【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業を簡略化すること。
【解決手段】シリコン芯線１１が炭素製の芯線ホルダ１５に保持され、この芯線ホルダ１５が金属性の電極１０の頂部に保持されている。電極１０はシリコン芯線１１に通電するための電極であって、反応炉の底板部５に設けられた貫通孔を介して反応炉内に挿入されている。カバー１８は、反応炉内に挿入された電極１０の表面のうち、少なくとも、底板部５の近傍部の表面を被覆している。カバー１８は、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が、反応炉内において比較的温度の低い部材表面に直接付着するのを防止するためのものである。つまり、微粒子をカバー１８の表面に付着させ、電極１０、絶縁部材１３、或いは、アダプタ１４の表面に直接付着するのを防止している。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極３上に二酸化ケイ素４を載置させた状態で当該二酸化ケイ素４を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高温の気相で行う反応を用いず、低温の液相で行う反応を採用することにより、シリコンを多量で安定的に連続生成させる多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融金属亜鉛中においてクロルシランと金属亜鉛を反応させ多結晶シリコンと塩化亜鉛とを反応生成物として生じさせる還元反応部分の位置が、反応生成物である塩化亜鉛を電気分解することによって塩素と金属亜鉛を生成させる電解部分の位置より下部にある。還元反応部分でクロルシランと金属亜鉛とを反応させ多結晶シリコンと塩化亜鉛を反応生成物として生じさせる。反応生成物である多結晶シリコンを分離し、塩化亜鉛を電気分解することによって塩素と金属亜鉛を生成させこの塩素はクロルシランの製造用に使用する。金属亜鉛はクロルシランとの反応に使用する。 （もっと読む）

【解決課題】安価な原料から、簡易な工程で、種々の炭素−金属コンポジットを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】液体有機化合物中で、特定の金属からなる金属電極または炭素電極からなる陰極と、特定の金属からなる金属電極からなる陽極との間でパルスプラズマ放電することにより、結晶質および／または非晶質の炭素材と、該金属電極を構成する金属のナノ粒子とからなる、一次粒径が３ｎｍ〜５００ｎｍの炭素−金属コンポジットを製造する。 （もっと読む）

【課題】電気化学系において有用であり、高い電気化学容量、良好なサイクル容量、低い自己放電率及び良好な環境耐性のうちの少なくとも１つを示す電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも部分的に炭素で被覆された多孔質ケイ素を基材とする電気化学系のためのアノードであって、多孔質ケイ素でできている絶縁性支持体上に被覆されたポリマー層を熱分解する工程を含む、多孔質材料から電気化学系のためのアノードを製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池特性（ライフタイム）が良好に維持された多結晶シリコンを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２としてタングステン（Ｗ）を用いる製造装置。前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン１１を陰極とすれば、電極の消耗、電極金属による汚染を僅少に抑え、ライフタイムをより長く維持できるので望ましい。本発明の製造方法は、この装置を用いて容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池としての変換効率が高く維持された多結晶シリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２として銅（Ｃｕ）を用いる製造装置。前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン１１を陰極とすれば（図１（ｃ）参照）、電極の消耗を僅少に抑えるとともに、太陽電池を構成したときの変換効率を向上させ得るので望ましい。本発明の製造方法は、この装置を用いて容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にするトリクロロシラン製造装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１の内部空間は、周方向に沿う第１の壁１１Ａ〜１１Ｅにより半径方向に区画されるとともに、周方向と交差する方向に延びる第２の壁１２Ａ，１２Ｂによって複数に区画されており、第１の壁１１Ａ〜１１Ｅ及び第２の壁１２Ａ，１２Ｂの上部又は下部に、導入される原料ガスを、各小空間２１〜２６を順次経由して上下に折り返しながら反応室１０１の中心部に向けて流通させる連通部２８が形成され、各小空間２１〜２６にヒータ４０が設置され、第２の壁１２Ａ，１２Ｂの両側の小空間２１〜２５は、一方が上向き流路用小空間で、他方が下向き流路用小空間とされ、これら小空間２１〜２５が第２の壁１２Ａ，１２Ｂの連通部２８を介して連通している。 （もっと読む）

【課題】反応室内のヒータ表面の最高温度を抑制するとともに、反応室内の伝熱面積を大きくし、供給ガスを高い熱効率で加熱することができる構造を簡略化した組み立て及び点検等の作業性に優れたトリクロロシラン製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応ガスを生成する反応室１０１と、反応室１０１内に上下方向に沿って設けられ原料ガスを加熱する発熱部２１が形成される複数のヒータ２０と、これらヒータ２０の基端部２２に接続された複数の電極２３と、ヒータ２０の発熱部２１同士間に設置される複数の輻射板２４とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】亀裂及び剥落の低減をブリッジ側のロッド端部でも電極側のロッド端部でも実現し、かつそれによりロッド端部の切断後に亀裂のないロッド長さを向上させる、大直径のシリコンロッドの簡単な製造方法を提供すること。
【解決手段】気相から心棒に析出させることにより多結晶シリコンロッドを製造する方法において、電極の上側及び／又はロッドペアのブリッジの下側に、析出条件下で多結晶シリコンよりも低い比電気抵抗を有する材料からなる１つ又は複数のディスクを取り付けることを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、新規の高純度グラファイト成形、特にグラファイト電極を使用するケイ素、有利にはソーラーシリコンの製造のための改良した方法に、及び新規のグラファイト成形体の製造のための工業的方法に関する。 （もっと読む）

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
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【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。
【解決手段】反応炉１内のシリコン芯棒４に通電してシリコン芯棒４を発熱させ、シリコン芯棒４にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させシリコンロッドＲとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、反応炉１内の圧力を０．４ＭＰａ以上０．９ＭＰａ以下、シリコンロッドＲの表面温度を１０００℃以上１１００℃以下に維持しながら、原料ガスを１５０℃以上６００℃以下に予熱した後に反応炉１に供給するとともに、シリコンロッドＲの径の増加に合わせて単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を２．０×１０^-7ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²以上３．０×１０^-7以下ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²の範囲内に維持しながら原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性不純物粒子が混入している石英ガラス原料粉から当該絶縁性不純物粒子を分離し取り除くことができる、石英ガラス原料粉の精製方法を提供する。
【解決手段】石英ガラス原料粉の精製方法であって、石英粉に絶縁性不純物粒子が混入している石英ガラス原料粉を加熱し、その絶縁性不純物粒子を炭化させ、炭化不純物粒子となすステップ（Ｓ１）と、炭化不純物粒子が混入した石英ガラス原料粉を帯電させるステップ（Ｓ２）と、相対向して配置された正負一対の電極の間に、帯電させた石英ガラス原料粉を通過させ、石英粉と炭化不純物粒子とを分離させるステップ（Ｓ３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンの品質低下を招く重金属不純物であるクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの含有量の総計が低い清浄な高純度の多結晶シリコン塊を提供すること。
【解決手段】シーメンス法で得られたシリコン多結晶棒の電極側端近傍では、クロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が高い。そこで、多結晶シリコン棒１００の破砕工程に先立ち、反応炉外に取り出した多結晶シリコン棒１００の電極側端から少なくとも７０ｍｍまでの多結晶シリコン部分を除去する足切工程を設ける。これにより、バルク中のクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が１５０ｐｐｔａ以上の多結晶シリコン部分を除去することができる。より低不純物濃度の多結晶シリコン塊を得るためには、少なくとも１５５ｍｍまでの多結晶シリコン部分を除去すればよい。 （もっと読む）

【課題】任意の箇所に折離用凹部を形成することにより、破壊荷重を掛けた際に該凹部において応力集中を起こし、従来よりも小さな負荷で折ることを可能にする。また、該凹部に沿って割れを伝播させることにより、意図せぬシード保持部材の箇所に割れが伝播することの防止を図り、シード保持部材と多結晶シリコンの分離作業の手間の軽減を図ることができるシード保持部材及びそのシード保持部材を用いた多結晶シリコン製造方法を提供する。
【解決手段】シーメンス法で多結晶シリコンを製造する炉の底部に設置され、種棒となるシード４の下端部を保持する黒鉛製シード保持部材６の外周面に、折離用溝１６が形成されている。シード保持部材６は、電極部５が差し込まれる第１の嵌合孔１０を有する円柱状台座部６ａ、台座部６ａよりも小径な円柱状胴部６ｂ、胴部６ｂに連なりシード４の下端部が差し込まれる第２の嵌合孔１３を有する截頭円錐台状先端部６ｃを有する。 （もっと読む）

本方法は電極の冷却面上における堆積物の形成を抑止する。電極は担体上に材料を堆積する製造システムで使用される。冷却面は銅を含む。本システムはチャンバを画定する反応器を含む。電極は少なくとも部分的にチャンバ内に配置され、担体を支持する。電極と流体連通する循環装置は冷却面との間で冷却液組成物を行き来させる。冷却液組成物は冷却液および冷却面からの溶解銅を含む。濾過システムは循環装置と流体連通している。本方法では電極を加熱する。電極の冷却面は冷却液組成物と接触している。材料は担体上に堆積され、冷却液組成物は濾過システムで濾過され、溶解銅の少なくとも一部は冷却液組成物から除去される。
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【課題】精製対象となる金属元素または半金属元素の融点よりも電解温度を低くすることができ、かつ、精製物の樹枝状成長や精製物への電解浴の巻き込みを抑制することができる、精製された金属又は半金属の製造方法を提供する。
【解決手段】電解槽内に設置された電解浴中において、金属元素又は半金属元素、及び、不純物を含む材料を陽極として、陽極に含まれる金属元素又は半金属元素と同種の金属元素又は半金属元素と、金属元素又は半金属元素との固溶体を実質的に作らない溶媒金属とを含有し、金属元素又は半金属元素の融点よりも低い完全凝固温度を有する合金を陰極として作用させ、合金が液相となることができる電解温度で電解を行うことにより、陽極中の金属元素又は半金属元素を陰極の合金中に移動させる電解工程と、その後、取出工程と、完全凝固温度より高くかつ電解温度より低い温度での析出工程と、回収工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させてコスト低減を図った多結晶シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器２内に配置したカーボン製芯材１６を通電加熱し、その表面に原料ガスの反応により多結晶シリコンＳを析出させる多結晶シリコン製造装置であって、芯材１６は、断面が扁平に形成されるとともに、多結晶シリコンＳを析出させる平面が上下方向に沿って配置され、芯材１６の下方に、芯材１６から落下する多結晶シリコンＳを受け取る受け取り手段が設けられ、受け取り手段には反応容器２と隔離可能な多結晶シリコン搬出用チャンバ４が設けられている。 （もっと読む）