【課題】半導体デバイスの発光強度を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。したがって、半導体デバイス１００の発光強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶をアモノサーマル法によって効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、反応容器１内にてアンモニアと鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料５から窒化物結晶を成長させる窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】引上げ方向全域にわたって欠陥が少なくかつこの欠陥のバラツキが少ないシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２５を浸漬して回転させながらＣＯＰ（Crystal Originated Particle）及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶１１を引上げる。ＣＯＰ及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶１１を引上げるための上限引上げ速度及び下限引上げ速度をそれぞれｖ_A及びｖ_Bとし、ＣＯＰ及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶１１を引上げるための引上げ速度の速度マージンを（ｖ_A−ｖ_B）とするとき、シリコン単結晶１１の引上げバッチ毎に速度マージンの中央値（ｖ_A＋ｖ_B）／２を目標引上げ速度として実際の引上げ速度をフィードバックしながらシリコン単結晶１１を順次引上げる。 （もっと読む）

【課題】表面のオフ角のばらつきが小さい大面積の窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シード基板上に半導体層を成長させて窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶製造方法において、前記シード基板は同一材料の複数のシード基板を含み、前記複数のシード基板のうち少なくとも１つは他のシード基板とオフ角が異なり、前記複数のシード基板上に単一の半導体層を成長させたときに、前記単一の半導体層のオフ角分布が前記複数のシード基板のオフ角分布よりも少なくなるように、半導体結晶製造装置内に前記複数のシード基板を配置して、前記単一の半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を炭素ドープウェーハに比べてより深々度範囲に形成可能とし、ｐ型の高周波デバイス向けシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、窒素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜１００μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。該ＺｎＯナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有するシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｓを製造する製造方法は、単結晶製造装置１において、坩堝６中の溶融されたシリコン原料Ｆに１０００ガウス以上５０００ガウス以下の磁界を印加し、かつシードの回転速度を８ｒｐｍ以下に制御して単結晶Ｓの成長を実行する。さらに下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、単結晶Ｓ中の酸素濃度を更に低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とする。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、炭素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜７０μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】薄厚化に対応しゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。
【解決手段】ＣＺ法により窒素濃度が５.０×１０^１２〜１.０×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、初期酸素濃度が１．４×１０^１８〜１.６×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３として育成されたシリコン単結晶から製造されたシリコン基板であって、表面にデバイスが形成され、その厚みが４０μｍ以下μｍ以上とされるとともに、前記シリコン基板の裏面に２００Ｍｐａ以下〜５Ｍｐａ以上の残留応力が生じる外因性ゲッタリングが付与される。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における転位密度が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内における転位密度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内における平均転位密度に対する転位密度のばらつきが±１００％以内である。 （もっと読む）

【課題】変換効率のバラつきが小さな太陽電池セルの製造に使用され、特定の抵抗率特性を有する単結晶シリコンインゴットおよびそれを用いた単結晶太陽電池セルを提供する。
【解決手段】ドーパントを含有するシリコン融液から単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された単結晶シリコンインゴットであって、該単結晶シリコンインゴットは円柱状であり、一平面の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以上４０Ω・ｃｍ以下であり、他方の平面の抵抗率が８Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。単結晶シリコンインゴットの抵抗率が８〜１０Ω・ｃｍを境として、それ以上の高抵抗率の範囲では短絡電流密度Ｊｓｃにほとんど変化がなく、±３％以内の変動に収まる。一方、上記境目より低抵抗率の場合には、ヘッド部の抵抗率の低下とともに短絡電流密度も低下し、変動（バラつき）も増加する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、５°以下のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を、その表面の格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨する工程と、水素雰囲気下で、研磨後の基板を１４００〜１６００℃にしてその表面を清浄化する工程と、清浄化後の基板の表面に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量のＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスとを濃度比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２で同時に供給して炭化珪素をエピタキシャル成長させる工程と、ＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスの供給を同時に停止し、ＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスとを排気するまで基板温度を保持し、その後降温する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ２０に、ルツボ２０の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ２０およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ２０に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ２０を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０¹⁷／ｃｍ³であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。
【解決手段】低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、
ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０¹⁷／ｃｍ³であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり；
ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして
ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。サファイア基板１０は、中間層１１を成長させる主面が、当該サファイア基板１０のｍ軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板１０のｍ軸に対し傾斜している。また、前記III族窒化物層１２を成長する工程においては、第一の薄膜層１２aの上にマスクを形成してから第２の厚膜層１２ｂを形成してもよく、これにより第一の薄膜層１２aと第２の厚膜層１２ｂの間の結合強度を低下させ、比較的小さな応力で下地基板１０を容易に剥離し、III族窒化物層１２の自立基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ヘイズレベルが低く、平坦度（エッジロールオフ）に優れ、また、さらには、エピタキシャル成長速度の方位依存性が低減された、半導体デバイスの高集積化に対応できるシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスとしてトリクロロシランとジクロロシランの混合ガスを使用し、１０００〜１１００℃、望ましくは１０４０〜１０８０℃の温度範囲内でシリコンウェーハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させ、得られるエピタキシャルウェーハのヘイズレベルを０．０５０〜０．０８０ｐｐｍ（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製パーティクルカウンター（ＳＰ−１）によるＤＷＮモードでの測定値）とし、エッジロールオフを低い範囲内に維持する。ジクロロシランの使用によるエピタキシャル成長速度の低下を一定範囲内にとどめ、エピタキシャルウェーハの生産効率を比較的良好に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、液相法により、下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２上に第２のＩＩＩ族窒化物結晶３を成長させる工程とを含み、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の転位密度が１×１０⁷個／ｃｍ²以下であり、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の表面が表面粗さＲ_P-Vで０．５μｍ以下に平坦化される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の破壊の原因になる亀裂（クラック）が生じにくい窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上の窒化物半導体単結晶を準備しＳ１０，Ｓ２０、前記窒化物半導体単結晶の表面と、裏面と、側面との全体を保護膜で被覆して被覆基板を形成するＳ３０。前記被覆基板を１３００℃より高い温度下において２０時間以上の熱処理Ｓ４０を施した後、前記被覆基板から前記保護膜を除去して窒化物半導体自立基板を形成するＳ５０。これにより、直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上であり、転位密度が５×１０^６／ｃｍ^２以下であり、不純物濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下であり、最大荷重が１ｍＮ以上５０ｍＮ以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが１９．０ＧＰａ以上である窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】炭素添加したシリコン融液を用いてシリコン単結晶を育成する方法において、シリコン単結晶の外周部における炭素濃度の低下を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。また、面内ＢＭＤ密度を均一化した、高いゲッタリング能力を有し得るシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液１３をるつぼ１２中に準備し、るつぼ１２中のシリコン融液１３に対して磁束密度０．２〜０．４Ｔの磁場を印加しつつ、シリコン融液１３に接触させたシリコン種結晶１７を、０．５２〜０．８４ｒａｄ／ｓの回転速度で回転させながら引き上げて、シリコン種結晶１７上にシリコン単結晶１６を育成することを含む、シリコン単結晶１６の製造方法。また、その製造方法で製造したシリコン単結晶１６のインゴットを用いたシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）