【課題】 シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、石英ガラスからなり、ルツボ形状を有するルツボ基材を準備する工程と、直接法又はスート法により合成石英ガラス材を作製する工程と、前記合成石英ガラス材を、粉砕することなくルツボ形状に加工する工程と、前記ルツボ基材の内壁と、前記ルツボ形状に加工された合成石英ガラス材の外壁とをシリカ粉末を介して熱処理を行って接着させる工程と、を含むことを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造装置から排出され、減圧ポンプの故障原因となる排気中の微粉体を効率よく除去できる保護フィルター装置を提供する。
【解決手段】保護フィルター装置(10)を、内部空間(19)を有するケーシング(12)と、ケーシング(12)内に微粒子を含む排気(H)を導入する排気導入管(14)と、ケーシング(12)内における排気導入管(14)の開口部において、排気導入管(14)の中心軸線(CL)上に回転可能に保持された回転体(16)と、ケーシング(12)内において、回転体(16)を介して排気導入管(14)の開口部に正対配置されており、少なくとも表面側に微粒子捕集液(L)を含んでいる無端ベルト(18)とで構成し、無端ベルト(18)の表面を回転体(16)に接触させて、無端ベルト(18)が回転することによって回転体(16)を回転させる、無端ベルト(18)の表面側における微粒子捕集液(L)を回転体(16)の表面に塗布することにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、直接法又はスート法により合成石英ガラス材を作製する工程と、前記合成石英ガラス材を、粉砕することなくルツボ形状に加工する工程と、前記ルツボ形状に加工された合成石英ガラス材の外壁にシリカ粉末を溶着させる工程と、を含むことを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 大型、高寸法精度、高耐久性の、シリカを主な構成成分とするシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を形成し、該シリカ基体の内表面上に、シリカゾルからゾル−ゲル法によって透明シリカガラス層を形成するシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げに用いられる石英ルツボを内側に装入して保持するカーボンルツボであって、強度特性に優れ、かつ、耐久性を向上させた炭素繊維強化炭素複合材ルツボを提供する。
【解決手段】周縁部に湾曲部１を有する底部２と、湾曲部１から上方に延びる直胴部３とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボにおいて、少なくとも湾曲部１において、ルツボ最内層及び最外層が炭素繊維織物の積層体１１，１２からなり、これらの積層体１１，１２の間に少なくとも１層の膨張黒鉛シート２１が挟み込まれている構成とする。 （もっと読む）

【課題】 大型、高寸法精度、高耐久性の、シリカを主な構成成分とするシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を形成し、該シリカ基体の内表面上に、シリカゾルからゾル−ゲル法によって透明シリカガラス層を形成するシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを収納した容器を洗浄槽との間で円滑かつ確実に搬送することができ、作業効率を向上させて安定した品質を維持できる多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンＳを容器３に収納した状態で洗浄槽２１〜２７に浸漬して洗浄する多結晶シリコンの洗浄装置１であって、洗浄槽２１〜２７の内底部に容器３を載置状態に保持するガイド枠５を有しており、ガイド枠５には上方から容器３の導入を案内する複数のガイド板５２が上方に向かうにしたがってガイド枠５の保持中心から離間する方向に傾斜して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶の長さ方向に沿った抵抗率分布のばらつきを抑制することのできるシリコン単結晶の引上装置及び引き上げ方法を提供する。
【解決手段】制御手段８ｂは、所定の計測期間に育成された直胴部の結晶径平均値を算出する結晶径算出手段と、前記所定の計測期間における引上速度平均値を算出する引上速度算出手段と、前記結晶径算出手段が算出した結晶径平均値と、前記引上速度算出手段が算出した引上速度平均値とからシリコン溶融液中のドーパント不純物の必要蒸発速度を算出する蒸発速度算出手段と、前記蒸発速度算出手段が算出したドーパント不純物の必要蒸発速度から、炉体内の必要な圧力を算出する炉内圧力算出手段と、前記炉内圧力算出手段が算出した炉体内の必要な圧力から、炉体内から排気する不活性ガスの排気速度を算出する排気速度算出手段とを有し、排気手段２１により、前記排気速度算出手段が算出した排気速度に従って排気させる。 （もっと読む）

【課題】鞍型形状のコイルを用いて印加する水平方向の磁場における、横磁場成分と縦磁場成分の割合を制御することで、引上げる単結晶の局所的な酸素濃度のばらつきを抑制し得る、シリコン単結晶の引上げ方法により引上げられたインゴットから切り出され、外周研削及び面取り加工が施されたシリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】前記シリコン単結晶インゴットの直径が４５０ｍｍ以上であり、かつ面取り加工後のシリコン単結晶ウェーハの直径のうち、外周から１０％の領域を除いて、前記ウェーハの酸素濃度のばらつき（面内酸素濃度差／面内酸素濃度平均値）が５％以下であるシリコン単結晶ウェーハである。４５０ｍｍ又は６７５ｍｍの大口径のウェーハに用いられる。
【選択図】図４
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【課題】単結晶の引上速度を向上して結晶欠陥の発生を抑制し、且つ、結晶の有転位化を抑制できる単結晶引上装置の輻射シールドを提供する。
【解決手段】円筒状の直胴部６ｂと、前記直胴部の下端から内側に湾曲し、下端部に開口を形成する下肩部６ｃとを有し、育成する単結晶Ｃの直径をΦ_cry（ｍｍ）とすると、前記下肩部における断熱部材６ｄの下端部開口の厚さ寸法ｔ₁は、式（１）により規定され、前記直胴部における断熱部材の外側面を下方に延長した仮想線と、前記下肩部における断熱部材の下端部を含む水平面との交点から、水平面に対して４５°の傾斜線を前記下肩部に向けてひいたとき、その断熱部材に対する交点における断熱部材の厚さ寸法ｔ₂は、式（２）により規定される。ｔ₁＝０．１Φ_cry〜０．５Φ_cry・・・（１）ｔ₂≦２ｔ₁・・・（２） （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶インゴット中における抵抗率のばらつきが小さく、Ｓｉ結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化を防ぐことができる高品質なシリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】ドープ元素としてボロン（Ｂ）とゲルマニウム（Ｇｅ）とを有し、ボロンの濃度が２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲であり、同時に添加するゲルマニウムの濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上３×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲である。Ｂを単独で添加した結晶と比較してＢとＧｅとを添加した結晶においてはＦＰＤ（Ｆｌｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｄｅｆｅｃｔ）の密度が低下する。 （もっと読む）

【課題】装置が煩雑化することなく、カーボンルツボから発生した炭素含有ガスを効率よく炉体外に排出することができ、製造コストの増加を招くことがなく、低炭素濃度のシリコン単結晶を引上げることができるシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１は、石英ルツボ１０ａを内面に保持するカーボンルツボ１０ｂを備え、前記カーボンルツボ１０ｂの上端１０ｂａに積載されて設けられ、前記カーボンルツボ１０ｂの上端上方の第１空間Ｓ１を通過するキャリアガスＧの一部を遮蔽し、前記第１空間Ｓ１の下部であり前記カーボンルツボ１０ｂの上端直上の第２空間Ｓ２を通過するキャリアガスＧの流速を高める円筒形状の整流部を備えた整流部材４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】種結晶表面へのガリウムの析出を防止し、それを原因とする多結晶部の発生を抑止した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して原料及び液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いるものである。 （もっと読む）

【課題】減圧ポンプの故障原因となる微粉体を効率よく除去し、できるかぎり減圧ポンプの損傷を回避し、その長寿命化を図る保護フィルター装置の提供。
【解決手段】微粒子を含む排出気体Hを導入する排気管3が接続され、内部に前記微粒子捕集液4が貯留された固定ケーシング1と、内部に微粒子捕集用充填材5が充填され、固定ケーシング1内にて微粒子捕集液4に前記微粒子捕集用充填材5の一部が浸漬されつつ回転し、固定ケーシング1内に導入された排出気体Hが前記微粒子捕集用充填材5の表面の微粒子捕集液4に接触しつつ流入し、回転中心部CLに設けられた開口部6から流入気体hが排出される回転ドラム2と、回転ドラム2の開口部6に対面して開口し、固定ケーシング1に取り付けられ、減圧ポンプCに接続される接続管7とで構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】融液からの輻射熱でシード軸、シードホルダに変形が生じても、種結晶を融液面に垂直に着液可能なシード軸とシードホルダとの連結構造を提供する。
【解決手段】シード軸にユニバーサルジョイント方式のシードホルダを連結したため、インゴット引き上げ時、炉内の輻射熱などでシード軸、シードホルダが熱膨張して変形しても、シードホルダが自重により垂直方向を向く。これにより、種結晶は融液面に垂直に着液できる。その結果、インゴット引き上げの初期段階において、急激な肩部の成長がなくなり、滑らかな肩部の単結晶インゴットを成長できる。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製時に耐圧不良やリーク不良を起こさず、低コストで低酸素濃度のウェーハを提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ ’７９）以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりＦＰＤ欠陥及びＬＥＰ欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりＬＳＴＤが検出される欠陥領域を含むものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。 （もっと読む）

【課題】純度の低い炭素材で形成することができ、ＳｉＯが硬化凝結し難く、優れた遮熱効果を備える単結晶成長装置用部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る単結晶成長装置用部材は、炭素材で形成され、表面の一部又は全部がＳｉ含浸層で覆われている。本発明に係る単結晶成長装置用部材の製造方法では、炭素材で形成された原形材の一部又は全部をシリコン融液に浸漬させ、前記原形材の表面の一部又は全部をＳｉ含浸層で覆う。 （もっと読む）

【課題】複数元素から成る半導体単結晶を溶液法により製造する装置であって、溶液を収容する坩堝の内底への多結晶晶出を低減できる製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】周囲からのエネルギー供給により加熱されまたは発熱する坩堝に収容した複数元素から成る半導体の溶液から、該半導体の単結晶を引き上げ成長させる半導体単結晶の製造装置において、
上記坩堝は底部領域内に内包した断熱材を介して下端が支持軸と結合しており、
該内包された断熱材は、その下端から上方へ向けて径が漸減している
ことを特徴とする。上記製造装置を用いた製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりｖ／Ｇ値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が１．２×１０^１８個／ｃｍ^３以上１．８×１０^１８個／ｃｍ^３以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第１の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第２の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ中の高温下において沈み込みが抑制されたシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカガラスルツボの製造では、中空状のモールドを回転させながらモールド内にシリカ粉を供給してシリカ粉層を形成し、シリカ粉層を加熱溶融してシリカガラス層を形成する。シリカ粉層を形成する工程は、ルツボの上端から当該上端よりも下方の第１の中間位置までの範囲に属するルツボ上部に相当するモールド内の所定の位置に第１のシリカ粉を供給する工程と、第１の中間位置からルツボの下端までの範囲に属するルツボ下部に相当するモールド内の位置に第２のシリカ粉を供給する工程と、第１及び第２のシリカ粉に覆われたモールドの内面に第３のシリカ粉を供給する工程とを含み、第１のシリカ粉の粒度分布は第２のシリカ粉の粒度分布よりも広く且つより多くの微粉を含む。 （もっと読む）