【課題】内部に空洞を有するシリカ系粒子の圧縮強度および耐湿性を向上することで、高温高湿条件下において比誘電率の変化量および誘電正接の変化量が殆どない塗膜を形成できる半導体封止用樹脂組成物、および高い耐湿性を長時間維持できる基材を提供する。
【解決手段】シリカ系粒子は無孔質の外殻シリカ層の内部に空洞を有し、空隙率が２０〜９５体積％の範囲にあり平均粒子径が０．１〜５０μｍの範囲にある。シリカ系粒子の空洞は負圧であり、１３３ｈＰａ以下である。シリカ系粒子の圧縮強度は０．１〜２００ｋｇｆ／ｍｍ²の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】真珠岩や黒曜石等などの岩石原料を加熱して発泡させてなるパーライトについて、耐破壊性を高めて安定した品質の製品を得ることができるようにした高耐久性パーライトの製造方法を提供する。
【解決手段】岩石原料を加熱発泡させたパーライトを比重差に基いて分離して高耐久性のパーライトを得る方法であって、パーライトを容器に入れ、容器底部から圧縮空気を容器内部に供給してパーライトを噴き上げて流動化させることによって、相対的に比重の小さいパーライト（軽量パーライトと云う）を容器上側に押し上げ、相対的に比重の大きいパーライト（重量パーライトと云う）を容器下側にして、パーライトを比重に応じて上下に分離し、容器上部の軽量パーライトを回収することを特徴とする高耐久性パーライトの製造方法。 （もっと読む）

【課題】顔料内包シリカ系粒子の製造方法および顔料内包シリカ系粒子ならびに該粒子の用途を提供する。
【解決手段】下記の工程（ａ）〜（ｃ）からなることを特徴とする顔料内包シリカ系粒子の製造方法。（ａ）顔料分散珪酸アルカリ水溶液を熱風気流中に噴霧乾燥して顔料内包シリカ系粒子前駆体粒子を調製する工程。（ｂ）顔料内包シリカ系粒子前駆体粒子を酸水溶液に浸漬し、アルカリを除去する工程。（ｃ）乾燥・加熱処理する工程。前記顔料分散珪酸アルカリ水溶液の、ＳｉＯ２／Ｍ２Ｏモル比（但し、Ｍはアルカリ金属を示す。）は１〜５の範囲にあり、ＳｉＯ２濃度（ＣＳ）が１〜３０重量％の範囲にあり、顔料濃度（ＣＤ）とＳｉＯ２濃度（ＣＳ）との比（ＣＤ）／（ＣＳ）が０．００５〜２．３の範囲にあることを特徴とする顔料内包シリカ系粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水等の液体と接触しても崩壊しにくく、且つ十分な断熱性能を示す成形体、上記成形体が外被材に収容された被包体、上記成形体の製造方法並びに上記成型体及び／又は被包体を使用した断熱方法を提供する。
【解決手段】シリカを含み、細孔を有しており、細孔径が０．００３μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_{０．００３}に対する、細孔径が０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖの割合Ｒが７０％以上であり、細孔径が０．０５μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_０．０５が０．５ｍＬ／ｇ以上２ｍＬ／ｇ以下であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、成形体。 （もっと読む）

【課題】成形時や充填時における飛散や成形欠陥の発生を抑制することが可能であり、且つ十分な断熱性能を示す粉体、成形体、被包体及び粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリカ及び／又はアルミナを含み、平均粒子径Ｄ_Ｓが５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である複数の小粒子と、シリカ及び／又はアルミナを含み、平均粒子径Ｄ_Ｌが４０ｎｍ以上１００μｍ以下である複数の大粒子とを含む粉体であって、小粒子の質量と大粒子の質量の合計に対する大粒子の質量の割合Ｒ_Ｌが６０質量％以上９０質量％以下であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である粉体。 （もっと読む）

【課題】飛散しやすい微小粒径の無機微粒子の充填率が高く、べたつきのない粉状であるために取り扱い性に優れる無機微粒子分散体及びその製造方法の提供である。
【解決手段】平均一次粒子径が５００ｎｍ以下の無機微粒子及び液状樹脂を含む凝集体粒子から構成され、嵩比重が０．３ｇ／ｃｍ³以上０．９ｇ／ｃｍ³以下であり、前記無機微粒子の充填率が２５質量％以上４５質量％以下である無機微粒子分散体である。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．５０以上０．７５以下及び未溶解率が０．２５より大きく０．６０以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】 断熱材、特に真空断熱材の心材とした際に、断熱性に優れかつ耐圧縮性のある断熱材を提供できる新規のエアロゲルを得る。
【解決手段】 エアロゲルを、細孔容積及び細孔直径のピークが各々４〜８ｍｌ／ｇ、１０〜３０ｎｍであり、かつ１０ＭＰａの圧力を付与した後の嵩密度が０．４〜０．８ｇ／ｍｌのものとする。このような耐圧性に優れたエアロゲルを心材とすることにより、真空断熱材の鞘材（密閉容器）として柔軟性の高いフィルムを用いても、部分的なつぶれを発生するなどして形状変形を起こすことがなく、高い空隙率を保持するため断熱性にも優れる。当該エアロゲルは、例えば、金属酸化物濃度が５０〜１５０ｇ／Ｌの水性ゾルをｐＨ３〜６でゲル化した後、ヘキサン等の表面張力の小さな溶媒に溶媒置換し、さらにその状態で金属酸化物１００質量部に対して５０〜１５０質量部の疎水化剤で処理することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】コア材の成形欠陥発生を抑制することができる断熱材を提供する。
【解決手段】シリカを含む第一の無機化合物からなり、平均粒子径Ｄ_Ｓが５ｎｍ以上５０ｎｍ未満であり、比重がＣ_Ｓである複数の小粒子と、第二の無機化合物からなり、平均粒子径Ｄ_Ｌが５０ｎｍ以上１００μｍ以下であり、比重がＣ_Ｌである複数の大粒子と、を含むコア材と、コア材を収容する外被材と、を備え、複数の小粒子の質量の合計値Ｍ_Ｓと複数の大粒子の質量の合計値Ｍ_Ｌとの比率Ｍ_Ｓ／Ｍ_Ｌが０．０３５Ｃ_Ｓ／Ｃ_Ｌ以上３以下である、断熱材。 （もっと読む）

【解決課題】結晶の生産性を高い状態に維持しながら、従来よりも不純物元素の除去を効率良くかつ確実に行うことができる金属シリコンの凝固精製方法及びその装置を提供する。
【解決手段】凝固精製装置の鋳型内にある金属シリコンの融液を一方向凝固させて金属シリコン中の不純物元素を除去する金属シリコンの凝固精製法であり、凝固界面での融液側温度勾配Ｇと、凝固途中の融液中不純物元素濃度Ｃmと、凝固速度Ｖとを用いて表される組成的過冷却指数｛VOGC＝(V/G)×Cm｝が、金属シリコンにおけるシリコン−不純物元素の状態図から読み取れる液相線の勾配ｍと不純物元素の拡散係数Ｄにより表される組成的過冷却の臨界値｛0.59(D/m)｝に対して、１／１０｛０．５９（Ｄ／ｍ）｝≦ＶＯＧＣ＜０．５９（Ｄ／ｍ）の関係を維持するように、融液の加熱及び／又は冷却を行う金属シリコンの凝固精製法である。 （もっと読む）

【課題】金属珪素と二酸化珪素の蒸着用材料は、加熱時に蒸気圧が高いために蒸発しにくく、さらに溶融型の蒸着用材料であるため、より大きい熱衝撃が必要となり、蒸着用材料が飛散してスプラッシュが発生しやすい。また蒸着速度の低下の問題、蒸着膜のバリア性の低下の問題もある。本発明の課題は、スプラッシュ現象の発生を抑制し、高いガスバリア性を付与できる蒸着用材料を提供することである。
【解決手段】金属珪素と、二酸化珪素と、酸化マグネシウム粉末とを含有してなる加熱方式の蒸着用材料であって、珪素とマグネシウムの合計の原子数と、酸素の原子数の比（Ｏ／（Ｓｉ＋Ｍｇ））が１．０〜１．８であり、マグネシウムと珪素の原子数の比（Ｍｇ／Ｓｉ）が０．０２〜０．５０であることを特徴とする蒸着用材料。 （もっと読む）

【課題】 不純物汚染防止及び離型性に優れ、結晶粒の大きさ及び結晶軸方位が揃った多結晶シリコンインゴットを製造することができる、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、少なくとも前記角形シリカ容器の側部をなす前記多孔質シリカ板体における両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高く、前記角形シリカ容器の底部をなす前記多孔質シリカ板体の内表面部分は、溝又は穴を所定間隔で複数有しており、前記溝又は穴の側面の少なくとも一部が、鉛直方向に対して１５〜６０°の角度をなす斜面で形成されている多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制しながらも、離型性に優れた、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】触媒担体としてポリエチレンの製造において使用することができる、熱分解により調製された二酸化ケイ素からの噴霧顆粒の提供。
【解決手段】熱分解により調製された二酸化ケイ素をベースとし、かつ次の物理化学的特性：平均粒度：１０〜１２０μｍ、ＢＥＴ表面積：４０〜４００ｍ²／ｇ、細孔容積：０．５〜２．５ｍｌ／ｇ、細孔分布：合計の細孔容積の５％未満が、直径＜５ｎｍを有する孔であり、残りはメソ孔及びマクロ孔、ｐＨ値：３．６〜８．５、タップ密度：２２０〜７００ｇ／ｌを有する顆粒。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる能力を有し、かつ、離型性に優れた、低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びそのような角形シリカ容器を製造する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、該角形シリカ容器は、少なくとも多孔質シリカ基体からなるものであり、前記多孔質シリカ基体は、かさ密度が１．８０〜２．１０ｇ／ｃｍ^３であり、Ａｌ濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、ＯＨ基濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記多孔質シリカ基体の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものである多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びこのような角形シリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】球状の不純物が少ない合成シリカガラス粉末を経済的に製造することができる方法、およびこの方法によって製造した球状の合成シリカガラス粉末を提供する。
【解決手段】合成したシリカ質のゲルをスプレー乾燥して球状化し、この球状乾燥粒子を焼成してガラス化することを特徴とする合成シリカガラス粉末の製造方法であり、好ましくは、球状乾燥粒子を１１２５℃以上に加熱焼成して、嵩比重１.０以上、比表面積０.１ｍ²/ｇ以下にする製造方法、および上記方法によって製造され、光透過性が焼成前の乾燥粒子より低いことを特徴とする合成シリカガラス粉末。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子に好適な、優れた熱電変換特性を有するＳｉクラスレート化合物を
用いた熱電変換材料を提供する。
【解決手段】クラスレート化合物Ａ_ａＭ_ｂＱ_ｃＳｉ_{４６−ｂ−ｃ}（元素Ａは、Ｂａ、Ｓｒ
から選択した１成分以上の元素、元素Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択した１成分以上の
元素、元素Ｑは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選択した１成分以上の元素）を用いた熱電変換材
料であって、Ｄ＝−２ａ＋３ｂ＋ｃで定義されるＤ値が−３以上である。好ましくは、ａ
が７．７以上８．０以下、かつｂが３．４以上３．９以下、かつｃが２．２以上３．６以
下である。また、焼結密度が理論密度の９５％を超える焼結体であること、クラスレート
化合物相の最強ピーク比が８５％以上であることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 粒度分布がシャープで、かつ、吸水率が低く、封止用樹脂組成物の充填材として好適に使用することができるシリカ粒子、その製造方法、及び、このシリカ粒子と樹脂とからなる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】５０℃−湿度９０％及び８５℃−湿度８５％条件下において５００時間での吸水率が１．０％未満であり、Ｄ９０／Ｄ１０が３以下であり、真比重が２．１ｇ／ｃｍ^３以上であり、平均粒子径が１０μｍ以下であるシリカ粒子。 （もっと読む）

【課題】 本発明により、抵抗を高く保つことが重要視される目的で用いられる純Ｓｉにとって、充填、成形、塗布などに用いた際に、極めて重要な特性である電流遮断性である接触抵抗の高い純Ｓｉ粉末を提供する。
【解決手段】 平均円形度が０．７５〜１．００であり、かつ相対密度が６５％以上を有するＳｉおよび不可避的不純物よりなることを特徴とする接触抵抗の高い純Ｓｉ粉末。（なお、ここでいう相対密度とは、タップ密度を純Ｓｉの真密度２．３３Ｍｇ／ｍ³ で除して１００を乗じた値（％）である）。また、上記相対密度が６５〜８０％である接触抵抗の高い純Ｓｉ粉末。さらに、上記Ｓｉ粉末をガスアトマイズ法にて製造する接触抵抗の高い純Ｓｉ粉末。 （もっと読む）