。
【解決手段】上記部材を、ムライトまたは、酸化物を焼結助剤とした窒化珪素で形成した。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）反応管と、（ｂ）反応管を取り囲む反応器シェルと、（ｃ）シリコン粒子層が形成されシリコン析出が起きる反応管内に形成される内部領域、及び不活性ガス雰囲気下に維持される反応器シェルと反応管の間に形成される外部領域と、並びに（ｄ）内部領域と外部領域との間の圧力差が０バール（ｂａｒ）以上１バール以下の範囲内に維持される制御手段と、を備え、それによって、比較的高反応圧力下であっても反応管の物理的安定性を維持し、粒状多結晶シリコンを効率的に製造可能とする粒状多結晶シリコン製造用高圧流動層反応器に関する。
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【課題】シーメンス法などの従来の高純度多結晶シリコン製造方法が抱える技術的課題を克服して、高純度多結晶シリコンを、比較的安価に、連続的かつ大量に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の高純度多結晶シリコンの製造方法は、上部に設置されたシリコン塩化物ガス供給ノズルと、還元剤ガス供給ノズルと、排気ガス抜き出しパイプとを有する縦型反応器を用いて、該反応器内にシリコン塩化物ガスと還元剤ガスとを供給し、シリコン塩化物ガスと還元剤ガスとの反応によりシリコン塩化物ガス供給ノズルの先端部に多結晶シリコンを生成させ、さらに多結晶シリコンを該シリコン塩化物ガス供給ノズルの先端部から下方に向かって成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを細孔内に有するメソ構造体の管状細孔の方向性を、基板表面の異方性に基づく配向規制力を用いて、マクロスコピックなスケールで制御されている構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された、均一な径の管状の細孔が一軸方向に配列した構造を有するメソ構造体膜と、前記メソ構造体膜の細孔内にカーボンナノチューブを有する構造体において、前記カーボンナノチューブが一軸配向を有していることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】クロロシランを水素化する方法および装置を提供する。
【解決手段】クロロシランと接触する表面を有する反応室と、流れが直接通過することにより加熱され、クロロシランと接触する表面を有する加熱素子とを有し、その際、反応室および加熱素子はグラファイトからなる反応器中でクロロシランを水素化する方法において、第一工程で、反応室の表面および加熱素子の表面上に現場でＳｉＣ被覆が形成されるように、Ｓｉ含有化合物ならびに水素を反応室の表面および加熱素子の表面と接触させ、かつ第二工程で、加熱素子を用いた反応室中でのクロロシラン／水素混合物の加熱によりクロロシランの水素化を行い、その際、第一工程を、第二工程における反応温度よりも高い反応温度で実施する。 （もっと読む）

【課題】分散性及び分散後の分散安定性を良好に保持すると共に、分散径が小径で微粒のシリカ粒子を高濃度に含みつつ低粘度での分散を可能とする。
【解決手段】５質量％水溶液の状態でｐＨ３未満の水溶性ジルコニウム化合物を用いて、固形分濃度が２０質量％以上の気相法シリカが分散されている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用原料として、好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法、及び該製造方法で得られる高純度シリコンを提供する。
【解決手段】下式（１）で示される気体のクロロシランと、それを還元可能かつシリコンよりも融点の低い金属とを反応させることによってシリコンを製造する方法であって、該金属の融液中に温度差を付けて、高温部と低温部とを設け、該クロロシランを該高温部に導入し、還元反応を進行させ、還元生成したシリコンを該高温部から該低温部に拡散させ、該低温部で多結晶シリコンを析出させることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＣｌ_4-n （１）
（式中、ｎは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）