【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層２を利用して、複数のシリコン粒子３４が前記核形成促進層２上にシリコン融液３２から核形成するとともに、シリコン融液３２を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンインゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコンシード層を用いて、結晶シリコンインゴットが方向性凝固法によって形成される。結晶シリコンシード層は、複数の第１の単結晶シリコンシードと、複数の第２の単結晶シリコンシードとから形成されている。第１の単結晶シリコンシードの各々は（１００）と異なる第１の結晶方向を有する。第２の単結晶シリコンシードの各々は第１の結晶方向と異なる第２の結晶方向を有する。第１の単結晶シリコンシードの各々は第２の単結晶シリコンシードのうちの１つ以上に隣接し、他の第１の単結晶シリコンシードから分離されている。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、高純度シリコンの粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍの原料と粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下の原料を全原料の７０〜１００質量％として混合し、かつ両者の混合比を比較した場合に、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０質量％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０質量％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ｃ軸配向した窒化アルミニウム単結晶の集体からり、結晶性、緻密性にすぐれた高配向窒化アルミニウム多結晶膜を提供する。
【解決手段】単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。前記方法により製造される高配向窒化アルミニウム多結晶膜１は、ｃ軸配向した窒化アルミニウム単結晶２の集合体からなり、該高配向窒化アルミニウム多結晶膜のチルト角が３０〜１，３００arcsec、ツイスト角が８０〜４，０００arcsecとなる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド窓材の厚さが厚くてもＸ線が透過する際に回折が生じ難いＸ線透過窓材、同窓材を備えたＸ線透過窓を提供する。
【解決手段】Ｘ線透過窓材１は、ダイヤモンド粒子の平均サイズＺａが０．１μm以上、１０μm以下の多結晶ダイヤモンドで形成され、かつ窓材の厚さが８Ｚａ^1/3以上であり、さらに窓材の両面の平均粗さＲａが１００ｎｍ以下とされたものである。前記多結晶ダイヤモンドとしては熱伝導率が４００Ｗ／ｍＫ以上のものが好ましく、また窓材の厚さは１００μm以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の表面粗さＲｍｓは２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

シートを形成する方法および装置が開示される。融液を冷却して、融液上にシートを形成する。このシートは第１の厚みを有する。シートはその後、第１の厚みから第２の厚みに、例えばヒータまたは融液を利用して、厚みを低減させられる。冷却は、シートにおける一定の領域に溶質を捕捉するよう構成されてよく、この特定のシートの厚みを低減させて溶質を取り除く。溶質は例えば、シリコン、シリコンとゲルマニウムとの組み合わせ、ガリウム、および窒化ガリウムであってよい。 （もっと読む）

【課題】安定性に優れたダイヤモンド電極、および低コストで該ダイヤモンド電極を製造する方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ工程を２０ｍＢａｒ未満の圧力および２％未満のメタン濃度になるように制御することにより、粒子サイズが１μｍ未満の多結晶ダイヤモンドからなる単一で均一な層を有し、５０％を超えるラマン品質を示すダイヤモンド電極を形成する。また、ＣＶＤ工程の前にナノサイズのダイヤモンドを種結晶として用いる工程を含む。 （もっと読む）

光電変換セルおよびその他の用途のためのシリコンを成型する方法および装置が提供される。このような方法および装置により、半径方向に分布する不純物や欠陥がないかまたは実質的になく、少なくとも２つの寸法が、各々、少なくとも約１０ｃｍである、幾何学的に揃った多結晶シリコンの成型本体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 １度に多数の結晶シリコンインゴットを製造することができる生産性の高い結晶シリコン製造装置とその製造方法とを提供するものである。
【解決手段】 受台１８に複数の坩堝１６を載せ、その複数の坩堝１６の隣合う側面同士を接触させる。この状態で加熱融解や冷却を行うことで、四隅の角部にのみクラックが発生し、坩堝１６同士が接合する角部にはクラックが発生しない。この結果、本発明は１個の坩堝のみで製造する従来のものと比べて、均質な結晶シリコンインゴットを複数製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー効率が良く、しかも安価に、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を製造することができる多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる多結晶半導体製造方法は、半導体の種結晶８を底面に配置したルツボ６内に半導体材料７を装入し、不活性な雰囲気下、ルツボ６内で半導体材料７を加熱手段によって加熱融解し、ルツボ６底部から冷却を開始し、徐々にルツボ全体を冷却して融解材料を凝固させる多結晶半導体製造方法であって、特に半導体材料７としてＳｉを用い、種結晶８として３Ｃ−ＳｉＣを用いた点に特徴を有している。 （もっと読む）

【課題】 汚染の問題や製造装置の高価格化・大型化の問題を発生することなく、大きな結晶粒の粒状シリコンを能率良く製造できるようにする。
【解決手段】 溶融ルツボ１２内で溶融したシリコン融液１５をノズル１６から線状に連続的に流れるように吐出させる。ノズル１６から線状に垂れるシリコン融液１５ａは、その表面張力と重力加速度とによって細断されて粒状化され、小径のシリコン融液滴１８となって降下管１７内を自由落下する。このシリコン融液滴１８は、落下中に放熱により冷却され、過冷却状態になって結晶核を生じる直前に障壁部材１９に衝突する。この衝突により、シリコン融液滴１８の表面の一箇所が局所冷却され、且つ、その局所冷却部分に衝撃力が加えられることで、シリコン融液滴１８に結晶核が形成され、この結晶核を起点として一方向に結晶成長して、大きな結晶粒の粒状シリコンが作られる。
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【課題】 大きな結晶粒の粒状シリコンを低コストで製造できるようにする。
【解決手段】 ガスボンベ２７から供給される雰囲気ガスを溶融ルツボ１３の目標圧力と同じ圧力で貯蔵する圧力容器３９を設けると共に、この圧力容器３９と溶融ルツボ１３とを連通させる配管中に電磁バルブＶ３を設ける。そして、降下管１６内をシリコン融液吐出時の目標負圧Ｐ３まで減圧する際に、溶融ルツボ１３内も減圧した後、電磁バルブＶ３を開放して、圧力容器３９内の雰囲気ガスの一部を溶融ルツボ１３内に導入して、該溶融ルツボ１３内の圧力を目標圧力（＝シリコン融液吐出時の降下管目標負圧Ｐ３＋差圧ΔＰ）まで上昇させる。これにより、溶融ルツボ１３内のシリコン融液１７を差圧ΔＰによって溶融ルツボ１３の底部のノズル１５から線状に連続的に流れるように吐出させ、降下管１６内で粒状化したシリコン融液滴を結晶成長させて粒状シリコンを製造する。
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