【課題】単結晶組織サイズが微細で且つ均一化された酸化物共晶体を製造できる酸化物共晶体の製造方法及び酸化物共晶体を提供すること。
【解決手段】２種以上の酸化物の融液を収容するルツボ内に設置したダイ１を用いて酸化物共晶体を製造する酸化物共晶体の製造方法であって、ダイ１に形成された経路２を通って吸い上げられ、融液配置面１ａ上に配置された融液３に種結晶１４を接触させる種結晶接触工程と、種結晶１４を引き上げ、酸化物共晶体１５を得る種結晶引上げ工程とを含み、種結晶引上げ工程が、種結晶１４を回転させる種結晶回転工程を含む酸化物共晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板１００を提供する第一ステップと、前記基板１００の結晶面１０１に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層１０２を配置し、前記基板１００の結晶面１０１の一部を前記カーボンナノチューブ層１０２の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板１００の結晶面１０１にエピタキシャル層１０４を成長させ、前記カーボンナノチューブ層１０２を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層１０２を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高温超伝導フィルタに適した高Qf値を有する電子デバイス用誘電体を提供する。
【解決手段】 組成式を(1-X)LaAlO₃-XSrTiO₃と表し、0<X≦0.2を満足し、誘電率が24以上、Qf値が300,000GHz以上の誘電体特性を有する複合酸化物の単結晶材料の（110）面を電界面としたことを特徴とする電子デバイス用誘電体。この電子デバイス用誘電体は、準ミリ波以上の高周波帯域で誘電体材料としてQf値が大幅に向上するとともに高温超伝導フィルタに適用できる。 （もっと読む）

本発明は人工結晶分野の低温β−ＢａＢ_２Ｏ_４単結晶、その育成方法およびそれによる周波数変換器部品を提供する。溶融塩法を採用し本単結晶が得られる。この単結晶は完全にＢＢＯ潮解性が強い欠点を克服し、ほとんど潮解しない。本単結晶のダブル周波数の効果と光損傷限界値はＢＢＯ結晶に比べかなり改善され、かつ硬度も著しく増加している。この単結晶はショア硬度が１０１．３で、モース硬度が６であることに対し、ＢＢＯはショア硬度が７１．２で、モース硬度が４である。可視光―紫外線光エリアの透過率曲線のテストにより、この単結晶のカットオフ波長が１９０ｎｍで、吸収開始波長が２０５ｎｍである。これらはＢＢＯの性能より優れていて、ＢＢＳＡＧがレーザー非線形光学分野、紫外線、深紫外線周波数変換器部品などにおいて将来性がある。 （もっと読む）

【課題】るつぼ内で凝固して当該るつぼの内面に付着した固体物質を十分且つ効率的に取り除くことが可能な方法及びこれを用いたるつぼ再生方法を提供する。
【解決手段】るつぼ２０内で凝固して当該るつぼ２０の内面に付着した除去対象物質Ｓの除去方法であって、除去対象物質Ｓとともに当該除去対象物質Ｓの融点よりも低い温度で液相を形成する添加物質を、るつぼ２０内に供給する供給工程と、るつぼ２０を加熱して当該るつぼ２０内の除去対象物質Ｓ及び添加物質を融解させる加熱工程と、除去対象物質Ｓと添加物質とを含有する融液をるつぼ内から排出する排出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】原料に含まれる不純物を十分に低減でき、優れた品質の酸化物単結晶を効率的に製造可能な酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液１８を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液１８から酸化物単結晶１を製造する単結晶育成工程とを備える。前記不純物除去工程において融液状態の保持は、圧力１．０×１０−４〜１．０Ｐａの減圧雰囲気下又はＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ及びＮ２からなる群より選ばれる１種以上のガス種を含有する不活性ガス雰囲気下、あるいはさらに酸素を０．０１〜２０体積％混合した不活性ガス雰囲気下にて行い、保持時間は１〜１０００時間とする。 （もっと読む）

【課題】通常ペロブスカイト型構造を取り得ないペロブスカイト型酸化物を、その物質固有の特性を有して、常圧にて、且つ厚みを制限されることなく製造可能とする。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物積層体１は、基板１１上に、少なくとも１層の下記一般式（Ｐ１）で表される第１のペロブスカイト型酸化物膜２１（不可避不純物を含んでいてもよい）と、通常ペロブスカイト型の結晶構造を取り得ない酸化物からなり（不可避不純物を含んでいてもよい）、下記一般式（Ｐ２）で表される少なくとも１層の第２のペロブスカイト型酸化物膜２２とが交互に積層されたものである。
ＡＢＯ_３ ・・・（Ｐ１）
ＣＤＯ_３ ・・・（Ｐ２）
（上記式中、Ａ及びＣはＡサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｂ及びＤはＢサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｏは酸素原子。） （もっと読む）

結晶製品は、単結晶セラミック繊維、テープ、またはリボンを含む。該繊維、テープ、またはリボンは、その長さに沿って少なくとも１つの結晶学的ファセットを有し、その長さは、概して、少なくとも１メートルである。サファイアの場合、ファセットは、Ｒ面、Ｍ面、Ｃ面、またはＡ面ファセットである。超電導製品を含むエピタキシャル製品は、該繊維、テープ、またはリボン上に形成することができる。
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【課題】組成の安定した単結晶育成を実現可能とする単結晶製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１はイリジウム金属、レニウム金属、モリブデン金属、タンタル金属、タングステン金属、白金、または、これらの合金、あるいはカーボン製であり、坩堝底部外周にイリジウム金属、レニウム金属、モリブデン金属、タンタル金属、タングステン金属、白金、または、これらの合金、あるいはカーボンからなる発熱体であるアフターヒーターを配置し、坩堝１及びアフターヒーターは、誘導加熱手段の出力調整により発熱量の調整を可能とすることによって所望の凸起面（曲面を含む）１３を有する坩堝底部の凸起面１３に設けた細孔７部分から融液を引き出し単結晶１０を製造するマイクロ引下げ法において、坩堝底部の凸起面１３の細孔７の数を複数個とすることで、結晶面内で添加元素分布の安定した単結晶作製を可能とした。 （もっと読む）

【課題】特性のばらつきが少なく、より均一に光を変換する光変換素子を提供する。
【解決手段】
Ａｌ₂Ｏ₃単結晶とＣｅ³⁺イオンをドーピングしたＹ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶が連続的かつ三次元的に相互に絡み合って形成されているＭＧＣ１１の周囲をＹ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶の屈折率１．８２よりも高い屈折率を持つ透明物質１２で被覆する。これにより、青色光を入射させると、Ｃｅ³⁺イオンを励起して黄色光を放射する。青色光と黄色光が透明物質１２内で十分に混色することにより、より均一な白色光を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＣＡＭ（ＳｃＡｌＭｇＯ４：スカンジウム・アルミニウム・マグネシウム・オキサイド）結晶基板の簡便かつ安価な製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア（０００１）の薄膜成膜用基板１を真空チャンバー内に導入し、導入後に、パルスドレーザー蒸着法によって、フラックスをターゲットとして、薄膜成膜用基板１上にフラックスの薄膜２を作製し、その後スカンジウム（Ｓ）、アルミニウム（Ａ）及びマグネシウム（Ｍ）を含むＳＡＭ成分をターゲットとして、薄膜成膜用基板１をフラックスが溶融する温度で加熱しながら薄膜成膜用基板の薄膜上にＳＡＭ成分の薄膜３を積層して、ＳＣＡＭ単結晶膜４を有するＳＣＡＭ薄膜基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するＬＴＧＡ（Ｌａ−Ｔａ−Ｇａ−Ａｌ酸化物）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３の内部にＬＴＧＡ種結晶５を充填すると共に、ＬＴＧＡ種結晶５上にＬＴＧＡ原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ＬＴＧＡ原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてＬＴＧＡ単結晶を育成する育成工程とを備え、ＬＴＧＡ原料６は、ＬＴＧＡ種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれＬＴＧＡ種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】活性酸素種であるＯ_２⁻イオンラジカル及び／又はＯ⁻イオンラジカルを十分に高濃度に包接するマイエナイト構造の結晶であって、気泡やコロイドなどの欠陥の発生が十分に抑制されたカルシア・アルミナ系酸化物結晶を提供する。
【解決手段】化学組成が下記一般式（１）で表されるマイエナイト型の骨格構造を有しており、かつ、下記式（２）で表される条件を満足するカルシア・アルミナ系酸化物結晶。
Ｃａ_１２Ａｌ_１４−ｘＩｒ_ｘＯ_３２ （１）
０．００１≦ｘ≦０．０１ （２） （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡単に特定の位置に突起物を存在させることができる金属酸化物構造体の製造方法を提供する。また、この方法で製造された金属酸化物構造体、及びこの金属酸化物構造体を用いた電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る代表的な金属酸化物構造体の製造方法は、断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、長さ０．１μｍ以上であり、かつ断面の円換算径に対する長さの比が０．０１以上である突起物を複数有する金属酸化物を有する金属酸化物構造体の製造方法であって、前記金属酸化物構造体の所定の面に前記突起物を有する前記金属酸化物を形成した後に、少なくとも一部の前記突起物を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却装置不要で、構造簡単、小型で、安価な筒内圧センサを提供する。
【解決手段】Ｇａ（ガリウム）をＡｌ（アルミナ）に置換してＧａ（ガリウム）の量を減らし、更に結晶の固有抵抗値の変化が５００℃を越えても１０^１１Ωに留まるＬＧＡＳ、ＬＮＧＡ、ＬＴＧＡのいずれかを圧電素子に使うことで課題を解決する。例えばＬＧＡＳ単結晶はＧａ_５をＧａ_４．８とＡｌ_０．２で置換しＬａ_３Ｇａ_４．８Ａｌ_０．２ＳｉＯ_１４としてＧａの量を減らしている。 （もっと読む）

【課題】 坩堝材に対して濡れ性の悪い材料の作製を可能とし、形状制御した単結晶材料を安定して作製することを可能とし、さらに、高速育成をも可能とする一方向凝固成長装置およびその装置を用いて形状を制御した単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 坩堝及び発熱体は、誘導加熱手段の出力調整により発熱量の調整を可能とすることによって坩堝底部に設けた一つ以上の細孔又はスリット状の開口部分から引き出される融液の固液境界相の加熱温度の制御し、該坩堝底部に水平に凸起した凸起平面に前記一つ以上の細孔又はスリット状の開口部分の出口側開口部を設ける一方向凝固成長装置であり、さらに、この一方向凝固成長装置を用いる単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 より簡便な方法により窒化物半導体単結晶の結晶度を向上させること。
【解決手段】酸化アルミニウム１に酸化ガリウム２を混合する工程と、該混合物を焼成して酸化アルミニウムと酸化ガリウムとの固溶体３を形成する工程と、該固溶体３を加熱溶融して融液４とする工程と、該融液４を徐冷してＡｌ_ｘＧａ_２−ｘＯ_３（０＜ｘ＜２）単結晶５を形成する工程とを含むことを特徴とする、窒化物半導体単結晶のエピタキシャル成長用基板６の製造方法である。 （もっと読む）