【課題】デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するシリコンウェーハを高い生産性を以て製造する方法を提供する。
【解決手段】設定抵抗率に応じてドーパントを添加してシリコンインゴットをチョクラルスキー法により成長させ、該シリコンインゴットをスライスして前記設定抵抗率を有するシリコンウェーハを製造するに当たり、設定抵抗率毎に、シリコンウェーハを供するデバイス作製工程における熱処理後の該シリコンウェーハの熱処理後抵抗率のウェーハ厚み方向のプロファイルを、複数のシリコンインゴット酸素濃度において予め求めておき、前記プロファイルにおいて、熱処理後抵抗率がピークとなる深さまでのウェーハ表面からの厚みが、デバイスのチップ形成領域より厚いプロファイルを有する、酸素濃度となる条件にてシリコンインゴットの成長を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】耐久性ならびにルツボの安定支持性を向上させ、充分な単結晶化率を得ることのできるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】第一の曲率を有する底部と、前記底部の周りに形成され、第二の曲率を有する底部コーナーと、底部コーナーから上方に延びる直胴部を有するシリカガラスルツボにおいて、ルツボ上端から直胴部、及び底部と底部コーナーとの間の曲率変化点Ｐを基準とする所定範囲までが、結晶化促進剤添加シリカガラスからなる外層２と天然原料シリカガラスからなる不透明中間層３と天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層４で形成された３層構造とからなり、底部が、天然原料シリカガラスからなる不透明外層５と天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層４で形成された２層構造とからなり、外層２は境界部Ｋからルツボ上端側の結晶化促進剤の添加濃度が、境界部Ｋから底部側よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理時のウェーハの撓みを抑制し、スリップ転位の発生及びウェーハ表面へのパーティクルの付着を防止することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハの裏面の外周領域をサポートリングにより支持し、前記シリコンウェーハの外周縁から中心に向かって５ｍｍの位置である外周部の温度が、該シリコンウェーハの中心部の温度よりも４℃以上３０℃以下の範囲で高く、かつ、該シリコンウェーハの外周縁の温度が、前記外周部の温度よりも低くなるように、前記シリコンウェーハの面内温度を制御しながら熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、高温でのサスセプタと石英るつぼとの反応により発生する酸化ケイ素、一酸化炭素及び／又は二酸化炭素などの放出ガスを効果的に排気する方法およびサスセプタを提供する。
【解決手段】シリコンチャージが溶融する石英るつぼを保持するためのサスセプタ４４は、その下部でるつぼを受け入れるようなサイズの概ねボウル形の構造であり、前記構造が、るつぼの上部の上方へ延びる内面５２を有し、前記構造の前記内面５２に複数の溝４６，４８，５０が形成されてなり、前記複数の溝４６，４８，５０を通じて、前記サスセプタ４４および前記るつぼが加熱されるときにるつぼの外面から放出されるガスが上昇し、上方の開放端開放端から放出される。前記の溝および開放端は石英るつぼ外面に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置で、ドーパントが高濃度で添加された低抵抗率のシリコン単結晶を引き上げる際に炉内及び排気管内に付着した活性シリコン酸化物を、前記装置の解体・清掃前に効率的に酸化燃焼させて除去するシリコン単結晶引上装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】炉内に配置されたルツボ内に保持されたシリコン融液１０からシリコン単結晶１２を引き上げた後、シリコン単結晶１２を前記炉内から取り出し、前記炉内及び排気管１５内に大気を供給しつつ、排気管１５内から前記大気を強制排気する。 （もっと読む）

【課題】分割された黒鉛ルツボを具備する単結晶製造装置を用いて単結晶を引き上げる際、特に低速の回転速度で引上げる場合にも、ヒーター温度を正確に検出し、ヒーター出力を安定して制御することができる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により、前記黒鉛ルツボ及び前記石英ルツボを回転させ、前記ヒーターの温度を測定し、該測定したヒーターの温度を基に前記ヒーターの出力を制御しながら、前記石英ルツボ中の原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、前記ヒーターの温度を、前記回転する黒鉛ルツボの分割部と対応する円周方向の角度位置に同時に一致しない２以上の測定位置で測定して検出し、該測定したヒーターの温度の２以上の検出値を基に前記ヒーターの出力を制御しながら、前記単結晶を引き上げる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】コドープを行うに際し、シリコン単結晶の育成中であっても液面振動を抑制してドーパントを添加することが可能であるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１０は、シリコン融液１６の上方に配置された熱遮蔽体２０と、熱遮蔽体２０の外周側及びシリコン融液１６の液面から離間して配置され、シリコン単結晶Ｉｇとルツボ１４の内壁との間のシリコン融液１６の液面第１位置１６ａ上に液相ドーパントを供給する第１供給管５２と、液面第１位置１６ａとシリコン単結晶Ｉｇとの間の液面第２位置１６ｂ上に気相ドーパントを供給する第２供給管５４と、を有するドーパント供給部５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】ネック部に拡径部と縮径部とを交互に形成して、品質の安定した単結晶を引き上げ可能とし、且つ、種結晶から直胴部への転位化を防止することのできる単結晶引上装置及び単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】育成されるネック部の径を測定するネック径測定手段と、前記ネック径測定手段から得られたネック部の測定値と、記憶手段に予め記憶したネック部径の狙い値との差分に基づき、種結晶の補正された第一の引上速度を出力する第一の引上速度補正手段２１，２２と、前記第一の引上速度の上限を第一の制限値に制限した、第二の引上速度を出力する第二の引上速度補正手段２３と、少なくとも前記引上速度の上限が前記第一の制限値に制限されている間、ルツボの回転数を低下させるルツボ回転数補正手段２４，２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】直胴部と受け皿部との境界部分からのＳｉＯガスの漏洩を防止し、ＳｉＣ化の早期進行を防止するようにしたカーボン製ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン等の金属単結晶引上げ装置に使用される石英ルツボ４を保持するためのカーボン製ルツボ５であり、直胴部９と受け皿部１０とが分割されて構成されている。石英ルツボ４とカーボン製ルツボ５との間には、カーボン製ルツボ５の内面の、少なくとも直胴部９と受け皿部１０との境界部分Ａを覆うように、黒鉛質シート１１が配置されている。黒鉛質シート１１は膨張黒鉛シートである。 （もっと読む）

【課題】フッ化金属単結晶のアズグロウン単結晶体について、引き上げ後の冷却を短時間とした場合においても、割れを生じることなく切断加工可能な切断方法を提供する。
【解決手段】アズグロウン単結晶体１の一方側の軸端部を含む部分５，７をセメント硬化体１０で被覆し、セメント硬化体１０で被覆されている部分を回転可能に保持し、単結晶体１をセメント硬化体１０と一体的に且つ単結晶体１の軸Ｌを中心として回転させながら、単結晶体１のセメント硬化体１０で被覆されていない部分に切断刃３０を単結晶体１の軸方向に対して直角方向且つ単結晶体１の内部に向かって移動させて第一刃の切断を行うと共に、切断刃３０による切断に際しては、切断刃３０と単結晶体１との当接位置を、当接位置とセメント硬化体１０で被覆されていない単結晶体の端部からの距離Ｄが、単結晶体１の全長Ｌの２０乃至６０％となるように設定し、且つ切断刃３０の移動を間欠的に行う。 （もっと読む）

【課題】網状体の寿命の向上、石英ルツボからの外れ易さ、網状体への食い込み防止等に加えて、特に、融液の流れの乱れに起因した金属結晶の品質の低下を防止することができるルツボ保持部材を提供する。
【解決手段】直胴部９と受け皿部１０とが組み合わされ、金属単結晶引上げ装置に使用される石英ルツボ４を保持するルツボ保持部材であって、直胴部９は、炭素繊維強化炭素材から成り網状に織り込まれた網状体で構成され、石英ルツボ４と直胴部９との間には、少なくとも直胴部９の内面全体を覆うように黒鉛質シート１１が配置されている。黒鉛質シート１１は膨張黒鉛シートであるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】原料融液を収容するルツボ周囲の保温効果を高め、かつルツボの外側に配置された加熱ヒータの発熱量を抑制しても、半導体単結晶の成長速度の高速化と品質の安定化を十分に図ることができる半導体単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ルツボ１１ａ、１１ｂと、その周囲に配置された加熱ヒータ１２とを具備する半導体単結晶の製造装置であって、前記育成炉本体１９ａ内の前記加熱ヒータ１２の周囲に保温筒２１が配置されており、該保温筒２１は内側面に上部と下部とを分ける段差部２１ａを有し、前記下部２１ｂの内径が前記上部２１ｃの内径よりも大きいものであり、前記育成炉本体１９ａ内において前記加熱ヒータ１２の下方かつ前記保温筒２１の下部の内側に断熱板２２が配置されており、該断熱板２２の外径が、前記保温筒２１の上部の内径よりも大きく、かつ前記保温筒２１の下部の内径よりも小さいものである半導体単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】変形及び転位が抑制され、且つテール部が省略されたシリコン単結晶を製造し得る、シリコン単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造方法は、磁場中心Ｌ２における磁束密度が１０００ガウス以上２０００ガウス以下である水平磁場を印加しつつシリコン単結晶２の直胴部４を成長させた後、融液３２の液面に対するシリコン単結晶の相対的な引上げ速度を０ｍｍ／分にし、その後、シリコン単結晶の見かけの重量が減少するまで、その停止状態を維持し、さらに停止状態を維持して、融液に接するシリコン単結晶の成長面全体をシリコン単結晶の引上げ方向と反対方向に凸形状にした後、融液から単結晶を切り離す。 （もっと読む）

【課題】一般の黒鉛材料などの他部材と共に使用しても熱膨張差等の相互作用による割れが発生しにくく、反応性ガスによって炭化物が生成されても熱応力の発生による剥離及び／又は割れの生じにくいＣ／Ｃ複合材を提供する。
【解決手段】炭素繊維１と炭素質マトリックス２とを含む炭素繊維強化炭素複合材であって、前記炭素繊維は前記炭素質マトリックス内で素線状態で存在する、平均繊維長が１．０ｍｍ未満の直線状繊維であり、炭素繊維強化炭素複合材の嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする炭素繊維強化炭素複合材。 （もっと読む）

【課題】大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。
【解決手段】炉内に原料フッ化金属と固体含金属スカベンジャとを収容し、炉内を昇温し原料フッ化金属を溶融させ、次いで溶融したフッ化金属を単結晶化するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記固体含金属スカベンジャを、原料フッ化金属の融点以上の温度に保持される炉内の高温部位と、溶融したフッ化金属を単結晶化する工程を通じて、固体含金属スカベンジャの融点以上乃至原料フッ化金属の融点未満、例えば「原料フッ化金属の融点−１５０℃」以下の保持される炉内の低温部位とに分割して収容、好ましくは、低温部位／高温部位の質量比率が０．３〜１．０となるように収容することを特徴とするフッ化金属単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大きなベルデ定数を有し、クラックの発生を十分に抑制でき且つ大型化が可能なファラデー回転子用ガーネット型単結晶及びそれを用いた光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記一般式で表されることを特徴とするファラデー回転子用ガーネット型単結晶。
（Ｔｂ_３−ｚＬ_ｚ）（Ｓｃ_{２−ｘ−ｙ}Ｍ_ｘＮ_ｙ）Ａｌ_３Ｏ_１２−ｗ
（式中、Ｍは４価イオン、Ｎは２価イオンを表し、Ｌは、Ｍ，Ｎ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種を表し、ｘ，ｙ，ｚ及びｗは下記式を満たす。０＜ｘ＜０．３、０＜ｙ＜０．３、０＜ｘ＋ｙ＜０．６、０≦ｚ＜０．３、０≦ｗ＜０．５） （もっと読む）

【課題】高強度でかつ耐熱性の高いＣ／Ｃ複合材からなるＣ／Ｃ複合材成形体を提供する。
【解決手段】炭素繊維１と炭素質マトリックス２とを含むＣ／Ｃ複合材成形体１００であって、このＣ／Ｃ複合材成形体は、表面が３次元曲面１００ａあるいは複数の面１００ａ，１００Ｔの組み合わせで構成され、全体の組成が均一である連続体からなる殻状構造体３であり、炭素繊維１は、その長手方向が表面に沿って配向していることを特徴とするＣ／Ｃ複合材成形体。 （もっと読む）

【課題】全ウェハ体積中の安定ＢＭＤ核の密度が著しく低下したシリコンウェハと該シリコンウェハの製造方法とを提供する。
【解決手段】５×１０¹⁷から７．５×１０¹⁷ｃｍ^-3の酸素濃度を有するシリコンウェハであって、代替的に行なわれる、以下の熱プロセスの後に、
７８０℃で３時間、その後１０００℃で１６時間の処理後に、最大で１×１０⁸ｃｍ^-3のＢＭＤ密度、および
シリコンウェハを１Ｋ／分の加熱速度で５００℃の開始温度から１０００℃の目標温度に加熱し、その後１０００℃で１６時間保持した後に、少なくとも１×１０⁹ｃｍ^-3のＢＭＤ密度、を有するシリコンウェハと、閃光照射による上記シリコンウェハの製造方法とを提供する。 （もっと読む）