【課題】シリカガラスルツボの製造において製造中に正確な温度測定を可能とすること。
【解決手段】シリカ粉末をルツボ成形用のモールド内に供給してシリカ紛層を形成し、そのシリカ紛層をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボを製造する装置であって、
シリカ粉を供給してシリカ紛層を形成するためのモールドと、複数本の炭素電極および電力供給部とを具備するアーク放電部と、少なくとも前記モールド内の熔融部分の温度測定を行う温度測定部とを有し、
前記温度測定部が、波長４．８〜５．２μｍの放射エネルギーを検出して温度を測定する放射温度計とされてなる。 （もっと読む）

【課題】高い生産効率でサファイア単結晶を製造することができるサファイア単結晶製造用αアルミナ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】相対密度が６０％以上であり、閉気孔率が１０％以下であり、純度が９９．９９質量％以上であり、Ｓｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｆｅ、ＣｕおよびＭｇの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であり、体積が１ｃｍ³以上であるサファイア単結晶製造用αアルミナ焼結体の製造方法であって、αアルミナ１００重量部とαアルミナ前駆物質１重量部以上２０重量部以下を混合して混合物を得、得られた混合物を成形し、焼成して得られる。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボ製造時の熔融状態を制御して、シリコン単結晶製造時のルツボ内表面のブラウンリング発生を防止し、湯面振動を抑制するシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボ製造方法は、原料シリカ粉をルツボ成形用のモールド内に供給してシリカ粉層を形成し、そのシリカ粉層をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボを製造する方法であって、原料シリカ粉を前記モールド内部に供給してシリカ粉シリカ粉層を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極によるアーク放電でシリカ粉シリカ粉層を熔融するアーク熔融工程とを有し、前記アーク熔融工程では、前記シリカ粉層の温度を測定し、上記アーク熔融工程の初期に現れる最初の温度の極大点Ｔｐを基準温度とし、上記基準温度に基づいてシリカガラス熔融状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】耐熱強度が高く長時間の引き上げに使用することができ、さらに低コストで製造可能なルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複合ルツボ１０は、石英ガラスルツボ本体１１と、ルツボの上端部に設けられた補強層１４を備え、補強層１４は、アルミナとシリカを主成分とするムライト質な材料で構成されている。石英ガラスルツボ本体１１は、ルツボの外表面側に形成された不透明石英ガラス層１２と、ルツボの内表面側に形成された透明石英ガラス層１３とを備えており、不透明石英ガラス層１２と補強層１４はルツボの外層を構成しており、透明石英ガラス層１３はルツボの内層を構成している。 （もっと読む）

【課題】アニール後の残留ボイド、およびアニールウエハに形成した酸化膜のＴＤＤＢ特性劣化を回避し、シリコン単結晶に含有可能な窒素濃度範囲を拡張することが可能となるアニールウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】アニールウエハの製造方法では、結晶引上速度Ｖと結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇとの比であるＶ／Ｇについて、Ｖ／Ｇが０．９×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以上２．５×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以下となるように制御するとともに、結晶引上炉内の水素分圧を３Ｐａ以上４０Ｐａ未満とする。シリコン単結晶は、窒素濃度が５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３超え６×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、不純物濃度が５ｐｐｍａ以下の希ガス雰囲気もしくは非酸化性雰囲気中において熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、厚さ０．５〜２００μｍのＳｉＯ_x膜（０＜ｘ＜２）からなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、厚さ０．０５〜０．５ｍｍのホウケイ酸ガラスからなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、ポリシラザンコーティングによる厚さ０．０２〜０．２ｍｍのシリカガラス膜からなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ開始時点から引き上げ継続中まで、シリコン単結晶の引上げ工程の全域に渡って、シリコン融液の液面位置を正確に検出し、高品質な結晶特性をもつシリコン単結晶を製造することが可能なシリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】引上げの初期段階では、第一の演算部２４による、遮熱部材１７の実像と鏡像との間隔に基づいてシリコン融液１３の液面位置を設定し、シリコン単結晶が例えば直胴部に移行する段階で、今度は第二の演算部２５に切り替えて、高輝度帯（フュージョンリング）ＦＲの像に基づいてシリコン融液１３の液面位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】所望の抵抗率の半導体ウェーハを効率よく提供するために、インゴットの状態で抵抗率を測定し、それに基づいて、無駄のない効率的な半導体ウェーハを製造する製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴットから半導体ウェーハを製造する方法において、前記単結晶インゴットの側面における成長軸方向の抵抗率分布を測定し、所望の抵抗率を示す所望抵抗率位置を特定して、所定の長さのブロックを切り出し、これから半導体ウェーハをスライスする。この成長軸方向の抵抗率は、いわゆる４探針法による抵抗率測定方法を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】チョクラスキー法による単結晶製造装置において、断熱材サイズが、一般にチャンバー内側の炉内最外周部に厚さ５０〜１５０ｍｍと十分厚くとれない場合において、輻射減衰と気体移動抑制により加熱ヒーターからチャンバーへの熱ロスを効果的に抑制する断熱筒を提供する。
【解決手段】チャンバー９ａ内に加熱ヒーター２が配置され、該加熱ヒーター２を囲うように配置されることで、前記加熱ヒーター２の輻射熱から前記チャンバー９ａを保護するための断熱筒８であって、該断熱筒８の断熱部２０には、黒鉛シートまたは１８００℃以上の融点を有する金属薄膜からなる反射層を有し、該反射層が間隔を持って、厚さ方向に２以上設置されるものであることを特徴とする断熱筒８。 （もっと読む）

【課題】長時間、高温に加熱しても、変形することが少ないシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明によれば、直胴部と、底部と、前記直胴部と前記底部をなめらかに接続する湾曲部とを有するシリカガラスルツボであって、前記シリカガラスルツボの壁は、内側から順に透明層及び気泡含有層を備え、前記直胴部の上端と下端の中間部分において、前記透明層の厚さに対する前記気泡含有層の厚さの比が０．７〜１．４であるシリカガラスルツボが提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液への不純物の混入のおそれなく、シリカガラスルツボの座屈や沈み込みを抑制することができるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の引き上げに用いるシリカガラスルツボであって、前記ルツボの壁３の外表面から内表面に向かって厚さ２ｍｍの領域３ｃのシリカガラスのラマンスペクトルでの４９２ｃｍ^−１におけるピークの面積強度Ｉ１と、６０６ｃｍ^−１におけるピークの面積強度Ｉ２の比Ｉ２／Ｉ１が０．６７〜１．１７であるシリカガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボの座屈や沈み込みが抑制され且つ亀裂が入りにくいシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明によれば、シリコン単結晶引き上げに用いるシリカガラスルツボであって、前記ルツボの壁が、前記ルツボの内面側から外面側に向かって天然シリカガラス又は合成シリカガラスからなるノンドープの内面層、及び鉱化元素が島状に偏在した鉱化元素偏在領域が分散している鉱化元素偏在シリカガラス層を備え、前記鉱化元素偏在領域のガラス成分とその周辺のガラス成分は、鉱化元素がドープされた天然シリカガラスとノンドープの合成シリカガラスの組み合わせ、又は鉱化元素がドープされた合成シリカガラスとノンドープの天然シリカガラスの組み合わせであり、前記内面層は、前記鉱化元素偏在領域のガラス成分とは異なる種類のガラス成分からなるシリカガラスルツボが提供される。 （もっと読む）

【課題】アーク放電による加熱温度を調整すべく電極を移動可能としながらも、隔壁の貫通孔とこれに挿通された電極との隙間を縮小できる構造を備えたシリカガラスルツボ製造装置を提供する。
【解決手段】回転モールド１０の上方に板状の隔壁１５を配し、加熱熔融を行なう電極１３を、隔壁１５をその厚さ方向に貫通する貫通孔１６に挿通させて回転モールド１０に向けて延びるように配し、隔壁１５の上に電極１３を仮想揺動軸Ｐ周りに揺動させる揺動手段４０を設け、仮想揺動軸Ｐが貫通孔１６内を通過するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内表面の気泡や不純物が少なく、シリコン単結晶の高い結晶化率を達成することができるシリカガラスルツボの製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボの製造方法は、モールド１０内に原料シリカ粉を供給してシリカ粉層１１を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極１３によるアーク放電でシリカ粉層１１を熔融するアーク熔融工程と、各炭素電極先端とモールド１０内に供給したシリカ粉層１１の被熔融表面との距離をそれぞれ等距離に設定して被熔融表面に吹きつけたアーク火炎により表面除去するファイヤーポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】廃ガラスを用いて、透明層を有するシリカガラスルツボを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶又は多結晶シリコンインゴット製造用のシリカガラスルツボ１の製造方法であって、前記ルツボ１は、ルツボ形状のシリカ粉焼結体３に対して、前記シリカ粉焼結体３をルツボ内面側からアーク溶融させて前記シリカ粉焼結体３の厚さ方向の全部又は一部をガラス化させる工程を備え、（１）前記アーク溶融時にルツボ外面側から前記シリカ粉焼結体３を減圧することと、（２）前記アーク溶融時に前記シリカ粉焼結体３の内面に合成シリカ粉を散布することによってルツボ内面に合成シリカガラス層５を形成すること、のうちの少なくとも一方の手段を備えるシリカガラスルツボ１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】メインチャンバーの構造の複雑化および設備コストの増大を抑制しつつ、るつぼ内に投入した単結晶原料をるつぼ上方から直接加熱することが可能な単結晶原料の溶融装置を提供する。
【解決手段】移動機構を有する本体部と、単結晶製造装置のメインチャンバーのゲートバルブに連結される下部開口端と、上部閉止端とを有する筒状体と、本体部に設けられ、下部開口端とゲートバルブとが連結する連結位置と、下部開口端とゲートバルブとが上下に離間した解除位置との間で筒状体を上下に昇降させる筒状体昇降機構と、筒状体の内部から下方に突出してるつぼ内の単結晶原料を加熱するヒーターと、本体部に設けられ、筒状体内の収容位置と、下部開口端よりも下方の単結晶原料加熱位置との間でヒーターを上下に昇降させるヒーター昇降機構と、ヒーターへ電力を供給する電力供給源との接続部とを備えることを特徴とする単結晶原料の溶融装置である。 （もっと読む）

【課題】フッ化カルシウム単結晶体のレーザー耐性を向上させるために、その原料となるフッ化カルシウムのレーザー耐性を向上させる精製方法を提供する。
【解決手段】気密化可能な精製炉を用い、原料フッ化カルシウムを溶融させた後、降温することにより凝固させるフッ化カルシウム単結晶体育成用の原料フッ化カルシウムの精製方法において、少なくとも降温開始時から凝固点以下、１２００℃以上の所定の温度に到達するまでの間は、炉内を真空排気された状態とし、かつ該所定の温度に到達した後に精製炉内にフッ素系ガスを導入するとともに、少なくとも、１０００℃から５００℃までの間は、降温速度を５０℃／ｈｒよりも遅くする。前記の原料フッ化カルシウムの精製方法により、レーザー誘起吸収（ＬＩＡ）は、２００〜８００ｎｍの波長領域において、ピークトップが０．００２以下に大幅に低減し、レーザー照射後のカラーセンターの発生が抑制される。 （もっと読む）