【課題】高速なリチウムイオン伝導性を有し、平均構造として立方晶系に属したガーネット関連型リチウムイオン伝導性酸化物の単結晶及びその製造方法、並びにそれを部材として使用した電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】ガーネット型リチウムランタンジルコニウム酸化物多結晶体を原料として用い、１１００℃〜１３００℃の温度で部分溶融させ結晶化させる高温での部分溶融法、前記原料を１３０１℃〜１５００℃の温度で溶融させ冷却によって結晶化させる融液成長法、あるいは、リチウム、ランタン、ジルコニウムの各原料化合物の混合物を出発原料とし、リチウム塩をフラックスとして、６００℃〜１３００℃の温度において結晶化させるフラックス法を適用することにより、縦、横、奥行きのうちの少なくとも１辺の長さが１０マイクロメートル以上、１ミリメートル以下である立方晶ガーネット関連型リチウムランタンジルコニウム酸化物の単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板表面に、結晶性のよい窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を生産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ｃ軸配向した窒化アルミニウム単結晶の集体からり、結晶性、緻密性にすぐれた高配向窒化アルミニウム多結晶膜を提供する。
【解決手段】単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。前記方法により製造される高配向窒化アルミニウム多結晶膜１は、ｃ軸配向した窒化アルミニウム単結晶２の集合体からなり、該高配向窒化アルミニウム多結晶膜のチルト角が３０〜１，３００arcsec、ツイスト角が８０〜４，０００arcsecとなる。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】原炭化珪素基板に内在する微細な転移欠陥等を十分に終端すると共に、新たな微細欠陥の発生を抑制することのできる半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板を提供する。
【解決手段】単結晶の原炭化珪素基板１０上に、９０ａｔｍ％以上のＳｉ原子からなるシリコン供給部３０を形成するシリコン供給部形成工程と、Ｓｉ原子を１０ａｔｍ％以下とし、熱分解してＣ原子を供給可能な炭素供給部４０を形成する炭素供給部形成工程と、シリコン供給部３０および炭素供給部４０が形成された原炭化珪素基板１０を１８００℃以上で熱処理する熱処理工程と、熱処理後において、原炭化珪素基板１０に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層５０を残して、低転移欠陥炭化珪素層５０上の熱処理生成物６０を除去する熱処理生成物除去工程とを有してなる半導体基板１００の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を有さない多結晶アルミナからのサファイアへの変換方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯドープされた多結晶アルミナから構成されるセラミック物品を約８０質量ｐｐｍ〜約８０００質量ｐｐｍの酸化ホウ素でドープして、酸化ホウ素ドープされたセラミック物品を形成させ、酸化ホウ素ドープされたセラミック物品を、結晶粒成長を誘発し、かつ多結晶アルミナをサファイアに変換するのに十分な温度と時間で焼結させる。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で光活性の高い結晶面に配向した一次元構造のペロブスカイト型酸化物が基板に対して垂直方向に配向している機能性材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材と、該基材の表面に形成される被膜からなる機能性材料であって、前記被膜にペロブスカイト型酸化物の柱状物質を含み、前記柱状物質の長手方向がペロブスカイト型結晶の（１１０）方向に配向している機能性材料。
前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質が単結晶であり、また前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質の長手方向が基材に対して垂直方向に配向している機能性材料。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその製造装置並びにその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４’が固定されたサセプタ５’及び不活性ガス供給管６’を坩堝２’内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２’内に単結晶ＳｉＣ製造用原料７’を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４’上に供給して単結晶ＳｉＣ８’を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料７’がＳｉＣ粒子である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 結晶性のアルミン酸ストロンチウムナノチューブおよび結晶性アルミン酸ストロンチウムナノロッドならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 硝酸アルミニウム九水和物、硝酸ストロンチウム、尿素、ｎ−ブタノールおよび臭化セチルトリメチルアンモニウムの混合物の水溶液を圧力容器中で１１５〜１５０℃に１０時間以上加熱して非晶質アルミン酸ストロンチウムナノチューブを生成させた後、さらに、該ナノチューブを１２５０〜１３５０℃に３〜１０時間加熱して外径１５０〜２００ｎｍの結晶性アルミン酸ストロンチウムナノチューブを製造する。あるいは上記水溶液を圧力容器中で１６０〜２００℃に１０時間以上加熱して直径５０ｎｍ以下の非晶質アルミン酸ストロンチウムナノロッドを生成させた後、上記と同様に加熱処理して、結晶性アルミン酸ストロンチウムナノロッドを製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛膜の結晶化処理の低温化、処理時間の短縮化を図る。
【解決手段】基材Ｗに酸化亜鉛膜ｆをスピンコート法やプラズマＣＶＤ等で成膜する。この基材Ｗを温調手段４０で３５０℃程度に加熱、温調しながら、酸素と窒素の混合ガス等からなる結晶化用処理ガスをプラズマ照射手段１０にてプラズマ化し、このプラズマを基材Ｗに照射する。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】｛１ −１ ０ ０｝面と直交し且つ｛１ １ −２ ０｝面との面間角が１５°〜４０°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の＜０ ０ ０ １＞軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大４０°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_２Ｏ_５とＫ_２ＣＯ_３の混合物にフラックスを添加し、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成する。フラックスとしてはＫＦが好ましく用いられる。固相法でありながらも低温で結晶育成が可能となり、結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 所定形状の球状半導体を低コストで製造することが可能な、球状半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】 球状半導体の形成材料を含む液滴２を吐出する液滴吐出装置１０と、吐出された液滴２を加熱することにより空中で硬化させる硬化装置３０と、硬化装置３０により形成された非晶質の球状半導体４にレーザ光を照射するレーザ照射装置５２を備え、結晶質の球状半導体６を形成する結晶化装置５０と、を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともＳｒ、Ｂｉ、Ｔａおよびランタノイド系元素Ａの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を８００℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式（１）
Ｓｒ_1-XＡβＢｉ_2+Y（Ｔａ_2-ZＮｂ_Z）Ｏ₉₊α・・・・・（１）
（式中、Ａは、ランタノイド系元素を表す。Ｘ、Ｙ、αは、それぞれ独立に０以上１未満の数を表し、Ｚは、０以上２未満の数を表し、βは、０．０９以上０．９以下の数を表す。）で表されるＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 高価で特殊なダイヤモンド製造用装置を使用しなくても、天然のダイヤモンドと同様の結晶構造を有したダイヤモンドが製造可能な方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイヤモンドの製造方法は、松や杉などの樹木を燃した際に生じるタールを釜に入れて加熱することにより、空消状の炭化物を製造する工程Ａと、工程Ａにて得られた空消状の炭化物を粉砕し、得られた粉砕物をヨウ化メチレンの中に投入して上澄み部分を除去し、ヨウ化メチレンに沈降した沈降物を取り出した後、水で洗浄し、当該沈降物の中から黒色の多面状結晶物だけを選別する工程Ｂと、工程Ｂで得られた多面状結晶物を、無色透明の結晶物となるまで加圧せずに常圧下で４００〜６００℃の温度にて加熱する工程Ｃを含み、１カラット程度の大きさのダイヤモンドを製造する場合の工程Ｃの加熱時間は約２年である。 （もっと読む）

【課題】 簡単な手段によって、高温実験用微小反応管や種々の一次元ナノ構造物を製造するための鋳型等として有用な単結晶α−アルミナナノチューブとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ₄Ｏ₄Ｃナノワイヤーを減圧雰囲気下で加熱してＣ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｃナノチューブを形成する第１工程と、この形成したＣ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｃナノチューブを空気雰囲気中で加熱する第２工程とを有することとする。 （もっと読む）

【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム及び／又は加熱により酸化アルミニウムに変換される酸化アルミニウム前駆体と、窒化アルミニウム及び／又は加熱により窒化アルミニウムに変換される窒化アルミニウム前駆体とを含む原料組成物を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】用いる基板の結晶格子間隔や配向方向によらずに所望の結晶配向性を有する誘電体薄膜を得ることができ、かつ誘電体薄膜を一方向にほぼ完全に結晶配向させることが可能なゾル−ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属化合物を含む誘電体前駆体溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体層を形成する工程と、誘電体前駆体層を乾燥する工程と、誘電体前駆体層を焼成する工程とを有する、ゾル−ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法において、前記誘電体前駆体層を乾燥する工程は、誘電体前駆体溶液に含まれる溶媒の沸点よりも高温で、かつ誘電体前駆体層の発熱反応が最大となる温度よりも低温で乾燥処理を行い、前記誘電体前駆体層を焼成する工程は、所定の速度で昇温させながら焼成を行う工程を含むことにより、一定方向への結晶配向性を有する誘電体薄膜を形成する。 （もっと読む）