【課題】表層にＲＩＥ欠陥がなく、かつライフタイムが十分長いシリコン基板の製造方法及びシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の温度で１〜６０秒保持して急速熱処理を施した後、６００〜８００℃の範囲の温度まで降温速度５〜１５０℃／ｓｅｃで一段目の降温工程を行い、その後、冷却時間Ｘ秒と降温速度Ｙ℃／ｓｅｃが、Ｘ＜１００の場合はＹ≦０．１５Ｘ−４．５を、Ｘ≧１００の場合はＹ≦１０を満たすように二段目の降温工程を行うシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭素がドープされたシリコン単結晶の育成時において、単結晶内に不純物が取り込まれてしまうことを抑止し、容易にかつ低コストで高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコン原料融液を保持するためのルツボと、ルツボ内を加熱するための加熱手段とを有する単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法によりルツボ内に固形炭素ドープ剤を入れて、炭素をドープしたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱処理工程と、ルツボ内でシリコン原料を溶融して原料融液とするとともに、ルツボ内に加熱処理された固形炭素ドープ剤を入れて溶融する原料溶融工程と、原料融液から炭素ドープさせたシリコン単結晶を引上げ、育成する引上げ工程とを含むことを特徴とする炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボ３内に収容した原料７及び液体封止材８を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶４を接触させつつ該種結晶を引上げて成長結晶１１を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部１１ａにガス吹き付け装置１２によって窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を８〜１５℃／ｍｍに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く製造する。 （もっと読む）

【課題】 中性子線に対する感度が高く、かつγ線に由来するバックグラウンドノイズが少ない中性子検出用シンチレーターに好適なコルキライト型結晶、当該結晶からなる中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器を提供する。
【解決手段】 アルカリ金属元素を含有し、且つ^６Ｌｉの同位体比が２０％以上であるコルキライト型結晶（例えばＮａを含有するＬｉＣａＡｌＦ_６等の結晶）、及び当該コルキライト型結晶からなる中性子検出用シンチレーターならびに中性子線検出器である。 （もっと読む）

【課題】 不慮の事故等でルツボ内の原料融液がルツボ外に流出し、ペデスタルに沿って流れ落ちた場合であっても、ペデスタル下方の金属部に融液が達するのを確実に防ぎ、装置の損傷や事故の発生を未然に抑制できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボを支持し、昇降可能であるペデスタルと、該ペデスタルを介して前記ルツボを回転させるためのルツボ回転軸と、前記ルツボの下方に配置され、前記ペデスタルを囲繞するようにセンタースリーブが設けられた湯漏れ受けを具備するＣＺ法による単結晶製造装置であって、前記ペデスタルの外周部に、前記ルツボから漏れ出した前記原料融液が滴り落ちることを抑止するための溝が２以上設けられたものであることを特徴とする単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】粒状多結晶シリコンの製造において、粉塵成分を減少させて、粒状多結晶シリコン中において許容し得る最大の粉塵成分を特定する、改善されたシステムの提供。
【解決手段】粒状多結晶シリコンＧＰから粉塵成分Ｄを引き離すための減圧ソースＶ、対向する第１の端部および第２の端部、粒状多結晶シリコンＧＰを通過させるための前記第１の端部における多結晶シリコン通路、および前記減圧ソースＶに連絡する減圧ポート５９を有してなるプロセス容器Ｐ、ならびに前記プロセス容器Ｐからの粒状多結晶シリコンＧＰを受け入れるためのコンテナ９１を有し、前記プロセス容器Ｐから粒状多結晶シリコンＧＰを注ぐために前記プロセス容器Ｐを直立した状態から回転させる際に、粒状多結晶シリコンＧＰが前記減圧ポート５９を塞ぐことがないように、前記減圧ポート５９は前記プロセス容器Ｐにおける第２の端部に隣接して配置されているシステム。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１を保持する黒鉛ルツボ２は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材３と、黒鉛ルツボ基材３の表面全体に形成されたフェノール樹脂の炭素化物からなる被膜４とから構成されている。フェノール樹脂は黒鉛ルツボ基材３表面に存在する開気孔５の内部まで含浸されている。被膜４の形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１を保持する黒鉛ルツボ２は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材３と、黒鉛ルツボ基材３の表面全体に形成された熱分解炭素被膜４とから構成されている。被膜４は黒鉛ルツボ基材３表面に存在する開気孔の内面まで生成されている。この被膜４はＣＶＩ法によって形成されたものである。被膜４形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】高周波誘導加熱によりるつぼ内のサファイア粉末を溶解させてサファイア単結晶を引き上げ成長させる装置において、るつぼの低価格化を図る。
【解決手段】サファイア単結晶引上成長装置において、るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品により形成し、加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の内周面および外周面に筒形状の軸方向に沿って延長する複数の溝を形成し、複数の溝は、加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の周面に対して、外周面の溝と内周面の溝とが互いに交互にずれて位置するように配置した。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル欠陥がテイル部付近の直胴部で発生することを防止できる窒素ドープエピウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法にて窒素ドープしたシリコン単結晶を引き上げる際に、引上速度Ｖ［ｍｍ／ｍｉｎ］と、融点〜１３５０℃までの結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇ［℃／ｍｍ］との比をＶ／Ｇ［ｍｍ^２／℃ｍｉｎ］≧０．２５に設定し、かつ、８００〜７５０℃の温度領域の冷却速度Ｃｖ≧１．７℃／ｍｉｎとする。 （もっと読む）

【課題】大口径に対応可能なＣＺ法で製造したＶ領域のウェーハを用いて、バルク中の欠陥を無欠陥とし、さらに中性子照射を行わなくても、中性子照射を行った場合と同程度の面内抵抗率分布とすることにより、ＩＧＢＴ向けに適用可能な低コストのシリコン単結晶ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたＶ領域のシリコン単結晶インゴットから得られた酸素濃度７ｐｐｍａ未満、窒素濃度１×１０^１３〜１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のシリコン単結晶ウェーハに対して、非窒化性雰囲気下、１１５０〜１３００℃で、１〜１２０分の熱処理を行うことにより、バルク中の１５ｎｍ以上の結晶欠陥の密度が２×１０６／ｃｍ３以下となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液表面の、特に種結晶着液前の温度を高精度に測定可能な測定方法及び放射温度計を提供し、また、種結晶の着液前の温度を高精度に測定して無転位のシリコン単結晶を安定して製造できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液３に種結晶１６を着液する前に、放射温度計１を用いてシリコン融液３からの波長が８００〜１３５０ｎｍの範囲内の放射光を選択して強度を測定することによってシリコン融液表面の温度を測定しながらシリコン融液の温度を調整し、測定したシリコン融液表面の温度が所定の温度となった時にシリコン融液に種結晶１６を着液することを特徴とするチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液４を収容するルツボ２、前記原料融液４を加熱するヒーター３、冷却媒体によって強制冷却される冷却筒１６及びこれらを収容する冷却チャンバー１２ａを有する単結晶製造装置１であって、前記原料融液４と引上げ中の単結晶５との界面近傍において、前記引上げ中の単結晶５を囲繞するように、断熱材を有する遮熱部材１５が配置され、該遮熱部材１５の上方に、前記引上げ中の単結晶５を囲繞するように前記冷却筒１６が配置され、該冷却筒１６を囲繞するように、前記冷却筒外周との間に空隙を設けて冷却筒外周断熱材１４が配置された単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】内表面の状態（ルツボ内表面特性）などが適切に制御されたシリカガラスルツボを製造する。
【解決手段】回転するモールド１０内で、シリカ粉末からなるシリカ粉層１１を複数本の炭素電極１３によるアーク放電で加熱熔融し、シリカガラスルツボを製造する方法であって、上記シリカ粉層１１の複数箇所について、加熱熔融時における最適熔融温度を予め求めておく予備工程と、上記複数箇所の加熱熔融時の実温度を測定する温度測定工程と、上記最適熔融温度になるように、上記複数箇所の上記実温度を制御する温度制御工程とを有するシリカガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なｐ型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。結晶中心部の冷却速度に対する結晶エッジ部の冷却速度の比を１．４以上２．０以下にすることにより、生産性を維持しつつ引上中心軸と垂直な断面における比抵抗変化率を３％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】低酸素濃度のシリコン単結晶において、Ｌ／Ｄ領域およびＢ−ｂａｎｄ領域を高感度に検出し得る手段を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶の検査方法。一態様は、チョクラルスキー法により育成された格子間酸素濃度（旧ＡＳＴＭ）が１２Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ³未満のシリコン単結晶インゴットから切り出されたサンプルの表面を銅で汚染すること、上記汚染後のサンプルに、７００℃以上８００℃未満の温度域で５分間以上加熱した後に該温度域から２．５℃／分を超える降温速度で急冷する加熱冷却処理を施すこと、上記加熱冷却処理後の前記サンプル表面を選択エッチングすること、上記選択エッチング後のサンプル表面のピットが局在している領域をＬ／Ｄ領域として特定すること、を含む。他の態様は、異なる処理を施した２つのサンプルの対比結果からＢ−ｂａｎｄ領域を特定することを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ装置において、生じる可燃性の粉塵を処理可能な排気システム及び粉塵の処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置に接続された排気管路と、前記排気管路を通して前記引き上げ装置に供給された不活性ガスを吸引する真空ポンプと、前記真空ポンプの手前で前記排気管路に配置され、前記真空ポンプによって排気されるガスを手前で処理するフィルタと、を備えた単結晶引き上げ装置の排気システムであって、前記フィルタは雰囲気ガスの成分に応じて加熱可能なヒータを備えることを特徴とする。これにより、未燃焼の可燃性の粉塵を十分に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボ製造時の熔融状態を制御して、シリコン単結晶製造時のルツボ内表面のブラウンリング発生を防止し、湯面振動を抑制するシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボ製造方法は、原料シリカ粉をルツボ成形用のモールド内に成形し、そのシリカ粉層をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボを製造する方法であって、原料シリカ粉を前記モールド内部に供給してシリカ粉層を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極によるアーク放電でシリカ粉層を熔融するアーク熔融工程とを有し、前記アーク熔融工程では、シリカ粉層の内表面に設定した複数の測定点の温度を測定し、各測定点にて熔融の初期に現れる最初の温度の極大点Ｔｐを検知する。 （もっと読む）

【課題】機器破損等を防止しながら、堆積したＳｉＯ微粉の燃焼を行い、安定して単結晶の製造を実施できる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー（ＣＺ）法により、単結晶製造装置１内からドライ真空ポンプ３により不活性ガスを排出しながら、単結晶インゴットを引き上げる単結晶の製造方法であって、前記ドライ真空ポンプ３以降のラインに、１〜２日に一回の頻度で大気を導入して前記ライン内のＳｉＯ微粉を燃焼させる単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】内表面の状態（ルツボ内表面特性）などが適切に制御されたシリカガラスルツボを製造する。
【解決手段】回転するモールド１０内で、シリカ粉末からなるシリカ粉層１１を複数本の炭素電極１３によるアーク放電で加熱熔融し、シリカガラスルツボを製造する方法であって、上記シリカ粉層１１、上記熔融時に発生するヒューム、上記アーク放電で生じるアーク火炎からなる群より選ばれる１以上について、加熱熔融時における最適温度を予め求めておく予備工程と、最適温度が求められた上記群より選ばれる１以上について、加熱熔融時における実温度を測定する温度測定工程と、実温度が測定された上記群より選ばれる１以上について、最適温度になるように、実温度を制御する温度制御工程とを有するシリカガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）