【課題】ルツボ内表面の気泡や不純物が少なく、シリコン単結晶の高い結晶化率を達成することができるシリカガラスルツボの製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボの製造方法は、モールド１０内に原料シリカ粉を供給してシリカ粉層１１を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極１３によるアーク放電でシリカ粉層１１を熔融するアーク熔融工程と、各炭素電極先端とモールド１０内に供給したシリカ粉層１１の被熔融表面との距離をそれぞれ等距離に設定して被熔融表面に吹きつけたアーク火炎により表面除去するファイヤーポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ルツボ回転軸から炉外への熱逃げを抑制することができ、しかも、製造コストを安価に抑えることのできる金属単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、シリコン体融液３を収納する石英ルツボ２と、石英ルツボ２を保持する黒鉛ルツボ４と、黒鉛ルツボ４を下部で固定保持するための受け皿５と、受け皿５を下部で支持し受け皿５及びルツボ２，４を回転させながら昇降させるルツボ回転軸６とを備えている。受け皿５とルツボ回転軸６との接合面には、低熱伝導部材１０が介在されている。低熱伝導部材１０は略管状に形成されており、低熱伝導部材１０の中央孔をルツボ回転軸６の凸部が挿通した状態で介在配置されている。これにより、受け皿５の底部下側に空隙部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造等、高温での使用環境下において、ふくれの発生を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】高融点金属に酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子を分散させたことを特徴とするルツボ１であって、前記高融点金属はタングステン、モリブデンまたはタングステンモリブデン合金のいずれか１種であることが好ましく、また、前記酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタルの金属粒子またはその酸化物のいずれか１種以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られたＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａＡｓウェハの製造方法において、成長工程では、ＧａＡｓ単結晶と原料融液との固液界面の形状が原料融液側に凸状となっており、原料融液と前記液体封止剤との界面から原料融液中のＧａＡｓ単結晶の先端部までの長さＴ１と、ＧａＡｓ単結晶の外径Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０.２５≦Ｔ１／Ｔ２≦０.４５であり、ウェハ作製工程で得られたＧａＡｓウェハは、ユニバーサル硬度がウェハ面内で一様に４０００Ｎ／ｍｍ^２以上４８５０Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気炉の加熱温度を下げないで、ゲートバルブの弁板の熱変形をさせずに、トラブルが無く結晶製造を連続的に行うことができ、大幅な製造コストの削減が出来る熱遮蔽機を提供する。
【解決手段】本発明は、加熱炉の取り出し口に設けられたゲートバルブと加熱容器部の間に挿抜可能に配置される蓋であって、前記蓋内部に冷却媒体を循環させ、前記ゲートバルブへの熱伝達を遮蔽することを特徴とする熱遮断機の構成とした。 （もっと読む）

【課題】 種結晶がホルダから外れてしまうことを回避することが可能なサファイア単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】 酸化アルミニウムを溶融するるつぼ２０と、酸化アルミニウムの種結晶３２を保持するホルダ３０と、ホルダ３０をるつぼ２０に溜められた酸化アルミニウムの溶融液２１に対して回転させながら引き上げる回転引上げ手段７０と、を備えたサファイア単結晶製造装置１０であって、回転引上げ手段７０による引上げ方向においてホルダ３０と重なる位置にあり、かつ引上げ方向視においてホルダ３０を囲む遮熱手段４０を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒータ、石英坩堝、シリコン融液等からの熱を遮熱部材で効果的に遮断して、シリコン融液のシード浸漬部や育成途上結晶を確実に冷却でき、単結晶シリコンの成長を促進できるとともに、生産性を向上できる単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に、シリコン融液を貯留する有底筒状の坩堝と、前記坩堝の径方向外側に配置されたヒータとを備え、前記シリコン融液に浸漬したシードを引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造装置であって、前記坩堝の上方には、前記シードを囲むように筒状に形成された遮熱部材２４が配設され、前記遮熱部材２４は、黒鉛からなり内部に収容空間２５Ａが形成された第１部材２５と、前記収容空間２５Ａに収容された第２部材２６と、を有し、前記第２部材２６は、シード側とは反対側を向く面が光沢面２７Ａとされた反射板２７を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶の製造の際のルツボ自体に起因するシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有する石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスからなり、ルツボ形状を有するルツボ基材を準備する工程と、直接法又はスート法により合成石英ガラス材を作製する工程と、前記合成石英ガラス材を、粉砕することなくルツボ形状に加工する工程と、前記ルツボ形状に加工した合成石英ガラス材を、前記ルツボ基材の内面に溶着する工程とを含む石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成時における熱効率の低下を抑制することによってヒーターの消費電力を低減し、かつ結晶引き上げ後のチャンバー内を短時間で冷却し得る単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液３からチョクラルスキー法により単結晶４を引上げて製造する単結晶製造装置であって、断熱筒１３は上段肉厚部１３ａと、上段肉厚部１３ａから下方に延伸し、上段肉厚部１３ａよりも肉厚が薄い下段肉薄部１３ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】 融液凝固法で育成したフッ化金属単結晶のレーザー耐性を向上させるための熱処理方法を提供する。
【解決手段】 気密化可能な熱処理炉を用い、その融点がＸ_melt℃であるフッ化金属単結晶をその融点未満の温度まで加熱した後、室温まで徐冷するフッ化金属単結晶の熱処理方法において、２５０℃以上、（Ｘ_melt−５００）℃以下の範囲にある所定の温度までは、真空排気下に昇温を行い、当該所定温度に到達した後にフッ素系ガスを熱処理炉内に導入するとともに、該熱処理における最高温度を（Ｘ_melt−３５０）℃以上、好ましくは（Ｘ_melt−１５０）℃以下とすることを特徴とするフッ化金属単結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料の溶融と種結晶の予備加熱を簡単な構成で効率良く行うことが可能なシリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げ装置１０は、シリコン融液２を保持する石英ルツボ１４と、石英ルツボ１４の周囲に設けられたヒーター１５と、石英ルツボ１４の上方に設けられ、先端に種結晶１が取り付けられた第１の引き上げ軸１８と、石英ルツボ１４の上方に配置された略逆円錐台形状の筒状部分を有する熱遮蔽部材２０と、中空部を有する円盤状の熱遮蔽板２２とを備えている。熱遮蔽板２２は、シリコン融液２の上方を覆う保温位置とシリコン融液２から見て保温位置よりも上方の待避位置との間を移動可能に構成されており、熱遮蔽板２２の保温位置は垂直方向に対して前記熱遮蔽部材２０と重なる位置である。熱遮蔽板２２の位置制御は、第１の引き上げ軸１８の昇降制御とは独立して行われる。 （もっと読む）

【課題】大型化が可能で、広範な波長域で大きなベルデ定数を有し且つ高い透過率を有するフッ化物単結晶及びそれを備えた光アイソレータを提供すること。
【解決手段】
下記組成式：
Ｌ_１−ｘＭ_ｘＦ_{３−ｘ＋ｙ}
（上記式中、ＬはＴｂを含む希土類元素を表す。Ｍは、Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むＩＩ族元素を表す。ｘは０より大きく１未満である。ｙは−０．２〜０．２である。）
で表されることを特徴とするフッ化物単結晶。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕するとともに、破砕歯及びロール外表面からの多結晶シリコン塊への不純物のコンタミを防止し、高品質の多結晶シリコンを得ることができる多結晶シリコンの破砕装置を提供する。
【解決手段】平行な軸線周りに互いに逆回転する一対のロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロール３の外周面上に超硬合金又はシリコン材によって形成された複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられており、ロール３に破砕歯５を挿通させた状態で巻き付けられて、ロール３の外周面を覆う樹脂カバー４５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶を製造する際に転位の発生を抑制するシリコン単結晶の製造方法であって、石英るつぼ内表面に不純物層を形成することなく、またシリコン単結晶を製造していない無駄な時間を短縮できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英るつぼ内に収容された多結晶シリコンを溶融してシリコン融液とする溶融工程と、前記シリコン融液の融液面に種結晶を接触させ、前記シリコン融液に磁場を印加しながら前記種結晶を上方に引き上げることによりシリコン単結晶を育成する引き上げ工程とを有するＭＣＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
少なくとも、前記溶融工程後、前記引き上げ工程前に、前記シリコン融液に磁場を印加して放置する工程と、その後、磁場の印加を止めて放置する工程とを行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 より正確に重量を測定することが可能な単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】 単結晶引上装置Ａ１は、重量検出手段５４１を有する支持体５を動かすことにより引上軸３および軸支持部４を動かし、気密容器２内の単結晶１の引き上げを行うものであり、軸支持部４は、引上軸３を支持する本体部４１と、本体部４１と連結された被支持部４３とを具備しており、支持体５は、被支持部４３を支持する支持部５４と、被支持部４３より軸方向ｚ上方に配置された延出部５３とを具備しており、延出部５３と被支持部４３との間に設けられ、軸方向ｚに伸縮可能な第１の筒体７１と、引上軸３を囲むように構成され、軸方向ｚに伸縮可能であり、軸方向ｚにおける上端が本体部４１に固定された第２の筒体７２と、第１の筒体７１と第２の筒体７２とを連結する配管７４を備えている。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）結晶を、捩れや結晶内の歪を生じることなく容易に製造できる酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）によりテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶を育成する方法において、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げ、所望の大きさ（直胴部）まで結晶径を拡大していく際に、結晶の広がり角θを４５°以上とし、且つ、坩堝の上部で直胴部直径（ｄ）に対して１．３倍以下の内径（Ｄ）を持つ平板円環状のジルコニウム製の絞りを通過させることを特徴とする酸化物単結晶の育成方法により提供する。 （もっと読む）

【課題】波長１．０６μｍ域（０．９〜１．１μｍ）でのベルデ定数が大きく、かつ、高い透明性を有する、酸化テルビウムを含む酸化物を主成分として含有する磁気光学材料を提供すること、及び、加工機用ファイバーレーザに好適に使用される小型化した光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される酸化物を９９％以上含有することを特徴とする磁気光学材料。
（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、テルビウム以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも１つの元素を含む。） （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するとともに、ウェーハの機械的強度及びゲッタリング能力が高い高抵抗シリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により設定抵抗率に応じてドーパントを添加してシリコンインゴットを成長させ、該シリコンインゴットをスライスして設定抵抗率を有するシリコンウェーハを製造するに当たり、設定抵抗率毎に、シリコンウェーハを供するデバイス作製工程における熱処理後の当該シリコンウェーハの熱処理後抵抗率と当該シリコンウェーハが切り出されたシリコンインゴットの酸素濃度との相関を予め求めておき、シリコンインゴットの成長を、該インゴットの設定抵抗率に対する相関において、導電型が逆転する酸素濃度未満となる条件にて行う。 （もっと読む）

【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる炭素ルツボであって、石英ガラスルツボを支持し変形を防止できるとともに、冷却後に石英ガラスルツボを容易に取り外すことができる炭素ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ底部を構成する架台部２と、架台部２に載置または嵌挿される筒状体３とを備えた炭素ルツボ１であって、架台部２が黒鉛材からなり、筒状体３は炭素繊維織布４が積層された炭素繊維強化炭素複合材からなり、筒状体３の一端部から他の一端部にかけて不連続部Ｆが設けられており、不連続部Ｆにおいて筒状体３の軸線に垂直な方向の少なくとも一部に炭素繊維強化複合材が存在し、かつ筒状体３の周方向に拘束力を発揮する構造を有する。 （もっと読む）