【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
（ＢｉＲ）_３−ａＭ１_ａＦｅ_{５−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ｂＰｔ_ｃＭ２_ｄＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１：Ｃａ及びＳｒから選択される一種または二種の元素、
Ｍ２：Ｇｅ及びＳｉから選択される一種または二種の元素、
０．０１＜ａ＜０．１，０．１５≦ｂ＋ｄ≦０．６，０．０１≦ｃ≦０．０４，ａ＝ｃ＋ｄ）
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】 磁気転移温度より高い温度でも電気磁気効果を発現する電気磁気効果材料を提供する。
【解決手段】 磁性イオンを含むオケルマナイト構造を有する電気磁気効果材料を用いた電気磁気効果素子であって、前記電気磁気効果材料はＡ_２ＭＸ_２Ｏ_７であって、ＡはＣａ，Ｓｒ，Ｂａであり、ＸはＧｅ，Ｓｉであり、Ｍは磁性イオンである電気磁気効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 （もっと読む）

【課題】飽和磁界が低く、温度特性が優れたファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＧｄ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＡｌ_ｚＯ_１２（式中、０．１５≦ｙ/ｘ≦０．６５，０．３≦ｚ≦０．５，０．０４≦ｗ≦０．１）で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶からなるファラデー回転子において、製品形状での室温での飽和磁界が２００（Ｏｅ）以下、温度特性０．０７ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録を達成可能な六方晶フェライト磁性粉末および上記六方晶フェライト磁性粉末を用いた高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】Ｂ₂Ｏ₃成分を含むガラス形成成分および六方晶フェライト形成成分を含み、かつ上記Ｂ₂Ｏ₃成分をＢ₂Ｏ₃換算で１５〜２７モル％含む原料混合物を溶融し溶融物を得ること、上記溶融物を急冷し、飽和磁化量が０．６Ａ・ｍ²／ｋｇ以下である固化物を得ること、ならびに、上記固化物を６００〜６９０℃の温度域まで加熱し該温度域に保持することにより平均板径が１５〜２５ｎｍの六方晶フェライト磁性粉末を析出させること、を含む六方晶フェライト磁性粉末の製造方法。非磁性支持体上に、上記方法により製造された六方晶フェライト磁性粉末と結合剤とを含む磁性層を有する磁気記録媒体。上記方法を含む磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

垂直ブリッジマン法を用いて新規な溶融物から成長させた三元系単結晶リラクサ圧電性物質、及び三元系単結晶リラクサ圧電性物質を作成するための方法。該三元系単結晶は、少なくとも１５０℃のキュリー温度Ｔ_ｃ、及び少なくとも約１１０℃の菱面体晶から六方晶への相転移温度Ｔ_ｒｔによって特徴付けられる。該三元系の結晶は、更に、少なくとも約１２００〜２０００ｐＣ／Ｎの範囲における圧電係数ｄ_３３を示す。 （もっと読む）

ごくわずかな揮発で一致溶融する化合物から結晶を成長させる方法を提供する。１又はそれ以上の結晶試料の組成を測定する。結晶組成の一致状態からの偏差を求める。初期溶融物組成及び原料物質組成の偏差に対する補正を決定する。この組成の補正を使用して結晶を成長させ、表面弾性基板製造のための再現性のある材料を生み出す。 （もっと読む）

【解決手段】
式Ａ_１−ｘＢ_ｘＭｎＯ_３ （ここでＡはＬａ、Ｎｄ又はＰｒであり、ＢはＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はＰｂであり、ｘは０．２〜０．５の範囲内である）で表されるドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶から小片を切り出し、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）素子をつくる。本発明の素子は、いろいろな磁気センサーに有益に応用される。
【効果】
本発明の素子におけるＡＭＲは、従来の強磁性物質又は合金からつくられる素子（室温で約１−２％）に比べて、非常に大きい（２２０Ｋで約９０％）。したがって、本発明のＡＭＲ素子は、磁気センサーの感度を改善する。 （もっと読む）

【課題】約１．６μｍ以上の波長帯域における本質的な吸収を示すＴｂＢｉ系ガーネット厚膜の代替材料として、Ｔｂイオンによる吸収スペクトルの影響があらわれる１．５μｍ以上の波長帯域において、改善された挿入損失とθ_ｆ／Ｔをもつガーネット厚膜材料、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＬＰＥ法によるビスマス置換型ガーネット厚膜材料であって、ＮＧＧを基板とし、化学式が、Ｇｄ_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｙ_ｘＹｂ_ｙＢｉ_ｚＦｅ_５−ａＡｌ_ａＯ_１２、ただしｘ＝０〜０．２，ｙ＝０〜０．２で、かつｘおよびｙが同時には０ではなく、さらに、ｚ＝０．８〜１．４，ａ＝０．２〜０．７で示される組成を有し、０〜３．７重量％のＢ_２Ｏ_３を含有し、９５０〜１１３０℃の温度範囲、酸素濃度が５％以上の雰囲気中で保持する熱処理を行う。 （もっと読む）

本発明は、ナノ結晶およびその製造方法に関し、特に本発明は、三元以上の合金ナノ結晶およびかかる構造を水性または水溶性溶媒中で製造する方法に関する。本発明の幾つかの実施形態では、三元以上の合金ナノ結晶の調製方法は、少なくとも第１、第２、および第３のナノ結晶前駆体（例えばＮａＨＳｅ、ＺｎＣｌ_２、およびＣｄＣｌ_２）を提供するステップ、およびナノ結晶構造を水性または水溶性溶媒中で形成するステップを含む。幾つかの場合、ナノ結晶前駆体溶液は、水溶性リガンド（例えばグルタチオン、ＧＳＨ）を含むこともできる。少なくとも第１、第２、および第３のナノ結晶前駆体を含む三元以上の合金ナノ結晶（例えばＺｎ_ｘＣｄ_１−ｘＳｅ）それ自体を形成することができ、水溶性リガンドは、該三元以上の合金ナノ結晶の表面の少なくとも一部分を被覆することができる。
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圧電単結晶及びその製造方法、及びその圧電単結晶を利用した圧電及び誘電応用部品を提供する。本発明による圧電単結晶は、高誘電率Ｋ₃^T、高圧電定数ｄ₃₃、ｋ₃₃、高い相転移温度（キュリー温度、Ｔｃ）、高い抗電界Ｅｃ、及び向上した機械的特性を併せ持つため、かかる優れた特性の圧電単結晶を広い温度領域と広い使用電圧条件下で使用することができる。また、単結晶の量産に適合した固相単結晶成長法を用いて圧電単結晶を製造し、高価な原料を含まない単結晶組成を開発して圧電単結晶の商用化を可能にする。これにより、優れた特性の圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品を広い温度領域で製造し、使用することを可能にする。
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【課題】 垂直磁場制御におけるファラデー回転角の急峻な変化を抑止できる光アッテネータ用磁性ガーネットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式（Ｒ，Ｂｉ）₃（Ｆｅ，Ｍ）₅Ｏ₁₂（但し、ＲはＧｄ，Ｙｂの少なくとも１種、ＭはＡｌ，Ｇａの少なくとも１種）で表される組成を有し、Ｎｄ₃Ｇａ₅Ｏ₁₂単結晶上に液相エピタキシャル成長法により育成する厚膜単結晶の光アッテネータ用磁性ガーネットの製造方法であり、成長誘導磁気異方性に対して残留比率を１５〜３０％とする工程を含む。 （もっと読む）

アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）