【課題】 結晶成長条件と結晶形態、結晶成長の有無の関係を明らかにし、実用
的な結晶成長条件でのIII族窒化物の結晶成長を可能とする。
【解決手段】 領域Ａは、ＧａＮ結晶が成長しない領域である。また、領域Ｂは
、種結晶のみにＧａＮ結晶が支配的に結晶成長する領域である。また、領域Ｃは
、柱状のＧａＮ結晶が支配的に結晶成長する領域である。また、領域Ｄは、板状
のＧａＮ結晶が支配的に結晶成長する領域である。なお、ここでいう支配的とは
、大部分がその形態で結晶成長している状態をいう。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

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【課題】育成結晶のアニール、ポーリングを行いながら、連続的に単結晶を引き上げる酸化物単結晶育成装置、及び安定した温度環境化で結晶育成を行い、育成収率の向上ならびに、坩堝、耐火物の寿命を向上させることにより育成コストを大幅に低減するタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１の加熱室内に設置された坩堝９に原料酸化物を間接加熱して、得られた酸化物融液に単結晶引き上げ軸３の種結晶を接触させた後に、不活性ガス雰囲気中で種結晶を回転させながら引き上げて酸化物単結晶を育成、成長させるための酸化物単結晶育成装置において、加熱室の外周に配置された加熱コイル４と、加熱コイル４に高周波電流を供給する高周波電源を有するメインチャンバー１の上方に、温度調節用ヒーター１３とポーリング用電極１５を有する上部チャンバー１２、１６が移動可能に複数個配設されている。 （もっと読む）

【解決手段】
通常、シリコンである原ウェハは、所望の端部ＰＶウェハの形状を有する。原ウェハは、急速凝固またはＣＶＤにより作製することができる。原ウェハは小さな粒子を有する。再結晶化される際にシリコンを収容および保護する清浄な薄膜内にカプセル封入され、より大きな粒子構造を形成する。カプセルは、酸素または蒸気の存在下でウェハを加熱して、外表面上に通常１〜２ミクロンの二酸化ケイ素を生成させることにより作製することができる。さらに加熱すると、ウェハが移動する空間内の溶融帯が形成されて、より大きな粒子径の再結晶が生じる。カプセルは再結晶化中に溶融材料を収容し、不純物から保護する。再結晶は大気中で行うことができる。支持板を介した熱転写が、応力および欠陥を最小限にとどめる。再結晶化後、カプセルが除去される。 （もっと読む）

【解決手段】 ＥＰＤが低くなるような結晶成長プロセスを用いてウェハを製造するシステムおよび方法が開示されている。また、デバイス収率を高め得る第ＩＩＩ−Ｖ族／ＧａＡｓウェハを形成する、ウェハアニーリングプロセスが提供されている。一実装例によると、エッチピット密度（ＥＰＤ）が低い第ＩＩＩ族ベースの材料を製造する方法が提供される。さらに、当該方法は、多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を形成する段階と、当該多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を用いて垂直温度勾配凝固による結晶成長を実行する段階とを備える。その他の実装例は、第ＩＩＩ族ベース結晶を形成する際に温度勾配を制御して、エッチピット密度を非常に低くする段階を備えるとしてよい。 （もっと読む）

【課題】 処理後のウエハの不良品発生率を低減することが可能な半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 直径Φが４インチ以上の半絶縁性ＧａＡｓウエハであって、ウエハの半径Ｒに対してウエハ中心から（２／３）・Ｒの半径を有する円の部分を中心部とし、前記ウエハ面内の中心部以外の部分である外周部の平均転位密度が、前記中心部の平均転位密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】フラックス法で窒化アルミニウムを高い生産性で育成する方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムとフラックスとを含む融液から窒素含有ガスの存在下に窒化アルミニウム単結晶を育成する。窒化アルミニウム単結晶の育成温度が１２５０℃以上、１５００℃以下であり、育成時の窒素含有ガスの窒素分圧が０．０１ＭＰａ以上、１ＭＰａ以下であり、融液におけるアルミニウムとフラックスとのモル比率が４０：６０〜９０：１０であり、フラックスがスズ、ガリウム、インジウムおよびビスマスからなる群より選ばれた一種または二種以上の第一金属とアルカリ土類に属する一種または二種以上の第二の金属とからなり、第一の金属と第二の金属とのモル比率が１：９９〜９９：１である。 （もっと読む）

【課題】結晶方位［１１０］の無転位のシリコン単結晶を育成する方法および転位発生の有無を判定する評価方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、育成中のシリコン単結晶４の周囲を囲繞するように冷却体６を設けてシリコン単結晶４を強制的に冷却しながら、結晶方位［１１０］のシリコン単結晶４を育成する。育成されたシリコン単結晶４の外表面に形成される晶癖線の有無によって、シリコン単結晶４における転位発生の有無を判定する。シリコン単結晶４の外表面に晶癖線が存在する場合は、良品シリコン単結晶と判定する。 （もっと読む）

【課題】原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法によって小傾角粒界（バウンダリー）の発生を抑制しながら効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融した後、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、種結晶は、所定の結晶方位に切り出された酸化アルミニウム単結晶であり、種結晶を原料融液表面に接触する際の融液温度を融解点から１５℃〜５０℃高温で調節する。これによりシーディング時に種結晶表面の融解が抑えられ、融液との境界で転位の発生が減少し、効率的に電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を製造することが可能な単結晶製造装置、該単結晶製造装置を用いて製造される単結晶材料、電子部品並びに単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の原料１０２が収容される金属ルツボ１０１と、該金属ルツボ１０１を高周波加熱する加熱手段（高周波誘導加熱コイル１０３、高周波加熱電源１０４）と、電磁シールド１０９でシールドされ前記金属ルツボ１０１の温度を熱電対１１０で検出する温度センサーと、前記金属ルツボ１０１の原料融液１０２から単結晶１０７を成長させる単結晶成長手段と、前記加熱手段を制御する制御手段である温度調節器１１１とを備え、前記温度調節器１１１は、前記温度センサーの検出信号に基づいて、前記加熱手段を制御して単結晶成長過程における前記原料融液１０２の温度調整を行う。 （もっと読む）

化合物半導体ナノロッドとシリコンワイヤーが接合された多重構造のナノワイヤー及びその製造方法を提供する。多重構造のナノワイヤーの製造方法は、化合物半導体のナノロッドを提供する段階と、ナノロッドの両端に触媒チップを形成する段階と、記触媒チップが形成されたナノロッドの両端にシリコンナノワイヤーを成長させる段階とを含む。
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【課題】エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留りで製造する。
【解決手段】ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有するエピタキシャルウエハを液相エピタキシー法により製造する方法であって、成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合は、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕を前記材料の融点Ｔ_ｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔ_ｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔ_ｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯウィスカー及びＺｎＯウィスカー膜及びこれらの作製方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ結晶を主成分とするＺｎＯウィスカーであって、アスペクト比が２以上のウィスカー形状粒子であり、フォトルミネッセンススペクトルｃで示される可視光領域におけるフォトルミネッセンス特性を有するＺｎＯウィスカー、及び、溶液プロセスにより、酸化亜鉛が析出する溶液反応系で、温度、原料濃度、添加剤、ｐＨ条件のいずれかの条件を調整してＺｎＯ結晶を析出させ、ＺｎＯウィスカーを合成すること、あるいは、ＺｎＯウィスカーを基板上に堆積させることによりＺｎＯウィスカー膜を形成させるＺｎＯウィスカー又はＺｎＯウィスカー膜の製造方法。
【効果】高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であるＺｎＯ結晶ウィスカーの電子デバイスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程で、高温焼成することなく、特に高価な装置や複雑な装置を用いず、溶液内で基材に直接析出させることによりコスト的に非常に有利であって、表面積が大きく、結晶形状が花状の酸化亜鉛結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】亜鉛イオン及びアミン化合物を少なくとも含みかつｐＨが７以上に調整された水溶液に基材を浸漬することによって、基材上に結晶形状が花状の酸化亜鉛結晶を自己組織的に析出させる。アミン化合物としては、アンモニアを使用する。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、紫外線遮蔽性及び赤外線遮蔽性が高く、かつ、高い可視光透過性を有する酸化亜鉛機能膜の製造方法及び該方法により得られる酸化亜鉛機能膜を提供する。
【解決手段】亜鉛源として亜鉛イオンと、ドーパント源として亜鉛イオンとは異なる種類の金属イオンとをそれぞれ含みかつｐＨが６以上に調整された水溶液に予め亜鉛と酸素を含有する化合物からなるシード層が表面に存在する基材を浸漬することによって、基材上にドーパントを含んだ酸化亜鉛機能膜を自己組織的に析出させる。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどの絶縁基板やその他半導体、金属などの基板上にＳｉ結晶半導体薄膜をＳｉの融点以下の温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＺｎ−Ｓｉ二元合金系を出発材料とし、その液体もしくは過冷却液体の状態から熱平衡状態でのＳｉの析出、残存Ｚｎの冷却固化、そしてエッチング等による該Ｚｎの除去を経て基板に支持されたＳｉ薄膜４−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を高速化できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、ＮａとＧａとを含む混合融液２７０を保持する。支持装置４０は、種結晶５が混合融液２７０中に浸漬されるように一方端に種結晶５を保持する。加熱装置５０，６０は、坩堝１０および反応容器２０を９００℃に加熱し、加熱装置３００は、種結晶５周辺の混合融液２７０の温度を１０５０℃に加熱する。圧力調整器１２０は、反応容器２０の窒素ガス圧が１．０１ＭＰａになるようにガス供給管９０およびバルブ１１０を介して窒素ガスを反応容器２０へ供給する。ガスボンベ２２０、流量計２１０およびガス供給管２００は、種結晶５の温度が１０００℃に設定されるように窒素ガスを配管１８０へ供給する。 （もっと読む）

【課題】放電遅延時間を短縮させ、温度依存性を改善し、増進されたイオン強度を有するＰＤＰの保護膜を製造するための材料、その製造方法、これより形成された保護膜及び該保護膜を備えるＰＤＰを提供する。
【解決手段】本発明によれば、ＭｇＯ１質量部を基準に２．０×１０^−５〜１．０×１０^−２質量部の希土類元素がドーピングされた酸化マグネシウム単結晶を含む保護膜の材料、約２８００℃の温度で結晶化を通じて前記酸化マグネシウム単結晶を製造する方法、これより形成された保護膜及び前記保護膜を含むＰＤＰを提供する。 （もっと読む）

【課題】原料や種結晶としてリチウムガレートを用いることなく、水熱合成法によってリチウムガレート単結晶を得るリチウムガレート単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られるリチウムガレート単結晶を提供する。
【解決手段】水酸化リチウム及び／又は炭酸リチウムを含んだアルカリ溶媒の存在下で、酸化ガリウム多結晶を原料にして、水熱合成法によりリチウムガレート単結晶を得るリチウムガレート単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られたリチウムガレート単結晶である。 （もっと読む）

【解決手段】界面で成長する単結晶をルツボ中に含まれる融液から引き上げる工程と、引き上げられた単結晶から半導体ウェハを切り分ける工程とを有するシリコン半導体ウェハの製造方法において、単結晶の引き上げの間に、界面の中心に熱を供給し、界面の中心から縁部までの比Ｖ／Ｇの半径方向プロフィールを、界面に対して垂直方向の温度勾配であるＧ及び融液から単結晶を引き上げる引き上げ速度であるＶを用いて制御する。比Ｖ／Ｇの半径方向ｒ／ｒｍａｘのプロフィールを、界面に接する単結晶中の熱機械応力場の影響が内因性点欠陥の発生に関して補償するように制御する。
【効果】０．６ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げた単結晶から、３００ｍｍの直径を有する無欠陥のシリコン半導体ウェハを高い歩留まりで得ることができた。この半導体ウェハに関して、Ａスワール欠陥も、ＦＰＤも、ＯＳＦ欠陥も検出できなかった。 （もっと読む）