【課題】気体スカベンジャー（スカベンジャーガス）の利点を生かして高いレーザー耐性を有する、ステッパーの光学系レンズとして有用なフッ化金属単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン製の断熱材壁８を有するフッ化金属単結晶育成炉を使用して、単結晶引上げ法により、フッ化カルシウムやフッ化マグネシウムなどのフッ化金属単結晶を育成するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記フッ化金属単結晶育成炉内をアルゴンやヘリウムなどの不活性ガス雰囲気とし、具体的には育成炉内の底部より不活性ガスを炉内に導入しつつ、テトラフルオロメタンなどのスカベンジャーガスを前記フッ化金属の融液１２中に供給するか或いは該融液１２の液面に吹き付けて、フッ化金属単結晶１３を成長せしめる。 （もっと読む）

【課題】成長方向（垂直方向）及び水平方向のいずれの部分においても結晶配向方位の傾きの小さいフッ化金属単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法などの坩堝中の原料溶融液面に上方から種結晶体を接触させ、該種結晶体と同じ結晶配向方位を有する結晶を成長させて、該種結晶体に由来する棒状部（a)、該棒状部よりも径の大きな円柱状の直胴部（b)、及び棒状部（a)と直胴部（b)とを繋ぐ拡径部（c)とを有する単結晶体を得るフッ化金属単結晶体の製造方法において、前記拡径部（c)の高さｈと、直胴部（b)の直径ｒとの比ｈ／ｒが０．３５以下、好ましくは０．２５以下となるように拡径部（c)を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハが大口径化された場合であっても、半導体デバイス製造時における熱処理において、スリップ転位の発生を抑制し、半導体デバイスの製造歩留の向上を図ることができるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハ１は、窒素濃度が５．０×１０^１３〜５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、半導体デバイスが形成される第１面２の無欠陥層２ａ厚さは２．０〜１０．０μｍであり、第１面２の無欠陥層２ａの内方に位置する第１面２から深さ１８０μｍまでの第１バルク層２ｂにおける酸素析出物密度は０．７×１０^１０〜１．３×１０^１０ケ／ｃｍ^３であり、第１面２に対向する第２面３の無欠陥層３ａ厚さは第１面２の無欠陥層２ａ厚さより小さく１．０〜９．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】黒鉛ルツボのＳｉＣ化、減肉（消耗）を抑制することで、長時間使用出来る黒鉛ルツボを提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容する石英ルツボを支持する黒鉛ルツボであって、少なくとも、円周方向に２つ以上に分割された黒鉛ルツボ本体と、該黒鉛ルツボ本体の底部を一体的に保持する受け皿とを有し、
更に、前記黒鉛ルツボ本体の少なくとも分割面の上端部に、分割面へのガスの流入を防止するための保護カバーを具備するものであることを特徴とする黒鉛ルツボ。 （もっと読む）

【課題】初期固体層率を、0を含む任意の値に制御して、所望の初期固体層率の下に単結晶成長を行うことができる溶融層法(DLCZ法)による単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内部に、単結晶用材料を装入する坩堝と、該坩堝の周囲に配設されたヒータと、前記坩堝を回転させる坩堝シャフトと、少なくとも前記チャンバの側壁に配設される断熱材と、前記チャンバの半径方向における前記坩堝シャフトの外側且つ前記ヒータの内側に位置し、前記坩堝を冷却する冷媒供給可能の冷却体とを備える、単結晶成長装置を用いて単結晶を成長するに当たり、冷却体への冷媒の供給並びに停止と、冷却体のチャンバの高さ方向の上下移動とを制御することにより、単結晶材料の初期固体層率を制御する。 （もっと読む）

【課題】歪の小さいサファイア単結晶インゴット、サファイア基板およびサファイア基板に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】坩堝１５に、酸化アルミニウムと、ケイ素、ゲルマニウムおよびスズの少なくとも１つの元素からなる添加元素の酸化物を含み酸化アルミニウムに対し重量濃度で３０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲に設定された添加物とを投入し、坩堝１５内にて酸化アルミニウムおよび添加物を溶融してアルミナ融液３５を得た後、坩堝１５内のアルミナ融液３５から、酸化アルミニウムおよび添加物を含み且つサファイアの単結晶構造を有するサファイアインゴット３０を引き上げる。このとき、引き上げられたサファイアインゴット３０では、酸化アルミニウムに対し添加元素の重量濃度が２ｐｐｍ〜８０ｐｐｍとなる。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法等の融液凝固法によりフッ化金属単結晶体を製造する方法において、真空紫外光領域での吸収の少ない単結晶体を再現性良く、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 原料フッ化金属溶融液に種結晶体を接触させて結晶成長を開始させるに先立ち、不活性ガス及び／又はフッ素系ガス雰囲気下で原料フッ化金属を溶融させた後、一旦、原料を凝固させ、系内の真空排気を行う。当該操作を行った後に種結晶体を接触させるための原料フッ化金属の溶融を行うことにより１４０〜１７０ｎｍ付近の吸収の極めて少ない単結晶体が再現性良く製造できる。種結晶体の接触及び結晶成長も不活性ガス及び／又はフッ素系ガス雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットの引き上げの時間が極めて長い場合でも内倒れや座屈を効果的に抑制することができるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げに用いるシリカガラスルツボ１であって、前記ルツボ１の壁が、前記ルツボ１の内面から外面に向かって、気泡含有率が０．５％未満である透明シリカガラス層と、気泡含有率が１％以上５０％未満である気泡含有シリカガラス層と、気泡含有率が０．５％以上１％未満であり且つＯＨ基濃度が３５ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ未満である半透明シリカガラス層を備えるシリカガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の製造において正しい温度条件で種結晶を着液させることが可能なシリコン単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】種結晶Ｓの鉛直方向における長さに基づいて種結晶Ｓを着液させる際のシリコン融液１の目標計測温度を決定し、種結晶Ｓをシリコン融液１の表面に近づけた状態で非接触温度計１７を用いてシリコン融液１の温度を測定し、目標計測温度と非接触温度計１７の計測値との差が所定値以下となった場合に種結晶Ｓをシリコン融液１に着液させる。種結晶の長さに基づいて着液時の目標計測温度を決定していることから、シリコン融液１が実際に適温となった状態で種結晶Ｓを着液させることが可能となる。これにより、着液に失敗する可能性が大幅に少なくなることから、生産性を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際、種結晶体と原料溶融液を接触させる以前に、該種結晶体の表面に黒色物質が付着した場合に、種結晶体を短くし過ぎてしまうことなく、該黒色物質を除去できる方法を提供する。
【解決手段】 結晶成長を開始させるための種結晶体１１６の原料溶融液１０４への接触に先立ち、種結晶体を降下させてその下端部を原料溶融液中へ浸漬させ、浸漬した種結晶体の少なくとも一部を溶融させた後、種結晶体と原料溶融液を非接触状態にさせる操作を少なくとも１回行う。 （もっと読む）

【課題】マルチ引き上げにおいてもシリコンインゴットの結晶性の悪化を抑制することができるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げに用いるシリカガラスルツボ１であって、前記ルツボ１の壁が、前記ルツボ１の内面から外面に向かって合成シリカガラス層、天然シリカガラス層、不純物含有シリカガラス層及び天然シリカガラス層を有するシリカガラスルツボが提供される。前記不純物含有シリカガラス層は、前記ルツボ１の底部３３での厚さが前記ルツボ１の側部での厚さよりも薄いか、前記ルツボの底部には形成されない。また、前記不純物含有シリカガラス層は、前記ルツボ１の側部３１およびコーナー部３２において、前記ルツボ１の壁の厚さの３０％〜７０％の厚さである。 （もっと読む）

【課題】抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶９を囲繞する熱遮蔽体１１がチャンバ１内に設けられた単結晶育成装置を用い、ドーパントとしてＳｂまたはＡｓを添加した原料シリコン融液６をチャンバ１内のルツボ２に貯溜し、チャンバ１内に不活性ガスを導入しながらチャンバ１内を減圧した状態で、ルツボ２内の原料シリコン融液６から抵抗率が０．０２Ωｃｍ以下のシリコン単結晶９をＣＺ法により引き上げ育成する方法であって、直胴部９ｃに続いてテイル部９ｄを育成する際に、チャンバ１内の圧力を直胴部９ｃの育成終了時よりも低下させる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を安定してより正確に測定することのできる遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりルツボ内の原料融液２に磁場を印加しながらシリコン単結晶を引き上げる際に、原料融液面上方に位置する遮熱部材４に基準反射体５を備え、遮熱部材４下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法であって、基準反射体５を、遮熱部材下端面４ａに設けられた凹部４ｂの内側に備え、遮熱部材４下端面４ａと原料融液面との間の距離Ａを実測し、基準反射体５の原料融液面に反射した鏡像の位置を定点観測機６で観測した後、シリコン単結晶引き上げ中に、鏡像の移動距離を定点観測機６で測定し、実測値と鏡像の移動距離から遮熱部材下端面４ａと原料融液面との間の距離Ａを算出する。 （もっと読む）

【課題】ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって育成するために必要不可欠な高い品質を有しており、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の格子定数と近似した値で、かつ熱膨張係数も近似した値を持ち、さらに工業的に有利なＣＺ法で育成できる組成式の単結晶基板を提供する。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長させるための単結晶基板であって、組成式Ｃａ_ｘＮｂ_ｙ１Ｔｉ_ｙ２Ｇａ_ｚＯ_１２（２．９＜ｘ＜３．１、０．９＜ｙ１＜１．１、０．９＜ｙ２＜１．１、２．９＜ｚ＜３．１）で表されるものであることを特徴とする単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】高品位のサファイア単結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いた単結晶インゴットの育成方法であって、種結晶を所定温度に加熱する種結晶加熱工程と、前記種結晶を原料融液に接触させた後、該種結晶を引き上げながらネック部を形成するネッキング工程とを具え、前記ネッキング工程は、前記種結晶を引き上げる際に、種結晶の先端表面上に育成される結晶が、縮径から拡径および拡径から縮径の少なくとも一方の径変化を１回以上経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶育成の際に少量の原料融液が漏れた場合でも、迅速に湯漏れ（融液漏れ）を検出できる単結晶製造装置、及び湯漏れ検出方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりルツボ５内に収容された原料融液４から単結晶を引き上げる際に使用する単結晶製造装置１であって、少なくとも、前記ルツボ５を支持する支持軸７に、該支持軸７の歪み量を測定する歪み量測定器１１を取り付け、前記歪み量測定器１１により支持軸７の歪み量を測定する。測定された支持軸７の歪み量からルツボ５内の原料融液量を算出し、原料融液量の減少量を求める。この原料融液量の減少量が、結晶成長による融液減少量よりも多い場合、この多い分の原料融液量が湯漏れとして検出される。 （もっと読む）

【課題】単結晶におけるピンホール欠陥の形成を妨げ、単結晶を引き上げる工程の際に有効である少なくとも１つの手段を含む方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを製造するための方法であって、るつぼ４内で加熱された溶融物から種結晶で単結晶８を引き上げるステップと、ある加熱パワーでるつぼ底部の中央に熱を与えるステップとを備え、単結晶８の円筒部分が引き上げられる過程において、加熱パワーは少なくとも１回２ｋＷ以上に上げられ、次に再び下げられ、さらに引き上げられた単結晶８から半導体ウェハを切断するステップを備える。 （もっと読む）

【課題】デフォーカスや発塵を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｐ型半導体基板１０の外周部の一部にオリエンテーションノッチ３２を形成する。ｐ型半導体基板１０の裏面にオートドープ防止膜３４を形成する。オリエンテーションノッチ３２及びオートドープ防止膜３４を形成した後に、ｐ型半導体基板１０の表面にｐ型又はｎ型の半導体層３６をエピタキシャル成長させる。オリエンテーションノッチ３２の近傍におけるｐ型半導体基板１０の外周とオートドープ防止膜３４との間隔を、オリエンテーションノッチ３２の近傍以外におけるｐ型半導体基板１０の外周とオートドープ防止膜３４との間隔よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】熱輻射シールドの内側にパージチューブが設置されている場合であっても液面レベルを正確に測定する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げ装置１０は、チャンバ１１内においてシリコン融液を支持するルツボ１２と、ルツボ１２内のシリコン融液を加熱するヒータと、ルツボの上方に配置された熱輻射シールド１６と、熱輻射シールド１６の内側に設けられた不活性ガスの整流する略円筒状のパージチューブ１７と、シリコン融液１の液面に映る熱輻射シールド１６の鏡像をパージチューブ越しに撮影するＣＣＤカメラ１８と、熱輻射シールド１６の鏡像の位置からシリコン融液の液面レベルを算出する液面レベル算出部３１と、シリコン融液の液面レベルと鏡像の位置との関係を示す換算テーブルを作成する換算テーブル作成部３２とを備え、液面レベル算出部３１は、換算テーブルに基づいて液面レベルを算出する。 （もっと読む）

【課題】Ｈａｚｅ、表面粗さなどの表面品質が改善された、（１１０）基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、（１１０）面を＜１１２＞方向に０．１°以上、８°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する工程と、該準備したシリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させる工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）