【課題】比抵抗のばらつきが小さいｎ型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型シリコン単結晶の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのリンと、ｐ型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第１の副ドーパントと、ｎ型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第２の副ドーパントとが添加されたシリコン融液が準備される工程Ｓ１、シリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶が成長される工程Ｓ２、および、直胴部を所定の長さまで成長させた後、ルツボを降下させることによってシリコン融液からシリコン単結晶を切断する工程Ｓ３からなる。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度の面内均一性を高めることができ、更には、ＢＭＤサイズの面内均一性も高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して前記第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、９００℃以上１２００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して前記第２の最高到達温度を保持した後、降温する第２の熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ１２ｂ中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値（Ｃｍａｘ）と最小値（Ｃｍｉｎ）の比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）が１．００以上１．０７以下であり、炭素濃度が１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲内のものである。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引上速度を向上して結晶欠陥の発生を抑制し、且つ、結晶の有転位化を抑制できる単結晶引上装置の輻射シールドを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶Ｃを包囲するようにルツボ上方に配置される輻射シールド６であって、円筒状の直胴部６ｂと、前記直胴部の下端から内側に湾曲し、下端部開口６ａを形成する下肩部６ｃとを有し、前記下端部開口の周縁部において、周方向の所定位置に、所定幅をもって径方向に突出すると共に、高さ方向に所定の厚さ寸法を有する熱遮蔽部材１０を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度、ＢＭＤサイズの面内均一性を高めることができ、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、７００℃以上９００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して保持した後、非酸化性ガス雰囲気中、第２の最高到達温度から１１００℃以上１２５０℃以下の範囲内の第３の最高到達温度まで昇温して第３の最高到達温度を保持した後、降温する。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造時のように２０００℃以上の高温での使用環境下において、開封部の形状変化を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンを主成分とするルツボ本体部とルツボ本体部の側壁部５に融点２１００℃以上の金属または合金からなるリング状補強部材３を具備するルツボ１であって、前記リング状補強部材３は、タングステンまたはタングステンを主成分とする合金からなることが好ましく、また、ルツボ本体部の高さＬ１とリング状補強部材の高さＬ２の比（Ｌ２／Ｌ１）が０．００１〜１であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属坩堝を１０００℃以上の高温で使用するための坩堝炉において、高温時の坩堝近傍の雰囲気を制御すると共に、ルツボ内の温度制御の精密化、ルツボの長寿命化が可能となる坩堝炉を提供する。
【解決手段】１０００℃以上の高温において、金属坩堝４中で化合物の処理を行うための坩堝炉であって、坩堝４の周辺に耐熱性で着脱可能な薄い緻密質セラミックスからなる第一のスリーブ１を置き、該第一のスリーブ１の外側に断熱材からなる第二のスリーブ２並びに加熱装置３を置いたことを特徴とする坩堝炉である。 （もっと読む）

【課題】 偏光照明露光装置の偏光材料として要求される結晶性が良く、かつ、光を透過させる主軸方向が＜１００＞方向であるＭｇＦ_２単結晶体からなる光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でＭｇＦ_２単結晶体を製造するに際し、種結晶体として、＜１００＞軸が、鉛直方向から＜００１＞方向に向かって７°乃至４５°、好ましくは７°乃至１５°傾いた種結晶体を用いる。傾けた種結晶体を用いることにより、育成される単結晶体の軸方向も同じ角度で傾いたものとなるが、このようにして育成された単結晶体の結晶性は、育成方向を＜００１＞軸方向とした場合と遜色ない結晶性を示す。また育成方向を＜００１＞軸方向とした場合に比べて、｛１００｝面からなる平行２面を有する板状体の取得効率がよい。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータ用ファラデー回転子として用いられるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）を主成分とする常磁性ガーネット結晶（組成式Ｔｂ_３Ｇａ_５Ｏ_１２）をチョクラルスキー法によって容易に製造できるＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶育成におけるシーディング方法において、種結晶として、ＴＧＧと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が１７５０℃以上、かつＴＧＧとの格子定数差が±３％以下である結晶を用いることを特徴とするＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法により提供する。本発明によれば、Ｃｚ法によって結晶を引き上げる際に、融点及びＴＧＧとの格子定数差が特定の種結晶を用いるので種結晶の溶解という問題が生じないので、シーディングの成功率が高くなり、高品質なＴＧＧ結晶が育成できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、前記インナーシールドは、下端部で炭素繊維断熱材からなる支持部材によって直接支えられたものであることを特徴とする単結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ法によりｃ軸サファイア単結晶を引き上げる際に、該単結晶の肩部及び直胴上部に泡群が生じない製造方法を提供する。
【解決手段】 直胴部直径Ｄのｃ軸サファイア単結晶の製造方法において、拡径部（肩部）の形成時における拡径部結晶直径をｄ［ｍｍ］、結晶引き上げ速度をＬ［ｍｍ／ｈ］、拡径部半径増加速度をφ_ｒ［ｍｍ／ｈ］としたとき、０．６≦ｄ／Ｄ＜１．０にある間は、φ_ｒ＜７．０ｍｍ／ｈ、かつＬ^３×φ_ｒが５５以下の範囲を維持するよう、結晶引き上げ速度及び拡径部半径増加速度を調整し、結晶直径Ｄに到達後は、所望の直胴長の単結晶体を継続して引き上げることにより、ｃ軸方位のサファイア単結晶体を得る。該製造方法により得られるサファイア単結晶体の肩部及び直胴上部には泡群が形成される確立が極めて低く、該サファイア単結晶体からのＬＥＤ用サファイア単結晶基板の取得率を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制し、ＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させ、サーマルドナーの発生も抑制することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により窒素ノンドープにてＶ−リッチ領域を有する酸素濃度が０．８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、Ｖ−リッチ領域からなる円板状のウェーハを作製する工程と、平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、不活性ガス含有雰囲気中、１１００℃以上１２５０℃以下の最高到達温度で、３０分以上２時間以下保持する第１の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上１０時間以下保持する第２の熱処理をする。 （もっと読む）

【課題】炭素ドープシリコン単結晶の引き上げ時の有転位化を効果的に抑制して、歩留まりを向上させることができる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶の引き上げにおいて、シリコンの融点から１４００℃の間の引き上げ軸方向の結晶温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した時、少なくとも固化率が２０％までは、Ｇの値が１．０〜３．５［℃／ｍｍ］で、かつ、前記シリコン単結晶の成長中の固液界面の径方向面内中心部のＳｒｃｓ値（ｖｏｎ Ｍｉｓｅｓ相当応力［Ｐａ］を、結晶温度１４００℃におけるＣＲＳＳ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｒｅｓｏｌｖｅｄ Ｓｈｅａｒ Ｓｔｒｅｓｓ）［Ｐａ］で割った値）が０．９以下になるようにシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、
前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、
前記インナーシールドは、支持部材によって前記メインチャンバーの天井から吊るされたものであることを特徴とする単結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】４００℃を越える高い温度範囲でも使用することができ、さらにその抵抗率の温度依存性が小さい高温領域圧電素子用材料を提供する。
【解決手段】ＲＥ_３Ｇａ_５−ｘＡｌ_ｘＳｉＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５）、ＲＥ_３Ｔａ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）及びＲＥ_３Ｎｂ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）からなる群から選択される組成を有し、１００℃〜６００℃の範囲の抵抗率変化が１０^４以下であることを特徴とする。酸化性ガスを含む不活性ガス雰囲気中で溶液から単結晶を育成し、次いで、不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率（ｚ）を、前記育成工程における酸化性ガスのモル分率よりも低下させて冷却を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ＣＴ装置のような放射線検出に用いるシンチレータにおいて、クロストーク防止のための隔壁形成を不要とする光導波機能を有する一方向性相分離構造からなるシンチレータを提供する。
【解決手段】本発明のシンチレータは、一方向性を有する複数の柱状晶からなる第一の結晶相と、第一の結晶相の側面を埋める第二の結晶相とからなる相分離構造を有し、前記第二の結晶相がＣｓ_３Ｃｕ_２〔Ｘ_ａＹ_１−ａ〕_５であらわされ、ＸとＹは異なる元素であるとともにＩ、Ｂｒ、Ｃｌから選択され、かつ０≦ａ≦１の範囲である材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ルツボの構成材料に含まれるアルカリ金属によってルツボ内のシリコン融液が汚染されるのを防止することができ、しかも、シリコン融液の保持のための十分な強度を備えており、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ内層が合成石英ガラスからなり、ルツボ外層が２〜１０ｐｐｍの添加Ａｌが固溶した天然石英ガラスからなる石英ガラスルツボを構成する。 （もっと読む）