【課題】半導体装置の製造工程において発生するスリップ転位や割れを防止できる半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウエハを提供する。
【解決手段】直径６インチ以上の半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウエハを対象にし、ウエハの中心から０．９Ｒを超える外周部の転位密度をウエハの中心から０．９Ｒより内側に位置する中心部の転位密度の平均値の１．５倍以上にすると共に外周部の転位密度を１２０，０００個／ｃｍ^２以上にしている。 （もっと読む）

【課題】デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるＳｉＣ単結晶を得る。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶に窒素をドープし、かつ、窒素の濃度を２×１０¹⁹ｃｍ^-3より多くする場合に、Ａｌも同時にドープすると共にＡｌ／Ｎ比が５％以上となるようにする。これにより、積層欠陥を低減することができる。さらに、Ａｌ／Ｎ比が４０％以下となるようにすることで、比抵抗を小さくすることができ、デバイスに望まれる比抵抗を得ることができる。したがって、デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】底部における酸素濃度が局所的に高くなる部分を少なくして、多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】断面矩形状をなす坩堝２０と、この坩堝２０の上方に配設された上部ヒータ４３と、坩堝２０の下方に配設された下部ヒータ３３と、を有し、坩堝２０内に貯留されたシリコン融液３を、その底面２１から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴット製造装置１０であって、坩堝２０の底面２１側において坩堝２０の側壁部２２の少なくとも一部を加熱する補助ヒータ５０を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属不純物、結晶欠陥（気泡）の少ないサファイア単結晶基板の製造方法およびサファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】サファイアインゴットの製造方法は、加熱炉内のるつぼ内に充填された固体の酸化アルミニウム（アルミナ）を、融点（２０５０℃）未満の温度において加熱して保持する固相での加熱工程（Ｓ１０１）、るつぼ内の酸化アルミニウムを、融解する溶融工程（Ｓ１０２）、酸化アルミニウムの融点より高い温度において加熱しつつ保持する液相での加熱工程（Ｓ１０３）、種結晶を回転させながら上方に引き上げることにより、種結晶の下方に肩部を形成する肩部形成工程（Ｓ１０５）、アルミナ融液に肩部の下端部を接触させた状態で、種結晶を介して肩部を回転させながら上方に引き上げることにより、肩部の下方に直胴部を形成する直胴部形成工程（Ｓ１０６）を含む。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために用い得るブールの提供。
【解決手段】相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、１ｃｍより大きい断面寸法、１ｍｍを超える長さ、および１ｃｍ²あたり１０⁷未満欠陥の上面欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】歪の小さいサファイア単結晶インゴット、サファイア基板およびサファイア基板に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】坩堝１５に、酸化アルミニウムと、ケイ素、ゲルマニウムおよびスズの少なくとも１つの元素からなる添加元素の酸化物を含み酸化アルミニウムに対し重量濃度で３０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲に設定された添加物とを投入し、坩堝１５内にて酸化アルミニウムおよび添加物を溶融してアルミナ融液３５を得た後、坩堝１５内のアルミナ融液３５から、酸化アルミニウムおよび添加物を含み且つサファイアの単結晶構造を有するサファイアインゴット３０を引き上げる。このとき、引き上げられたサファイアインゴット３０では、酸化アルミニウムに対し添加元素の重量濃度が２ｐｐｍ〜８０ｐｐｍとなる。 （もっと読む）

【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶の外周に成長した窒化物結晶において、第１の部分領域と、光学的特性が該第１の部分領域と異なっており、かつ結晶方位を示す光学的特性を有する第２の部分領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハが大口径化された場合であっても、半導体デバイス製造時における熱処理において、スリップ転位の発生を抑制し、半導体デバイスの製造歩留の向上を図ることができるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハ１は、窒素濃度が５．０×１０^１３〜５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、半導体デバイスが形成される第１面２の無欠陥層２ａ厚さは２．０〜１０．０μｍであり、第１面２の無欠陥層２ａの内方に位置する第１面２から深さ１８０μｍまでの第１バルク層２ｂにおける酸素析出物密度は０．７×１０^１０〜１．３×１０^１０ケ／ｃｍ^３であり、第１面２に対向する第２面３の無欠陥層３ａ厚さは第１面２の無欠陥層２ａ厚さより小さく１．０〜９．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】単位面積あたりのエッチピット密度（ＥＰＤ）で評価した結晶性の値が低く良好な結晶性を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ化合物原料を別の合成炉で合成し、当該原料中にＳｉドーパントを挟み込んで、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂとした。当該Ｓｉドーパントを挟み込む位置は、当該ＧａＡｓ化合物原料を溶融したとき、その平均温度より低くなる位置とした。単結晶成長装置のるつぼに種結晶を挿入した後に、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂ、液体封止剤３２をるつぼに投入し、単結晶成長装置１にセットして加熱溶融後、当該液体封止剤を攪拌しながら、縦型温度傾斜法により融液を固化、結晶成長させてＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット３３を得る。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高品位のサファイア単結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いた単結晶インゴットの育成方法であって、種結晶を所定温度に加熱する種結晶加熱工程と、前記種結晶を原料融液に接触させた後、該種結晶を引き上げながらネック部を形成するネッキング工程とを具え、前記ネッキング工程は、前記種結晶を引き上げる際に、種結晶の先端表面上に育成される結晶が、縮径から拡径および拡径から縮径の少なくとも一方の径変化を１回以上経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶９を囲繞する熱遮蔽体１１がチャンバ１内に設けられた単結晶育成装置を用い、ドーパントとしてＳｂまたはＡｓを添加した原料シリコン融液６をチャンバ１内のルツボ２に貯溜し、チャンバ１内に不活性ガスを導入しながらチャンバ１内を減圧した状態で、ルツボ２内の原料シリコン融液６から抵抗率が０．０２Ωｃｍ以下のシリコン単結晶９をＣＺ法により引き上げ育成する方法であって、直胴部９ｃに続いてテイル部９ｄを育成する際に、チャンバ１内の圧力を直胴部９ｃの育成終了時よりも低下させる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したＩｎＰ単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＩｎＰ単結晶１は、小径部１０と、円錐部２０と、直胴部３０とを備えている。直胴部３０は、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３以下である低キャリア濃度部３１と、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３を超える高キャリア濃度部３２とを含んでいる。そして、低キャリア濃度部３１の成長方向に垂直な断面において、当該低キャリア濃度部３１は、外周を含む領域に形成され、平均転位密度が１０００ｃｍ^−２以上である高転位密度領域３１Ｂと、高転位密度領域３１Ｂに取り囲まれるように形成され、平均転位密度が５００ｃｍ^−２以下の低転位密度領域３１Ａとを有している。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＰ等のｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が表層域に存在しない、例えば直径４５０ｍｍの大口径のシリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により３．０℃／分以下の冷却速度の下に育成したシリコン単結晶をスライスしてシリコンウェーハを製造するに当たり、該シリコンウェーハに非酸化性雰囲気中で熱処理を施し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を施し、シリコンウェーハの表面側にｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在する欠陥層および該欠陥層の直下にｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥層を形成し、その後前記欠陥層を研磨除去する。 （もっと読む）

【課題】泡欠陥が著しく低減された酸化物単結晶を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される酸化物単結晶。Ａｌ_{（２−ｘ）}Ｔｉ_ｘＯ_{（３−ｙ）}Ｆ_ｙ（１）。式中、０＜ｘ＜２、かつ、０＜ｙ＜３である。さらに、ｘは２×１０^−６≦ｘ≦２×１０^−４、ｙは３×１０^−６≦ｙ≦３×１０^−４であることが好ましい。この酸化物単結晶は、引き上げ装置１０を用い、酸化アルミニウム、フッ化アルミニウムおよび酸化チタンからなる融液１８を満たしたるつぼ１７の上方から、種結晶２を下部先端に固定した引き上げ棒１２を融液１８の表面の中央部から融液１８中に入れて種付け後、引き上げ棒１２を回転させながら引き上げて、略円柱状の単結晶インゴット１を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス中の汚染管理のためのＰＣＤ、ＳＰＶ等による金属不純物汚染の評価における、モニターウエーハ外周部の測定結果の信頼性向上を実現することができる金属汚染評価用シリコンウエーハを提供する。
【解決手段】金属汚染を評価するための金属汚染評価用シリコンウエーハであって、該金属汚染評価用シリコンウエーハは、酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、抵抗率が１Ωｃｍ以上であるＣＺシリコンウエーハであり、該ＣＺシリコンウエーハは、成長インゴットの直径に対して、縮径して外周部が除去されたものであることを特徴とする金属汚染評価用シリコンウエーハ。 （もっと読む）