【課題】高容量化に好ましい活物質核にカーボンナノファイバ（ＣＮＦ）を付着させた複合活物質を用いて、高容量と実用的なサイクル特性を備えた非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の非水電解質二次電池用負極では、圧縮応力の大きい第１のＣＮＦ３６Ａを付着させた第１の活物質核３５Ａを含む第１の複合負極活物質３４Ａと圧縮応力の小さい第２のＣＮＦ３６Ｂを付着させた第２の活物質核３５Ｂを含む第２の複合負極活物質３４Ｂとを混在させている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銅を触媒としてシリコンワイヤを成長する方法に関する。
【解決手段】本発明に係るシリコンワイヤの成長方法は、基材を提供する段階と、前記基材に複数の銅粒子からなる触媒層を形成する段階と、７００Ｔｏｒｒの圧力で、保護ガス及び反応ガスを導入して、前記触媒層が形成された前記基材を４５０℃以上程度に加熱して、前記基材にシリコンワイヤを成長させる段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの内部に金属ナノドットを均一に整列させることができ、ナノドットの大きさ及び間隔を調節することにより、多様な物性を持つナノワイヤおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】均一に整列された複数の金属ナノドット２１０と、前記複数の金属ナノドットが結合しているコア部とを含んでいる。 （もっと読む）

本発明は、合金クラスタによる半導体中の不純物の内部ゲッタリングに関する。具体的には、金属間化合物クラスタは、シリコン内に形成され、２種類以上の遷移金属を含むクラスタである。そのようなクラスタは、ホスト材料よりも低い溶融温度を有し、シリコンの不純物をゲッタリングして、分離された、より有害でない位置へ収集するのに特に有効であることが示される。合金クラスタのうちいくつかについての斬新な組成も説明される。
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【解決手段】以下の工程
ａ）ＳｉＯ_２含有出発物質をアンチモン、水銀および硫黄と共に溶融塩電解し、分解物質を得る工程；
ｂ）洗浄して元素状の硫黄を取り除く工程；
ｃ）酸処理して外来イオンを除去する工程；
ｄ）還元処理して、水銀および／またはアンチモン塩を還元する工程；
ｅ）密度分離して、シリコンを残りの成分から分離する工程
を含む、シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】周期表の１３族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で１５０ｐｐｍ以上、１０％以下含有し、真球度が０．８以上であることを特徴とする。本発明の球状シリカ粒子は、従来、不純物として考えられていた１３族元素が発現する機能を効果的に利用しており、樹脂組成物に適用した場合に硬化剤を減少できるという効果のほかに、球状シリカ粒子を製造する際の１３族元素に対する不純物管理を低減できる点からも優れている。 （もっと読む）

少なくとも１つの低分子量および／または低ＨＬＢ（親水性−親油性バランス）値分散剤を含む水溶液または非水溶液に懸濁された複数の無機ナノワイヤーを含むナノワイヤー分散組成物（およびその使用）が開示される。水溶液または非水溶液への複数の無機ナノワイヤーの分散性をさらに改善する方法は、例えば、水溶液または非水溶液にナノワイヤーを分散させる前にナノワイヤーの表面を酸化することを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】一般的に球状シリカ粒子中において、不純物と認識され、できる限り除去することが好ましいと考えられていた、アルミニウム元素などの１３族元素が樹脂組成物中において粘度を低下させる作用を発揮するばかりか、半導体パッケージにおける封止材に適用した場合でもこれといった悪影響の発現もない。本発明の球状シリカ粒子は、ウラン元素を質量基準で０．５ｐｐｂ以下、周期表の１３族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で４０ｐｐｍ以上、４１０ｐｐｍ未満含有し、真球度が０．８以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノスケール程度の種々の金属が作製可能で、粒径が制御されて略均一な粒径の揃った金属微粒子を提供する。
【解決手段】
ポーラス材の細孔径及び析出する金属微粒子径を制御する界面活性剤を含むポーラスシリカ溶液に、Ｆｅを微量の硝酸で溶かした溶液を混合したＦｅ添加ポーラスシリカ溶液を焼成することにより、粒径の制御された金属微粒子を得ることができる。細孔径及び金属微粒子径は界面活性剤の大きさで制御することができ、界面活性剤の炭素鎖の大きさで粒径を制御した。 （もっと読む）

【課題】 ナノワイヤー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（イ）シリコン基板の表面に規則的に、複数のマイクロキャビティ状の微細な溝を形成させる工程と、（ロ）基板上にナノワイヤーの形成のための触媒作用を行う物質を蒸着して金属層を形成させる工程と、（ハ）金属層を加熱することによって、基板の表面の微細な溝内に金属層を凝集させて触媒を形成させる工程と、（ニ）熱処理によって触媒と基板との間にナノワイヤーを成長させる工程と、を含むナノワイヤーである。 （もっと読む）

【課題】シリコンナノワイヤ、シリコンナノワイヤを含む半導体素子及びシリコンナノワイヤの製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）シリコン基板の表面に規則的に形成された複数のマイクロキャビティ形態を含む微細な溝を形成させるステップと、（ｂ）基板上にナノワイヤ形成のための触媒作用を行う物質を塗布して金属層を形成させるステップと、（ｃ）金属層を加熱することによって、基板の表面の微細な溝内に金属層を凝集化して触媒を形成させるステップと、（ｄ）触媒と基板との間にナノワイヤを成長させるステップと、を含むシリコンナノワイヤの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 受光素子や発光素子等に好適に使用できるシリコン微粒子および酸化チタン微粒子を、簡易にかつ生産性良く製造可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン微粒子の製造方法は、シリコンの水素化物を含む原料ガスを、タングステン，タンタル，炭素，モリブデンおよびチタンのうちのいずれか一種またはその化合物から成る加熱触媒に接触させてシリコンの水素化物からシリコンを解離させるとともに、原料ガスの圧力を解離したシリコンが凝集可能な高圧とすることによって、解離したシリコンを凝集させてシリコン微粒子を形成する。これにより、シリコンの凝集が促進されて効率よくシリコン微粒子が形成される。 （もっと読む）

本発明は、高周波帯域において、高い比誘電率を有しつつ誘電損失が低く抑えられた誘電体を提供することを主な目的とする。すなわち、本発明は、無機酸化物の多孔体に導電性粒子が分散してなる複合誘電体であって、 １）１ＧＨｚ以上の高周波帯域における当該誘電体の比誘電率εｒが４以上であり、２）１ＧＨｚ以上の高周波帯域における当該誘電体の誘電損失ｔａｎδが２×１０^−４以下である複合誘電体及びその製造方法に係る。
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【課題】 300℃以下の温度で結晶性のシリコンナノワイヤーが生成するシリコンナノワ
イヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁特性に優れたシリカ質膜の製造法とそれに用いられるコーティング組成物の提供。
【解決手段】 数平均分子量が１００〜５０，０００の、パーヒドロポリシラザンまたは変性パーヒドロポリシラザンと、ケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下のアルミニウム化合物とを含むコーティング組成物と、それをを基板に塗布し、水蒸気、酸素、またはそれらの混合ガスを含む雰囲気中で焼成することを特徴とするシリカ質膜の製造法。 （もっと読む）

５０ｍ^２／ｇより大きいＢＥＴ表面積を有する凝集した結晶質シリコン粉末。該粉末は、少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ物質および不活性ガスを反応器へを連続的に供給し、かつここで成分を混合し、その際、シランの割合は、シラン、ドープ物質および不活性ガスの全ての合計に対して０．１〜９０質量％であり、該混合物をエネルギーの入力により反応させ、その際、１０〜１１００ミリバールの圧力でマイクロ波領域の電磁線を用いてエネルギーを入力することによりプラズマを発生させ、反応混合物を冷却させ、かつ反応生成物を気体状の物質から粉末の形で分離することにより製造される。該粉末は電子部品の製造のために使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、珪素とHClガスとを、流動床反応器、攪拌床反応器または固定床反応器中で、２５０℃ないし１１００℃の範囲の温度及び０．５−３０気圧の絶対圧力の条件下で反応させることによってトリクロルシランを製造する際、反応器に供給される珪素が３０ないし１００００ppmの範囲のクロムを含有することを特徴とするトリクロルシランの製造法に関する。本発明はまた、珪素とHClガスとの反応によるトリクロルシランの製造に使用するための珪素であって、該珪素が３０ないし１００００ppmの範囲のクロムを含有し、残部は通常の不純物以外は珪素であることを特徴とする前記目的に使用する珪素に関する。

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