【課題】簡便な方法で任意の場所に金属ウィスカを発生させることができる金属ウィスカの製造方法を提供する。
【解決手段】基板（電極１２）の端面と少なくとも端面に連なる主面の一部とに金属のめっき層１３を形成し、基板（電極１２）のめっきされた主面に対し基板厚み方向に面圧を加えることにより、基板（電極１２）の端面側のめっき層１３表面に金属のウィスカ１５を形成する。金属は、ＳｎまたはＺｎの単金属、あるいはＳｎまたはＺｎを含む合金である。 （もっと読む）

本発明のナノ寸法クラスターを形成する方法は、クラスターを形成する材料を含む溶液を、基材材料中に含まれる天然または合成由来のナノ細孔中に導入すること、続いて該溶液をレーザー放射線パルスに、低温プラズマが発生し、そのプラズマが存在する領域で気体状媒体を形成するように露出することからなり、該プラズマが冷却して行く間に、液体基材上におけるクラスター材料の結晶化により、クラスター材料が純粋な材料に戻り、それによって、基材材料と接合された単結晶量子ドットを形成する。該方法により、異なった材料から、二または三次元的クラスター格子および互いに接合されたクラスターを形成することができる。本発明により、様々な材料から、基材ナノキャビティ中にワイヤを、およびガラスに塗布された有機材料中に分散した溶液微小滴から量子ドットを形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（科学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】鋳型構造を用いずに金属ナノワイヤを成長させ、外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】外部環境ナノワイヤセンサおよびその製造方法を提供する。上記方法は、シリコンなどの基板１０２から第１の複数のナノワイヤ１０８を成長させ、インシュレータ層１２０を第１の複数のナノワイヤ１０８上に堆積させ、エッチングによって第１の複数のナノワイヤの先端部１１６を露出させ、電極の端部１１４が第１の複数のナノワイヤの先端部１１６の上にまたがるようにパターン化された金属の電極１１２を形成し、エッチングによって電極の端部１１４の下にある第１の複数のナノワイヤ１０８を露出させる方法である。また、上記方法では成長プロモーション層が基板の上に形成される構成としてもよい。上記構成物は、選択的に形成された成長プロモーション層から成長し、露出されたナノワイヤを含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリカ基板上に粒径４００ｎｍ以上の強誘電体薄膜を有する半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素系の膜を有し、膜の上に粒径４００ｎｍ以上の大きさを持つＳｎ単結晶膜が蒸着されてなる半導体基板。および、非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数で１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素又は炭化水素からなる炭素系の膜を形成し、膜のうえに、基板を２００℃以下に加熱しながらＳｎを蒸着して、粒径４００ｎｍ以上のＳｎ単結晶の膜を形成する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボン材料を強固に固着できるナノカーボン材料積層用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド膜３上にナノカーボン材料を合成することによって、ダイヤモンド膜３とナノカーボン材料の結合部分の炭素が、ナノカーボン材料のｓｐ２混成軌道とダイヤモンド膜のｓｐ３混成軌道とが混合した混成軌道を形成し、ナノカーボン材料とダイヤモンド膜とが強固に結合する。ナノカーボン材料のダングリングボンドとダイヤモンド膜のダングリングボンドとが共有結合を形成することによっても強固に結合する。 （もっと読む）

大単結晶金属の成長方法が公開される。金属試料の多結晶形態が当初、非酸化環境において加熱される。最小塑性歪がそれから加熱金属試料内部で選定粒子の成長を開始させるために加熱金属試料に加えられる。付加塑性歪が、選定粒子の大単結晶への成長を伝播させるために、加熱金属試料に引き続き加えられる。 （もっと読む）

ナノエンジニアリングを用いた構造であって、基板上に所定の空間配置でおよそ１０００以上のナノウィスカのアレイを有し、例えばフォトニックバンドギャップアレイなどに用いられ、各ナノウィスカは所定のサイトから、そのナノウィスカと最隣接ウィスカとの距離のおよそ２０％以内に位置する。アレイの形成に際し、触媒物質塊のアレイを基板上に位置決めし、熱を加えかつ気体状の物質を導入して各塊から触媒シード粒子を生成し、触媒シード粒子から所定物質のナノウィスカをエピタキシャルに成長させ、その際各塊は融解したときに基板表面との界面をほぼ同一のまま維持し、塊を前記表面を横切って移動させる力は基板表面におけるぬれ界面を介しての保持力よりも小さい。
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【課題】触媒や電極などに使用しえる新規な形態、サイズ、配列を有する貴金属ナノ粒子を創出する。
【解決手段】担体基板上に半円筒形断面形状を有し、棒状に形成されたミセルを自己創出的に形成し、固定化し、貴金属イオンを加えてミセル内に拡散させて、ミセルと貴金属イオンとを複合させ、次いで、還元剤を作用させることによって、該固定化されたミセル内を反応場として貴金属の還元反応を進め、固定された前記形状のミセルを鋳型として担体基板上に単結晶質貴金属超薄膜ナノ粒子を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体基板に関し、製造プロセスに於けるスリップの伝播を抑制できる酸素析出物を有し、従って、機械的強度が高いｐ^- シリコン半導体基板を容易に実現できるようにする。
【解決手段】 １×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 未満のボロンを含有するｐ^- シリコン半導体基板であって、シリコン半導体中の酸素の拡散に関し、温度を１１００℃に換算した場合で２時間以上２５時間以下の拡散距離と同等以上の拡散距離を達成する温度と時間で加熱し、１１００℃に換算したときの加熱時間をｔ（時間）とした場合、シリコン半導体が式（ａ）で決定される濃度の酸素を含有してなることを特徴とする。［Ｏ_i ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ ）≧（１．９４×ｔ^-0.16 ）×１０¹⁸ （ａ） （もっと読む）

本発明は、単結晶ワイヤおよびその製造方法を開示する。この方法は、金、銅、銀、アルミニウムおよびニッケルよりなる群から選択された少なくとも１種の金属を成長坩堝に収容させる段階と、成長坩堝に収容された金属を加熱して溶融させる段階と、金属結晶をシードとして用いてチョコラルスキまたはブリッジマン方法によって単結晶を成長させる段階と、育成された単結晶を放電加工を用いて切断する段階と、切断された前記単結晶を線材に形成させる段階とを含んでなる。本方法において、前記育成された金属単結晶は放電加工によって円形欠片に形成し、前記欠片はワイヤカット放電加工によって単結晶ワイヤに形成する。前記単結晶ワイヤは、指輪、パンダント、またはオーディオと映像機器間を連結する高品位ケーブル内部の線材として活用される。また、放電加工によって円形欠片に形成された単結晶は、基板および蒸着用ターゲットとして用いられる。 （もっと読む）

【課題】シリカガラス上に酸化物薄膜成長用の平板粒子からなる単結晶電極薄膜を作成で
きなかった。
【解決手段】非晶質であるシリカガラス上に高結晶性の酸化物薄膜をエピタキシャル成長
させるための下地及び電極となるPt単結晶薄膜の製造方法。非晶質シリカ基板上に形成さ
れたPt薄膜にイオン照射と加熱処理を交互に繰り返すことにより、基板上に粒径４００ｎ
ｍ以上の大きさを持つ平板状Pt単結晶を形成する。シリカ絶縁膜（シリカガラス）を有す
るシリコン素子の、シリカ絶縁膜上に電子デバイス、光デバイス、集積回路などの高結晶
性酸化物薄膜電子素子をエピタキシャル成長させるための下地となり、かつその電子素子
の電極として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】基材とウィスカーの密着強度が高く、表面積の大きなウィスカー被覆材料、特に種々の用途に応じた目的を達成し得るウィスカー被覆材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属、合金及びセラミックスなどを含む基材が、該基材の表面上に、該基材の構成元素を１種以上含むウィスカーを備え、ウィスカーの主な構成元素が、基材の表面部の構成元素と同じであるウィスカー被覆材料である。ウィスカーが、基材から成長した幹部とその先端に頭部を有し、１本の幹部に１つの頭部を有して成る、または複数の幹部が相互に撚り合い、１つの頭部を共有して成る。
金属、合金及びセラミックスなどを含む基材又は基材前駆体を、不活性ガス雰囲気中で、該基材又は基材前駆体の融点より低い温度で加熱処理し、基材上にウィスカーを形成させてウィスカー被覆材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐ＥＭ性や耐ＳＭ性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。
【解決手段】銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉１内に配置した原料るつぼ５内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター１０、１１、１２により温度を調節し、石英外筒３内を真空排気装置２により排気する。炉底部には断熱トラップ８がありその外側に冷却水９が貫流する水冷フランジ７が配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。 （もっと読む）

新たな微細構造を有する薄膜タンタルフィルムが提供される。該フィルムは、ナノ結晶、単結晶および非晶質等の微細構造を有する。このようなフィルムは、非常に良好な拡散バリア特性を有し、マイクロエレクトロニクスデバイスにおいて有利である。パルスレーザ沈着法（ＰＬＤ）および分子ビームエピタクシー（ＭＢＥ）沈着法を使用してこのようなフィルムを形成する方法と、このようなフィルムを含むマイクロエレクトロニクスデバイスも提供する。
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